检测范围
STEM-EDS与EELS微区分析主要检测STEM-EDS、EELS分析，服务对象包括STEM-EDS：以会聚探针扫描并采集特征X射线、EELS分析：利用能量损失边识别轻元素、价态或电子结构变化，覆盖来样登记、检测实施和报告交付。
STEM-EDS
以会聚探针扫描并采集特征X射线，生成纳米尺度元素点、线和面分布，采集区域：点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明。
STEM-EDS：以会聚探针扫描并采集特征X射线，生成纳米尺度元素点、线和面分布，结果用于获得纳米尺度元素分布、轻元素信号、价态变化和界面扩散范围
EELS分析：利用能量损失边识别轻元素、价态或电子结构变化，并进行厚度与背景处理，测量位置按以下方式布置：点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明
样品、目标参数和报告用途
样品形式：包含目标界面、轻元素相、扩散层或纳米析出物的电子透明薄片
STEM-EDS与EELS微区分析检测报告 + 检测数据与图表
STEM-EDS与EELS微区分析技术报告及主要结论
项目技术要点
实施流程
1. 用STEM像定位薄区、界面和待分析纳米相；2. 校准能量零点、探针条件和EDS/EELS采集几何；3. 按目标元素设置点谱、线扫或二维谱像的剂量；4. 完成背景拟合、峰分离、定量与元素图漂移校正；5. 将成分、能量损失边和界面结构配准后联合输出
薄片厚度
电子多重散射随厚度增加而增强，成像与谱学测量优选择厚度均匀的电子透明区，样品资料：记录薄片厚度区、束流剂量、探针尺寸、EDS立体角、EELS会聚与收集角。
取向条件
HRTEM晶格可见性受晶带轴和离焦影响，条纹解释同时参考FFT与衍射图，测量位置：点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明。
束致变化
电池、聚合物和含挥发组分样品采用低剂量序列，并记录照射前后结构，对照数据：对照界面两侧、基体与析出相以及不同工艺样的元素和能量损失边。
元素定量
吸收、厚度、探测器效率和谱线重叠纳入EDS/EELS处理，原始谱与背景拟合同时保存，结果解释：厚度、吸收、谱线重叠和束致迁移纳入处理，EDS与EELS原始谱完整保存。
适用产品与样品
STEM-EDS与EELS微区分析适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品与技术问题
- STEM-EDS：以会聚探针扫描并采集特征X射线，生成纳米尺度元素点、线和面分布，结果用于获得纳米尺度元素分布、轻元素信号、价态变化和界面扩散范围
- EELS分析：利用能量损失边识别轻元素、价态或电子结构变化，并进行厚度与背景处理，测量位置按以下方式布置：点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明
- 检测对象：包含目标界面、轻元素相、扩散层或纳米析出物的电子透明薄片
- 测量位置：点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明
- 数据判读：获得纳米尺度元素分布、轻元素信号、价态变化和界面扩散范围
样品与委托资料
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：包含目标界面、轻元素相、扩散层或纳米析出物的电子透明薄片
- 02
制样与装夹：选择厚度均匀且污染较少的薄区，FIB薄片经低电压终抛并保留层序方向
- 03
随样资料：记录薄片厚度区、束流剂量、探针尺寸、EDS立体角、EELS会聚与收集角
- 04
对照样品：对照界面两侧、基体与析出相以及不同工艺样的元素和能量损失边
- 05
位置记录：点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明
样品形式：包含目标界面、轻元素相、扩散层或纳米析出物的电子透明薄片。样品量包含制样损耗、平行样和留样需求。
STEM-EDS与EELS微区分析列明样品、项目、方法、开始时间与报告交付日期，并同步安排复杂前处理和多模块测试。
主要提供STEM-EDS与EELS微区分析技术报告及主要结论、STEM像、EDS谱与元素图、EELS原始谱与边拟合、线扫和剂量记录，其他数据和附件在委托单中列明。
收样、制样、测试、数据复核和报告输出由项目负责人统一衔接。
检测项目
STEM-EDS
以会聚探针扫描并采集特征X射线，生成纳米尺度元素点、线和面分布，采集区域：点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明。
