01
适用范围
用于判断这项服务是否适合您的对象和技术问题；最终方案还需结合样品状态、目标参数和报告用途。
- 纳米颗粒、二维材料、薄膜和界面结构观察
- 晶格条纹、缺陷、晶体取向和选区电子衍射
- STEM-EDS 或 EELS 微区元素与电子结构分析
02
样品要求
送样前尽量提供材质、形态、数量、尺寸、批次、保存条件，以及是否允许切割、消解、喷镀或其他破坏性制样。
- 01
样品必须足够薄，可采用分散、超薄切片、离子减薄或 FIB 制样
- 02
需说明分散介质、基底、取样位置和束流敏感性
- 03
磁性、易氧化、含水或挥发样品需提前评估
03
检测项目
01
明场与暗场 TEM
观察形貌、尺寸和衍射衬度
02
SAED 选区电子衍射
获得局部晶体结构和取向线索
03
HRTEM 晶格成像
观察晶格条纹、界面和局部缺陷
04
STEM-EDS/EELS
开展纳米尺度元素或电子结构分析
04
方法标准
以下用于前期技术匹配。正式委托时应按样品基体、目标参数、报告用途和最新有效版本逐项确认，不把仪器名称直接等同于标准方法。
ISO 21363使用 TEM 测量颗粒尺寸和形状分布
实验室验证方法HRTEM、SAED、STEM-EDS 和 EELS 的制样及采集条件
05
交付结果
样品信息、制样或前处理方式及关键测试条件
TEM/HRTEM 图像、电子衍射、元素分布及关键制样和采集参数
约定的数据表、图谱、曲线、图像或可导出的原始数据
对主要结果、异常信号及可比性条件的必要说明
方法适用范围、检出能力和不能据此直接推断的内容
常见报告用途
研发与材料筛选批次或工艺对比质量控制与异常排查项目验收或技术资料
06
限制条件
检测结果只在实际样品、测试位置、制样方式和约定条件下成立。以下边界应在委托前明确：
- 结果对制样位置和薄区高度敏感，电子束可能引起污染、损伤、相变或结构弛豫。
- 具体测试参数、检出限、定量范围和不确定度受样品基体、制样方式、仪器配置及方法验证状态影响。
- 标准目录用于前期技术匹配；正式委托时须确认标准版本、适用范围、报告用途及实验室当前能力。
07
常见问题
01TEM 和 SEM 最大的区别是什么？
SEM 主要扫描样品表面并观察表面或截面；TEM 需要电子透过足够薄的样品，可获得更高分辨的内部、晶格和衍射信息。
02透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM需要多少样品？
样品量取决于形态、均匀性、制样损耗和测试模块。常见要求包括：样品必须足够薄，可采用分散、超薄切片、离子减薄或 FIB 制样；需说明分散介质、基底、取样位置和束流敏感性；磁性、易氧化、含水或挥发样品需提前评估。正式送样前仍需按目标参数确认。
03是否可以直接用一次测试代表整批样品？
不一定。仪器结果只代表实际取样和测试位置；非均匀材料应先约定取样规则、平行样、测试位置和统计方式。
04是否可以出具带 CMA/CNAS 标识的报告？
需结合具体项目、方法标准、报告用途及实验室最新有效能力附表在委托前逐项确认，不能只根据仪器名称判断。