检测范围
获得纳米尺度元素分布、轻元素信号、价态变化和界面扩散范围，其中以会聚探针扫描并采集特征X射线，生成纳米尺度元素点、线和面分布。厚度、吸收、谱线重叠和束致迁移纳入处理，EDS与EELS原始谱完整保存。
STEM-EDS
以会聚探针扫描并采集特征X射线，生成纳米尺度元素点、线和面分布，采集区域：点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明。
对象与条件
STEM-EDS：以会聚探针扫描并采集特征X射线，生成纳米尺度元素点、线和面分布，结果用于获得纳米尺度元素分布、轻元素信号、价态变化和界面扩散范围 EELS分析：利用能量损失边识别轻元素、价态或电子结构变化，并进行厚度与背景处理，测量位置按以下方式布置：点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明 检测对象：包含目标界面、轻元素相、扩散层或纳米析出物的电子透明薄片 测量位置：点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明 数据判读：获得纳米尺度元素分布、轻元素信号、价态变化和界面扩散范围
需要注意的限制
STEM-EDS与EELS微区分析结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行 STEM-EDS与EELS微区分析结果观察结果与实际取样位置和视场对应；三维结构采用三维方法评价，图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。 STEM-EDS与EELS微区分析结果对应实际收到的样品、采用的透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 用STEM像定位薄区、界面和待分析纳米相；2. 校准能量零点、探针条件和EDS/EELS采集几何；3. 按目标元素设置点谱、线扫或二维谱像的剂量；4. 完成背景拟合、峰分离、定量与元素图漂移校正；5. 将成分、能量损失边和界面结构配准后联合输出
薄片厚度
电子多重散射随厚度增加而增强，成像与谱学测量优先选择厚度均匀的电子透明区，样品资料：记录薄片厚度区、束流剂量、探针尺寸、EDS立体角、EELS会聚与收集角。
取向条件
HRTEM晶格可见性受晶带轴和离焦影响，条纹解释同时参考FFT与衍射图，测量位置：点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明。
束致变化
电池、聚合物和含挥发组分样品采用低剂量序列，并记录照射前后结构，对照数据：对照界面两侧、基体与析出相以及不同工艺样的元素和能量损失边。
元素定量
吸收、厚度、探测器效率和谱线重叠纳入EDS/EELS处理，原始谱与背景拟合同时保存，结果解释：厚度、吸收、谱线重叠和束致迁移纳入处理，EDS与EELS原始谱完整保存。
适用产品与样品
STEM-EDS与EELS微区分析适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- STEM-EDS：以会聚探针扫描并采集特征X射线，生成纳米尺度元素点、线和面分布，结果用于获得纳米尺度元素分布、轻元素信号、价态变化和界面扩散范围
- EELS分析：利用能量损失边识别轻元素、价态或电子结构变化，并进行厚度与背景处理，测量位置按以下方式布置：点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明
- 检测对象：包含目标界面、轻元素相、扩散层或纳米析出物的电子透明薄片
- 测量位置：点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明
- 数据判读：获得纳米尺度元素分布、轻元素信号、价态变化和界面扩散范围
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：包含目标界面、轻元素相、扩散层或纳米析出物的电子透明薄片
- 02
制样与装夹：选择厚度均匀且污染较少的薄区，FIB薄片经低电压终抛并保留层序方向
- 03
随样资料：记录薄片厚度区、束流剂量、探针尺寸、EDS立体角、EELS会聚与收集角
- 04
对照样品：对照界面两侧、基体与析出相以及不同工艺样的元素和能量损失边
- 05
位置记录：点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明
样品形式：包含目标界面、轻元素相、扩散层或纳米析出物的电子透明薄片 制样与装夹：选择厚度均匀且污染较少的薄区，FIB薄片经低电压终抛并保留层序方向 随样资料：记录薄片厚度区、束流剂量、探针尺寸、EDS立体角、EELS会聚与收集角 对照样品：对照界面两侧、基体与析出相以及不同工艺样的元素和能量损失边 位置记录：点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明
