检测范围
高分辨晶格像 HRTEM主要检测高分辨晶格像、选区电子衍射，服务对象包括高分辨晶格像：沿合适晶带轴记录晶格条纹，测量晶面间距、夹角、界面失配与局部缺陷，结果用于测量晶格条纹、晶面间距等、选区电子衍射：在明确选区孔径覆盖范围内采集SAED，覆盖来样登记、检测实施和报告交付。
高分辨晶格像
沿合适晶带轴记录晶格条纹，测量晶面间距、夹角、界面失配与局部缺陷，采集区域：高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照。
高分辨晶格像：沿合适晶带轴记录晶格条纹，测量晶面间距、夹角、界面失配与局部缺陷，结果用于测量晶格条纹、晶面间距、夹角、局部错配和原子尺度界面结构
选区电子衍射：在明确选区孔径覆盖范围内采集SAED，完成晶面间距、晶带轴和相结构索引，测量位置按以下方式布置：高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照
样品、目标参数和报告用途
样品形式：具有目标晶界、异质界面、纳米析出相或晶格缺陷的均匀电子透明薄片
高分辨晶格像 HRTEM检测报告 + 检测数据与图表
高分辨晶格像 HRTEM技术报告及主要结论
项目技术要点
实施流程
1. 在低倍像中定位均匀薄区并记录界面或缺陷坐标；2. 倾转至目标晶带轴并用SAED核对取向和相结构；3. 设置稳定剂量与离焦条件采集HRTEM晶格像序列；4. 完成FFT、反变换、晶面间距和界面错配测量；5. 输出原图、频谱、测量标注和晶体结构对应关系
薄片厚度
电子多重散射随厚度增加而增强，成像与谱学测量优选择厚度均匀的电子透明区，样品资料：记录材料结构、目标晶带轴、薄片厚度区、像差条件、离焦序列和电子剂量。
取向条件
HRTEM晶格可见性受晶带轴和离焦影响，条纹解释同时参考FFT与衍射图，测量位置：高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照。
束致变化
电池、聚合物和含挥发组分样品采用低剂量序列，并记录照射前后结构，对照数据：比较基体与缺陷区、界面两侧及不同热处理状态的晶格间距和FFT特征。
元素定量
吸收、厚度、探测器效率和谱线重叠纳入EDS/EELS处理，原始谱与背景拟合同时保存，结果解释：条纹解释联合FFT、SAED和成像条件，原子种类结合谱学结果与结构模型判定。
适用产品与样品
高分辨晶格像 HRTEM适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品与技术问题
- 高分辨晶格像：沿合适晶带轴记录晶格条纹，测量晶面间距、夹角、界面失配与局部缺陷，结果用于测量晶格条纹、晶面间距、夹角、局部错配和原子尺度界面结构
- 选区电子衍射：在明确选区孔径覆盖范围内采集SAED，完成晶面间距、晶带轴和相结构索引，测量位置按以下方式布置：高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照
- 检测对象：具有目标晶界、异质界面、纳米析出相或晶格缺陷的均匀电子透明薄片
- 测量位置：高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照
- 数据判读：测量晶格条纹、晶面间距、夹角、局部错配和原子尺度界面结构
样品与委托资料
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：具有目标晶界、异质界面、纳米析出相或晶格缺陷的均匀电子透明薄片
- 02
制样与装夹：通过低损伤终减薄获得洁净薄区，保留界面法向和薄片来源的显微坐标
- 03
随样资料：记录材料结构、目标晶带轴、薄片厚度区、像差条件、离焦序列和电子剂量
- 04
对照样品：比较基体与缺陷区、界面两侧及不同热处理状态的晶格间距和FFT特征
- 05
位置记录：高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照
样品形式：具有目标晶界、异质界面、纳米析出相或晶格缺陷的均匀电子透明薄片。样品量包含制样损耗、平行样和留样需求。
高分辨晶格像 HRTEM列明样品、项目、方法、开始时间与报告交付日期，并同步安排复杂前处理和多模块测试。
主要提供高分辨晶格像 HRTEM技术报告及主要结论、HRTEM原图、FFT与反变换图、晶面间距、晶带轴和界面错配标注，其他数据和附件在委托单中列明。
收样、制样、测试、数据复核和报告输出由项目负责人统一衔接。
检测项目
高分辨晶格像
