光学显微镜与金相分析
Optical Microscopy & Metallography光学显微镜与金相分析按样品基体、目标参数和检出要求设置制样与仪器条件，并完整记录关键参数。
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INSTRUMENTAL ANALYSIS DIRECTORY
形貌与微区成像
观察表面、截面、断口、组织和内部缺陷，并关联局部成分。 服务目录包括下属专业方向、具体项目、实施流程和交付内容。
服务范围帮助客户围绕形貌与微区成像按样品基体、观察尺度、目标参数和检出要求选择仪器与制样方法。
按产品、样品、现场条件和报告用途选择专业方向及具体服务。
仪器测试 · 分类说明
服务范围
各专业方向列明业务范围、具体项目、委托准备和交付内容。
观察表面、截面、断口、组织和内部缺陷，并关联局部成分。 服务目录包括下属专业方向、具体项目、实施流程和交付内容。 该范围具体分为光学显微镜与金相分析、扫描电镜与能谱 SEM/EDS、场发射扫描电镜 FE-SEM、透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM等14个方向，各方向对应完整项目说明。
根据样品状态、目标参数、分辨率、检出限和数据用途，选择合适的仪器、制样与解析方案。 不同产品、样品、现场和目标市场分别配置项目组合、标准版本、样品量和报告用途。
本分类包括56个具体项目，每项均列明适用范围、方法、样品要求和交付内容。
14个专业方向
56项具体服务
4项项目准备步骤
6类常见交付内容
专业分类
14 个专业方向
每个专业方向都列明业务范围，并提供可直接查看的具体服务项目。
扫描电镜与能谱 SEM/EDS
SEM with EDS扫描电镜与能谱 SEM/EDS覆盖观察尺度、样品完整性、定性定量要求和数据说明。
查看完整方向页场发射扫描电镜 FE-SEM
Field-emission SEM (FE-SEM)场发射扫描电镜 FE-SEM可作为单项表征，也可与互补方法组合，用不同证据回答组成、结构或性能问题。
查看完整方向页透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM
TEM & HRTEM透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM按样品基体、目标参数和检出要求设置制样与仪器条件，并完整记录关键参数。
查看完整方向页原子力显微镜 AFM
Atomic Force Microscopy (AFM)原子力显微镜 AFM覆盖观察尺度、样品完整性、定性定量要求和数据说明。
查看完整方向页激光共聚焦与三维显微镜
Confocal & 3D Optical Microscopy激光共聚焦与三维显微镜可作为单项表征，也可与互补方法组合，用不同证据回答组成、结构或性能问题。
查看完整方向页工业CT与微米CT
Industrial CT & Micro-CT工业CT与微米CT按样品基体、目标参数和检出要求设置制样与仪器条件，并完整记录关键参数。
查看完整方向页电子背散射衍射 EBSD
Electron Backscatter Diffraction (EBSD)电子背散射衍射 EBSD覆盖观察尺度、样品完整性、定性定量要求和数据说明。
查看完整方向页聚焦离子束 FIB-SEM
Focused Ion Beam SEM (FIB-SEM)聚焦离子束 FIB-SEM可作为单项表征，也可与互补方法组合，用不同证据回答组成、结构或性能问题。
查看完整方向页三维断层、颗粒与孔隙成像
3D Tomography, Particle & Pore Imaging三维断层、颗粒与孔隙成像按样品基体、目标参数和检出要求设置制样与仪器条件，并完整记录关键参数。
查看完整方向页白光干涉与三维光学轮廓
White-light Interferometry & 3D Optical Profilometry白光干涉与三维光学轮廓覆盖观察尺度、样品完整性、定性定量要求和数据说明。
查看完整方向页X射线显微镜与纳米CT XRM/Nano-CT
X-ray Microscopy & Nano-CTX射线显微镜与纳米CT XRM/Nano-CT可作为单项表征，也可与互补方法组合，用不同证据回答组成、结构或性能问题。
查看完整方向页扫描声学显微镜 C-SAM
Scanning Acoustic Microscopy (C-SAM)扫描声学显微镜 C-SAM按样品基体、目标参数和检出要求设置制样与仪器条件，并完整记录关键参数。
查看完整方向页数字显微镜与视频测量
Digital Microscopy & Video Measurement数字显微镜与视频测量覆盖观察尺度、样品完整性、定性定量要求和数据说明。
查看完整方向页具体服务
服务项目
选择项目后，可继续查看适用范围、样品要求、方法标准、交付内容和常见问题。
光学显微镜与金相分析金相组织与晶粒度金相组织与晶粒度用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据光学显微镜与金相分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 光学显微镜与金相分析非金属夹杂物与脱碳层非金属夹杂物与脱碳层用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据光学显微镜与金相分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 光学显微镜与金相分析涂镀层、截面与缺陷观察涂镀层、截面与缺陷观察用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据光学显微镜与金相分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 光学显微镜与金相分析偏光、荧光与体视显微偏光、荧光与体视显微用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据光学显微镜与金相分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 扫描电镜与能谱 SEM/EDS二次电子形貌成像 SE二次电子形貌成像 SE用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据扫描电镜与能谱 SEM/EDS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 扫描电镜与能谱 SEM/EDS背散射电子成分衬度 BSE背散射电子成分衬度 BSE用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据扫描电镜与能谱 