EELS分析
利用能量损失边识别轻元素、价态或电子结构变化，并进行厚度与背景处理，对照组合：对照界面两侧、基体与析出相以及不同工艺样的元素和能量损失边。
界面结构
横跨颗粒边缘、异质结或多层膜采集连续像和谱，解析反应层与扩散范围，样品资料：记录薄片厚度区、束流剂量、探针尺寸、EDS立体角、EELS会聚与收集角。
明场与暗场
选择透射束或指定衍射束成像，比较晶粒、析出相、位错和厚度衬度，数据判读：厚度、吸收、谱线重叠和束致迁移纳入处理，EDS与EELS原始谱完整保存。
选区电子衍射
在明确选区孔径覆盖范围内采集SAED，完成晶面间距、晶带轴和相结构索引，应用方向：获得纳米尺度元素分布、轻元素信号、价态变化和界面扩散范围。
检测方法与实施流程
检测需求
围绕STEM-EDS与EELS微区分析列明样品、目标参数、方法标准和报告用途。
样品登记
样品形式：包含目标界面、轻元素相、扩散层或纳米析出物的电子透明薄片
完成前处理或制样
根据STEM-EDS与EELS微区分析和STEM-EDS、EELS分析的测试条件处理样品。
完成仪器测试
使用STEM-EDS与EELS微区分析按规定参数完成STEM-EDS、EELS分析和过程质量控制。
复核检测数据
重点检查STEM-EDS、EELS分析对应的图谱、曲线、图像或数据表。
交付报告和附件
提供STEM-EDS与EELS微区分析技术报告及主要结论、STEM像、EDS谱与元素图、EELS原始谱与边拟合、线扫和剂量记录及约定附件。
标准与方法依据
以下列出STEM-EDS与EELS微区分析采用的正式标准与执行依据，包含标准编号、适用项目和发布来源。
共 3 项
STEM-EDS与EELS微区分析的方法选择、样品处理、仪器条件、质量控制和结果表达应与采用标准的适用范围保持一致。
ISO 21363:2020《用 TEM 测量颗粒尺寸和形状分布》可作为该分析方法的质量要求参考，项目按客户指定版本和实验室确认结果执行。
ISO 21363:2020—用 TEM 测量颗粒尺寸和形状分布STEM-EDS与EELS微区分析的方法选择、样品处理、仪器条件、质量控制和结果表达应与采用标准的适用范围保持一致。
ISO 25498:2025《TEM 选区电子衍射分析方法》可作为该分析方法的质量要求参考，项目按客户指定版本和实验室确认结果执行。
ISO 25498:2025—TEM 选区电子衍射分析方法报告与交付内容
报告列明实际样品、检测方法、测试条件、结果和约定附件。
报告同步提供质量控制、数据复核和判定依据等项目记录。
样品、批次、工况或标准发生变化时，按新条件开展补充检测。
报告支持CMA/CNAS标识、合格判定及英文版本，相关要求可在需求表中注明。常见问题
01STEM-EDS与EELS微区分析的STEM-EDS主要分析内容是什么？
以会聚探针扫描并采集特征X射线，生成纳米尺度元素点、线和面分布，获得纳米尺度元素分布、轻元素信号、价态变化和界面扩散范围。
02STEM-EDS与EELS微区分析的STEM-EDS送样可采用哪些形态？
包含目标界面、轻元素相、扩散层或纳米析出物的电子透明薄片，选择厚度均匀且污染较少的薄区，FIB薄片经低电压终抛并保留层序方向。
03STEM-EDS与EELS微区分析的STEM-EDS制样方向怎样标记？
选择厚度均匀且污染较少的薄区，FIB薄片经低电压终抛并保留层序方向，记录薄片厚度区、束流剂量、探针尺寸、EDS立体角、EELS会聚与收集角。
04STEM-EDS与EELS微区分析的STEM-EDS对比组需要哪些样品？
对照界面两侧、基体与析出相以及不同工艺样的元素和能量损失边，晶带轴、剂量、相机长度和谱学条件保持一致。
05STEM-EDS与EELS微区分析的STEM-EDS位置与方向如何记录？
点谱、线扫和面扫均配准到STEM像，跨界面路径在低倍位置图中标明，选择厚度均匀且污染较少的薄区，FIB薄片经低电压终抛并保留层序方向。
06STEM-EDS与EELS微区分析的STEM-EDS质量数据怎样复核？
厚度、吸收、谱线重叠和束致迁移纳入处理，EDS与EELS原始谱完整保存，晶带轴、剂量、相机长度和谱学条件保持一致。
07STEM-EDS与EELS微区分析的STEM-EDS报告能看到哪些结果？
交付STEM像、EDS谱与元素图、EELS原始谱与边拟合、线扫和剂量记录，记录薄片厚度区、束流剂量、探针尺寸、EDS立体角、EELS会聚与收集角。
08STEM-EDS与EELS微区分析的STEM-EDS能帮助判断哪些问题？
获得纳米尺度元素分布、轻元素信号、价态变化和界面扩散范围，对照界面两侧、基体与析出相以及不同工艺样的元素和能量损失边。