沿合适晶带轴记录晶格条纹，测量晶面间距、夹角、界面失配与局部缺陷，采集区域：高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照。
选区电子衍射
在明确选区孔径覆盖范围内采集SAED，完成晶面间距、晶带轴和相结构索引，对照组合：比较基体与缺陷区、界面两侧及不同热处理状态的晶格间距和FFT特征。
明场与暗场
选择透射束或指定衍射束成像，比较晶粒、析出相、位错和厚度衬度，样品资料：记录材料结构、目标晶带轴、薄片厚度区、像差条件、离焦序列和电子剂量。
界面结构
横跨颗粒边缘、异质结或多层膜采集连续像和谱，解析反应层与扩散范围，数据判读：条纹解释联合FFT、SAED和成像条件，原子种类结合谱学结果与结构模型判定。
薄片厚度
电子多重散射随厚度增加而增强，成像与谱学测量优选择厚度均匀的电子透明区，并结合条纹解释联合FFT、SAED和成像条件，原子种类结合谱学结果与结构模型判定。
检测方法与实施流程
检测需求
围绕高分辨晶格像 HRTEM列明样品、目标参数、方法标准和报告用途。
样品登记
样品形式：具有目标晶界、异质界面、纳米析出相或晶格缺陷的均匀电子透明薄片
完成前处理或制样
根据高分辨晶格像 HRTEM和高分辨晶格像、选区电子衍射的测试条件处理样品。
完成仪器测试
使用高分辨晶格像 HRTEM按规定参数完成高分辨晶格像、选区电子衍射和过程质量控制。
复核检测数据
重点检查高分辨晶格像、选区电子衍射对应的图谱、曲线、图像或数据表。
交付报告和附件
提供高分辨晶格像 HRTEM技术报告及主要结论、HRTEM原图、FFT与反变换图、晶面间距、晶带轴和界面错配标注及约定附件。
标准与方法依据
以下列出高分辨晶格像 HRTEM采用的正式标准与执行依据，包含标准编号、适用项目和发布来源。
共 3 项
高分辨晶格像 HRTEM的方法选择、样品处理、仪器条件、质量控制和结果表达应与采用标准的适用范围保持一致。
ISO 21363:2020《用 TEM 测量颗粒尺寸和形状分布》可作为该分析方法的质量要求参考，项目按客户指定版本和实验室确认结果执行。
ISO 21363:2020—用 TEM 测量颗粒尺寸和形状分布高分辨晶格像 HRTEM的方法选择、样品处理、仪器条件、质量控制和结果表达应与采用标准的适用范围保持一致。
ISO 25498:2025《TEM 选区电子衍射分析方法》可作为该分析方法的质量要求参考，项目按客户指定版本和实验室确认结果执行。
ISO 25498:2025—TEM 选区电子衍射分析方法报告与交付内容
报告列明实际样品、检测方法、测试条件、结果和约定附件。
报告同步提供质量控制、数据复核和判定依据等项目记录。
样品、批次、工况或标准发生变化时，按新条件开展补充检测。
报告支持CMA/CNAS标识、合格判定及英文版本，相关要求可在需求表中注明。常见问题
01高分辨晶格像 HRTEM的高分辨晶格像结果怎样表达？
沿合适晶带轴记录晶格条纹，测量晶面间距、夹角、界面失配与局部缺陷，测量晶格条纹、晶面间距、夹角、局部错配和原子尺度界面结构。
02高分辨晶格像 HRTEM的高分辨晶格像哪类样品适合测量？
具有目标晶界、异质界面、纳米析出相或晶格缺陷的均匀电子透明薄片，通过低损伤终减薄获得洁净薄区，保留界面法向和薄片来源的显微坐标。
03高分辨晶格像 HRTEM的高分辨晶格像样品前处理包括什么？
通过低损伤终减薄获得洁净薄区，保留界面法向和薄片来源的显微坐标，记录材料结构、目标晶带轴、薄片厚度区、像差条件、离焦序列和电子剂量。
04高分辨晶格像 HRTEM的高分辨晶格像参照数据如何建立？
比较基体与缺陷区、界面两侧及不同热处理状态的晶格间距和FFT特征，晶带轴、剂量、相机长度和谱学条件保持一致。
05高分辨晶格像 HRTEM的高分辨晶格像测点数量怎样安排？
高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照，通过低损伤终减薄获得洁净薄区，保留界面法向和薄片来源的显微坐标。
06高分辨晶格像 HRTEM的高分辨晶格像质量参数如何保持一致？
条纹解释联合FFT、SAED和成像条件，原子种类结合谱学结果与结构模型判定，晶带轴、剂量、相机长度和谱学条件保持一致。
07高分辨晶格像 HRTEM的高分辨晶格像最终资料包括哪些？
交付HRTEM原图、FFT与反变换图、晶面间距、晶带轴和界面错配标注，记录材料结构、目标晶带轴、薄片厚度区、像差条件、离焦序列和电子剂量。
08高分辨晶格像 HRTEM的高分辨晶格像怎样用于批次评价？
测量晶格条纹、晶面间距、夹角、局部错配和原子尺度界面结构，比较基体与缺陷区、界面两侧及不同热处理状态的晶格间距和FFT特征。