SEM/EDS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是给出可追溯的定量结果，并说明校准范围、检出能力、重复性和基体影响；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 扫描电镜与能谱 SEM/EDSEDS点扫、线扫与面扫EDS点扫、线扫与面扫用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据扫描电镜与能谱 SEM/EDS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 扫描电镜与能谱 SEM/EDS断面、颗粒与失效位置微区分析断面、颗粒与失效位置微区分析用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据扫描电镜与能谱 SEM/EDS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 场发射扫描电镜 FE-SEM金属组织、断口与缺陷场发射扫描电镜 FE-SEM金属组织、断口与缺陷场发射扫描电镜 FE-SEM用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据场发射扫描电镜 FE-SEM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 场发射扫描电镜 FE-SEM粉末、颗粒与多孔材料场发射扫描电镜 FE-SEM粉末、颗粒与多孔材料场发射扫描电镜 FE-SEM用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据场发射扫描电镜 FE-SEM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 场发射扫描电镜 FE-SEM涂层、薄膜与界面场发射扫描电镜 FE-SEM涂层、薄膜与界面场发射扫描电镜 FE-SEM用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据场发射扫描电镜 FE-SEM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 场发射扫描电镜 FE-SEM电子器件、电池与复合材料场发射扫描电镜 FE-SEM电子器件、电池与复合材料场发射扫描电镜 FE-SEM用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据场发射扫描电镜 FE-SEM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM明场、暗场与选区电子衍射明场、暗场与选区电子衍射用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM高分辨晶格像 HRTEM高分辨晶格像 HRTEM用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 透射电镜与高分辨 TEM/HRTEMSTEM-EDS与EELS微区分析STEM-EDS与EELS微区分析用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM纳米颗粒、薄膜与界面表征纳米颗粒、薄膜与界面表征用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 原子力显微镜 AFM金属组织、断口与缺陷原子力显微镜 AFM金属组织、断口与缺陷原子力显微镜 AFM用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据原子力显微镜 AFM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 原子力显微镜 AFM粉末、颗粒与多孔材料原子力显微镜 AFM粉末、颗粒与多孔材料原子力显微镜 AFM用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据原子力显微镜 AFM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 原子力显微镜 AFM涂层、薄膜与界面原子力显微镜 AFM涂层、薄膜与界面原子力显微镜 AFM用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据原子力显微镜 AFM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 原子力显微镜 AFM电子器件、电池与复合材料原子力显微镜 AFM电子器件、电池与复合材料原子力显微镜 AFM用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据原子力显微镜 AFM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 激光共聚焦与三维显微镜金属组织、断口与缺陷激光共聚焦与三维显微镜金属组织、断口与缺陷激光共聚焦与三维显微镜用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据激光共聚焦与三维显微镜方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 激光共聚焦与三维显微镜粉末、颗粒与多孔材料激光共聚焦与三维显微镜粉末、颗粒与多孔材料激光共聚焦与三维显微镜用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据激光共聚焦与三维显微镜方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 激光共聚焦与三维显微镜涂层、薄膜与界面激光共聚焦与三维显微镜涂层、薄膜与界面激光共聚焦与三维显微镜用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据激光共聚焦与三维显微镜方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 激光共聚焦与三维显微镜电子器件、电池与复合材料激光共聚焦与三维显微镜电子器件、电池与复合材料激光共聚焦与三维显微镜用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据激光共聚焦与三维显微镜方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 工业CT与微米CT工业CT无损缺陷检测工业CT无损缺陷检测用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据工业CT与微米CT方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 