检测范围
通过电子束透过薄样获得纳米尺度形貌、晶格、衍射和微区成分信息，适合颗粒、薄膜和界面研究。
明场与暗场 TEM
观察形貌、尺寸和衍射衬度
对象与条件
纳米颗粒、二维材料、薄膜和界面结构观察 晶格条纹、缺陷、晶体取向和选区电子衍射 STEM-EDS 或 EELS 微区元素与电子结构分析
需要注意的限制
TEM 制样记录取样位置和薄区厚度，并通过低剂量条件控制电子束污染、损伤、相变和结构弛豫。 透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM的检出限、定量范围和不确定度根据样品基体、明场与暗场 TEM与SAED 选区电子衍射的方法要求，以及“样品必须足够薄，可采用分散、超薄切片、离子减薄或 FIB 制样”对应的制样、校准和仪器条件确定。 透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM采用的标准目录列明标准版本、适用对象、明场与暗场 TEM的方法条件及TEM/HRTEM 图像、电子衍射、元素分布及关键制样和采集参数的报告内容。
适用产品与样品
透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 纳米颗粒、二维材料、薄膜和界面结构观察
- 晶格条纹、缺陷、晶体取向和选区电子衍射
- STEM-EDS 或 EELS 微区元素与电子结构分析
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品必须足够薄，可采用分散、超薄切片、离子减薄或 FIB 制样
- 02
需说明分散介质、基底、取样位置和束流敏感性
- 03
磁性、易氧化、含水或挥发样品需提前评估
样品必须足够薄，可采用分散、超薄切片、离子减薄或 FIB 制样 需说明分散介质、基底、取样位置和束流敏感性 磁性、易氧化、含水或挥发样品需提前评估
透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM检测的样品信息、制样或前处理方式及关键测试条件 TEM/HRTEM 图像、电子衍射、元素分布及关键制样和采集参数 明场与暗场 TEM与SAED 选区电子衍射对应的数据表、图谱、曲线、图像或可导出的原始数据 透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM检测的主要结果、异常信号及可比性条件说明 透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM采用的方法名称、标准编号和关键检测条件
检测项目
明场与暗场 TEM
观察形貌、尺寸和衍射衬度
SAED 选区电子衍射
获得局部晶体结构和取向线索
HRTEM 晶格成像
观察晶格条纹、界面和局部缺陷
STEM-EDS/EELS
开展纳米尺度元素或电子结构分析
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
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报告和检测数据
TEM 制样记录取样位置和薄区厚度，并通过低剂量条件控制电子束污染、损伤、相变和结构弛豫。
透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM的检出限、定量范围和不确定度根据样品基体、明场与暗场 TEM与SAED 选区电子衍射的方法要求，以及“样品必须足够薄，可采用分散、超薄切片、离子减薄或 FIB 制样”对应的制样、校准和仪器条件确定。
透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM采用的标准目录列明标准版本、适用对象、明场与暗场 TEM的方法条件及TEM/HRTEM 图像、电子衍射、元素分布及关键制样和采集参数的报告内容。
常见问题
01TEM 和 SEM 最大的区别是什么？
SEM 主要扫描样品表面并观察表面或截面；TEM 需要电子透过足够薄的样品，可获得更高分辨的内部、晶格和衍射信息。
02透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM需要多少样品？
样品量按照样品形态、均匀性、制样损耗和测试模块配置。送样要求包括：样品必须足够薄，可采用分散、超薄切片、离子减薄或 FIB 制样；需说明分散介质、基底、取样位置和束流敏感性；磁性、易氧化、含水或挥发样品需提前评估。
03透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM怎样评价整批样品？
透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM围绕明场与暗场 TEM与SAED 选区电子衍射设置代表性取样、平行样、多位置或多批次测试；样品准备满足“样品必须足够薄，可采用分散、超薄切片、离子减薄或 FIB 制样”，报告对应记录取样位置与批次信息。
04透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM报告提供哪些结果？
透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM报告列明TEM/HRTEM 图像、电子衍射、元素分布及关键制样和采集参数，并为明场与暗场 TEM与SAED 选区电子衍射记录执行标准、仪器条件、质量控制、图谱或曲线及实测数据。