STEM-EDS与EELS微区分析技术报告及主要结论 交付STEM像、EDS谱与元素图、EELS原始谱与边拟合、线扫和剂量记录 原始资料：STEM-EDS数据；记录薄片厚度区、束流剂量、探针尺寸、EDS立体角、EELS会聚与收集角 位置资料：点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明 对照资料：对照界面两侧、基体与析出相以及不同工艺样的元素和能量损失边
检测项目
STEM-EDS
以会聚探针扫描并采集特征X射线，生成纳米尺度元素点、线和面分布，采集区域：点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明。
EELS分析
利用能量损失边识别轻元素、价态或电子结构变化，并进行厚度与背景处理，对照组合：对照界面两侧、基体与析出相以及不同工艺样的元素和能量损失边。
界面结构
横跨颗粒边缘、异质结或多层膜采集连续像和谱，解析反应层与扩散范围，样品资料：记录薄片厚度区、束流剂量、探针尺寸、EDS立体角、EELS会聚与收集角。
明场与暗场
选择透射束或指定衍射束成像，比较晶粒、析出相、位错和厚度衬度，数据判读：厚度、吸收、谱线重叠和束致迁移纳入处理，EDS与EELS原始谱完整保存。
选区电子衍射
在明确选区孔径覆盖范围内采集SAED，完成晶面间距、晶带轴和相结构索引，应用方向：获得纳米尺度元素分布、轻元素信号、价态变化和界面扩散范围。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 3 项
STEM-EDS与EELS微区分析的方法选择、样品处理、仪器条件、质量控制和结果表达应与采用标准的适用范围保持一致。
ISO 21363:2020《用 TEM 测量颗粒尺寸和形状分布》可作为该分析方法的质量要求参考，项目按客户指定版本和实验室确认结果执行。
ISO 21363:2020—用 TEM 测量颗粒尺寸和形状分布STEM-EDS与EELS微区分析的方法选择、样品处理、仪器条件、质量控制和结果表达应与采用标准的适用范围保持一致。
ISO 25498:2025《TEM 选区电子衍射分析方法》可作为该分析方法的质量要求参考，项目按客户指定版本和实验室确认结果执行。
ISO 25498:2025—TEM 选区电子衍射分析方法报告和检测数据
STEM-EDS与EELS微区分析结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行
STEM-EDS与EELS微区分析结果观察结果与实际取样位置和视场对应；三维结构采用三维方法评价，图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。
STEM-EDS与EELS微区分析结果对应实际收到的样品、采用的透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01STEM-EDS与EELS微区分析的STEM-EDS主要分析内容是什么？
以会聚探针扫描并采集特征X射线，生成纳米尺度元素点、线和面分布，获得纳米尺度元素分布、轻元素信号、价态变化和界面扩散范围。
02STEM-EDS与EELS微区分析的STEM-EDS送样可采用哪些形态？
包含目标界面、轻元素相、扩散层或纳米析出物的电子透明薄片，选择厚度均匀且污染较少的薄区，FIB薄片经低电压终抛并保留层序方向。
03STEM-EDS与EELS微区分析的STEM-EDS制样方向怎样标记？
选择厚度均匀且污染较少的薄区，FIB薄片经低电压终抛并保留层序方向，记录薄片厚度区、束流剂量、探针尺寸、EDS立体角、EELS会聚与收集角。
04STEM-EDS与EELS微区分析的STEM-EDS对比组需要哪些样品？
对照界面两侧、基体与析出相以及不同工艺样的元素和能量损失边，晶带轴、剂量、相机长度和谱学条件保持一致。
05STEM-EDS与EELS微区分析的STEM-EDS位置与方向如何记录？
点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明，选择厚度均匀且污染较少的薄区，FIB薄片经低电压终抛并保留层序方向。
06STEM-EDS与EELS微区分析的STEM-EDS质量数据怎样复核？
厚度、吸收、谱线重叠和束致迁移纳入处理，EDS与EELS原始谱完整保存，晶带轴、剂量、相机长度和谱学条件保持一致。
07STEM-EDS与EELS微区分析的STEM-EDS报告能看到哪些结果？
交付STEM像、EDS谱与元素图、EELS原始谱与边拟合、线扫和剂量记录，记录薄片厚度区、束流剂量、探针尺寸、EDS立体角、EELS会聚与收集角。
08STEM-EDS与EELS微区分析的STEM-EDS能帮助判断哪些问题？
获得纳米尺度元素分布、轻元素信号、价态变化和界面扩散范围，对照界面两侧、基体与析出相以及不同工艺样的元素和能量损失边。