工业CT与微米CT微米CT孔隙与颗粒三维分析微米CT孔隙与颗粒三维分析用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据工业CT与微米CT方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 工业CT与微米CT装配关系、尺寸与壁厚测量装配关系、尺寸与壁厚测量用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据工业CT与微米CT方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 工业CT与微米CT复合材料、岩芯与电池内部结构复合材料、岩芯与电池内部结构用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据工业CT与微米CT方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 电子背散射衍射 EBSD金属组织、断口与缺陷电子背散射衍射 EBSD金属组织、断口与缺陷电子背散射衍射 EBSD用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据电子背散射衍射 EBSD方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 电子背散射衍射 EBSD粉末、颗粒与多孔材料电子背散射衍射 EBSD粉末、颗粒与多孔材料电子背散射衍射 EBSD用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据电子背散射衍射 EBSD方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 电子背散射衍射 EBSD涂层、薄膜与界面电子背散射衍射 EBSD涂层、薄膜与界面电子背散射衍射 EBSD用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据电子背散射衍射 EBSD方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 电子背散射衍射 EBSD电子器件、电池与复合材料电子背散射衍射 EBSD电子器件、电池与复合材料电子背散射衍射 EBSD用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据电子背散射衍射 EBSD方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 聚焦离子束 FIB-SEM金属组织、断口与缺陷聚焦离子束 FIB-SEM金属组织、断口与缺陷聚焦离子束 FIB-SEM用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据聚焦离子束 FIB-SEM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 聚焦离子束 FIB-SEM粉末、颗粒与多孔材料聚焦离子束 FIB-SEM粉末、颗粒与多孔材料聚焦离子束 FIB-SEM用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据聚焦离子束 FIB-SEM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 聚焦离子束 FIB-SEM涂层、薄膜与界面聚焦离子束 FIB-SEM涂层、薄膜与界面聚焦离子束 FIB-SEM用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据聚焦离子束 FIB-SEM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 聚焦离子束 FIB-SEM电子器件、电池与复合材料聚焦离子束 FIB-SEM电子器件、电池与复合材料聚焦离子束 FIB-SEM用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据聚焦离子束 FIB-SEM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 三维断层、颗粒与孔隙成像金属组织、断口与缺陷三维断层、颗粒与孔隙成像金属组织、断口与缺陷三维断层、颗粒与孔隙成像用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据三维断层、颗粒与孔隙成像方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 三维断层、颗粒与孔隙成像粉末、颗粒与多孔材料三维断层、颗粒与孔隙成像粉末、颗粒与多孔材料三维断层、颗粒与孔隙成像用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据三维断层、颗粒与孔隙成像方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 三维断层、颗粒与孔隙成像涂层、薄膜与界面三维断层、颗粒与孔隙成像涂层、薄膜与界面三维断层、颗粒与孔隙成像用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据三维断层、颗粒与孔隙成像方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 三维断层、颗粒与孔隙成像电子器件、电池与复合材料三维断层、颗粒与孔隙成像电子器件、电池与复合材料三维断层、颗粒与孔隙成像用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据三维断层、颗粒与孔隙成像方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 白光干涉与三维光学轮廓三维表面粗糙度与形貌三维表面粗糙度与形貌用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据白光干涉与三维光学轮廓方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 白光干涉与三维光学轮廓台阶高度、膜厚与沟槽深度台阶高度、膜厚与沟槽深度用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据白光干涉与三维光学轮廓方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 白光干涉与三维光学轮廓磨损体积与材料损失磨损体积与材料损失用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据白光干涉与三维光学轮廓方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 白光干涉与三维光学轮廓翘曲、平面度与波纹度翘曲、平面度与波纹度用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据白光干涉与三维光学轮廓方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 X射线显微镜与纳米CT XRM/Nano-CT纳米结构无损三维成像纳米结构无损三维成像用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据X射线显微镜与纳米CT XRM/Nano-CT方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 X射线显微镜与纳米CT XRM/Nano-CT电池电极与孔隙网络分析电池电极与孔隙网络分析用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据X射线显微镜与纳米CT XRM/Nano-CT方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 X射线显微镜与纳米CT XRM/Nano-CT芯片封装与微连接结构分析芯片封装与微连接结构分析用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据X射线显微镜与纳米CT XRM/Nano-CT方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 X射线显微镜与纳米CT XRM/Nano-CT微小裂纹、夹杂与缺陷定量微小裂纹、夹杂与缺陷定量用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据X射线显微镜与纳米CT XRM/Nano-CT方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是给出可追溯的定量结果，并说明校准范围、检出能力、重复性和基体影响；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 扫描声学显微镜 C-SAM芯片封装分层与空洞检测芯片封装分层与空洞检测用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据扫描声学显微镜 C-SAM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 扫描声学显微镜 C-SAM粘接界面与焊点声学成像粘接界面与焊点声学成像用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据扫描声学显微镜 C-SAM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 扫描声学显微镜 C-SAM器件进水、气泡与内部缺陷器件进水、气泡与内部缺陷用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据扫描声学显微镜 C-SAM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 扫描声学显微镜 C-SAM封装失效定位与批次筛查封装失效定位与批次筛查用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据扫描声学显微镜 C-SAM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 数字显微镜与视频测量宏观缺陷与断口记录宏观缺陷与断口记录用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据数字显微镜与视频测量方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 数字显微镜与视频测量二维尺寸与几何测量二维尺寸与几何测量用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据数字显微镜与视频测量方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 数字显微镜与视频测量三维景深合成与表面观察三维景深合成与表面观察用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据数字显微镜与视频测量方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 数字显微镜与视频测量批次外观比对与图像留档批次外观比对与图像留档用于表面与截面形貌、组织尺寸、局部成分、缺陷位置、孔隙和裂纹、三维结构、尺寸壁厚及正常样与异常样的微区差异。项目依据数字显微镜与视频测量方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情
项目资料
怎样选择仪器和制样方法
形貌与微区成像按照组成、结构、形貌、性能和异常分析目标配置仪器与制样方法。
- 01分析目标
列明形貌与微区成像的组成、结构、形貌、性能或异常分析目标。
- 02样品状态与基体
说明固体、粉末、液体、薄膜、界面或微区，以及是否允许切割、研磨和溶解。
- 03尺度、含量与检出限
列明观察尺度、目标含量、检出要求、定性或定量精度和对照样设置。
- 04图谱与原始数据用途
约定报告、图片、图谱、曲线、原始数据以及后续解释或复测要求。
交付结果
报告和检测数据
报告、数据、附件及技术资料等交付内容与所选检测方法和报告用途对应。
形貌与微区成像方法与制样方案
样品状态、测试位置和关键仪器参数
图谱、图像、曲线或定量数据
质量控制、标样、空白或平行样记录
主要信号、异常特征和可比性说明
分析报告及约定的原始数据附件
常见问题
形貌与微区成像常见问题
以下回答涵盖适用对象、执行标准、样品或现场条件、报告用途等常见问题。
01形貌与微区成像具体应该选择哪个项目？
根据具体对象和项目目标，从光学显微镜与金相分析、扫描电镜与能谱 SEM/EDS、场发射扫描电镜 FE-SEM等14个方向等方向配置检测方法、样品数量和交付内容。
02委托形貌与微区成像前需要准备哪些信息？
资料包括产品或样品名称、型号与批次、材料或组成、图纸或标准、异常现象、使用环境、目标参数和报告用途；现场项目同时提供地点、工况和作业时间。
03多个下属方向可以一次组合委托吗？
可以。项目按照同一批样品、共同制样、前后依赖和交付用途组合，并列明每项方法、样品量、周期和报告形式。
04检测报告包含哪些内容？
检测报告列明样品信息、执行标准、检测方法、仪器条件、实测数据、结果判定和报告标识。
页面所列标准、检测条件和报告用途按现行方法文件分类展示。
检测需求