检测范围
测量晶格条纹、晶面间距、夹角、局部错配和原子尺度界面结构，其中沿合适晶带轴记录晶格条纹，测量晶面间距、夹角、界面失配与局部缺陷。条纹解释联合FFT、SAED和成像条件，原子种类结合谱学结果与结构模型判定。
高分辨晶格像
沿合适晶带轴记录晶格条纹，测量晶面间距、夹角、界面失配与局部缺陷，采集区域：高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照。
对象与条件
高分辨晶格像：沿合适晶带轴记录晶格条纹，测量晶面间距、夹角、界面失配与局部缺陷，结果用于测量晶格条纹、晶面间距、夹角、局部错配和原子尺度界面结构 选区电子衍射：在明确选区孔径覆盖范围内采集SAED，完成晶面间距、晶带轴和相结构索引，测量位置按以下方式布置：高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照 检测对象：具有目标晶界、异质界面、纳米析出相或晶格缺陷的均匀电子透明薄片 测量位置：高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照 数据判读：测量晶格条纹、晶面间距、夹角、局部错配和原子尺度界面结构
需要注意的限制
高分辨晶格像 HRTEM结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行 高分辨晶格像 HRTEM结果观察结果与实际取样位置和视场对应；三维结构采用三维方法评价，图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。 高分辨晶格像 HRTEM结果对应实际收到的样品、采用的透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 在低倍像中定位均匀薄区并记录界面或缺陷坐标；2. 倾转至目标晶带轴并用SAED核对取向和相结构；3. 设置稳定剂量与离焦条件采集HRTEM晶格像序列；4. 完成FFT、反变换、晶面间距和界面错配测量；5. 输出原图、频谱、测量标注和晶体结构对应关系
薄片厚度
电子多重散射随厚度增加而增强，成像与谱学测量优先选择厚度均匀的电子透明区，样品资料：记录材料结构、目标晶带轴、薄片厚度区、像差条件、离焦序列和电子剂量。
取向条件
HRTEM晶格可见性受晶带轴和离焦影响，条纹解释同时参考FFT与衍射图，测量位置：高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照。
束致变化
电池、聚合物和含挥发组分样品采用低剂量序列，并记录照射前后结构，对照数据：比较基体与缺陷区、界面两侧及不同热处理状态的晶格间距和FFT特征。
元素定量
吸收、厚度、探测器效率和谱线重叠纳入EDS/EELS处理，原始谱与背景拟合同时保存，结果解释：条纹解释联合FFT、SAED和成像条件，原子种类结合谱学结果与结构模型判定。
适用产品与样品
高分辨晶格像 HRTEM适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 高分辨晶格像：沿合适晶带轴记录晶格条纹，测量晶面间距、夹角、界面失配与局部缺陷，结果用于测量晶格条纹、晶面间距、夹角、局部错配和原子尺度界面结构
- 选区电子衍射：在明确选区孔径覆盖范围内采集SAED，完成晶面间距、晶带轴和相结构索引，测量位置按以下方式布置：高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照
- 检测对象：具有目标晶界、异质界面、纳米析出相或晶格缺陷的均匀电子透明薄片
- 测量位置：高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照
- 数据判读：测量晶格条纹、晶面间距、夹角、局部错配和原子尺度界面结构
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：具有目标晶界、异质界面、纳米析出相或晶格缺陷的均匀电子透明薄片
- 02
制样与装夹：通过低损伤终减薄获得洁净薄区，保留界面法向和薄片来源的显微坐标
- 03
随样资料：记录材料结构、目标晶带轴、薄片厚度区、像差条件、离焦序列和电子剂量
- 04
对照样品：比较基体与缺陷区、界面两侧及不同热处理状态的晶格间距和FFT特征
- 05
位置记录：高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照
样品形式：具有目标晶界、异质界面、纳米析出相或晶格缺陷的均匀电子透明薄片 制样与装夹：通过低损伤终减薄获得洁净薄区，保留界面法向和薄片来源的显微坐标 随样资料：记录材料结构、目标晶带轴、薄片厚度区、像差条件、离焦序列和电子剂量 对照样品：比较基体与缺陷区、界面两侧及不同热处理状态的晶格间距和FFT特征 位置记录：高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照
高分辨晶格像 HRTEM技术报告及主要结论 交付HRTEM原图、FFT与反变换图、晶面间距、晶带轴和界面错配标注 原始资料：高分辨晶格像数据；记录材料结构、目标晶带轴、薄片厚度区、像差条件、离焦序列和电子剂量 位置资料：高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照 对照资料：比较基体与缺陷区、界面两侧及不同热处理状态的晶格间距和FFT特征
检测项目
高分辨晶格像
沿合适晶带轴记录晶格条纹，测量晶面间距、夹角、界面失配与局部缺陷，采集区域：高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照。
选区电子衍射
在明确选区孔径覆盖范围内采集SAED，完成晶面间距、晶带轴和相结构索引，对照组合：比较基体与缺陷区、界面两侧及不同热处理状态的晶格间距和FFT特征。
明场与暗场
选择透射束或指定衍射束成像，比较晶粒、析出相、位错和厚度衬度，样品资料：记录材料结构、目标晶带轴、薄片厚度区、像差条件、离焦序列和电子剂量。
界面结构
横跨颗粒边缘、异质结或多层膜采集连续像和谱，解析反应层与扩散范围，数据判读：条纹解释联合FFT、SAED和成像条件，原子种类结合谱学结果与结构模型判定。
薄片厚度
电子多重散射随厚度增加而增强，成像与谱学测量优先选择厚度均匀的电子透明区，并结合条纹解释联合FFT、SAED和成像条件，原子种类结合谱学结果与结构模型判定。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 3 项
高分辨晶格像 HRTEM的方法选择、样品处理、仪器条件、质量控制和结果表达应与采用标准的适用范围保持一致。
ISO 21363:2020《用 TEM 测量颗粒尺寸和形状分布》可作为该分析方法的质量要求参考，项目按客户指定版本和实验室确认结果执行。
ISO 21363:2020—用 TEM 测量颗粒尺寸和形状分布高分辨晶格像 HRTEM的方法选择、样品处理、仪器条件、质量控制和结果表达应与采用标准的适用范围保持一致。
ISO 25498:2025《TEM 选区电子衍射分析方法》可作为该分析方法的质量要求参考，项目按客户指定版本和实验室确认结果执行。
ISO 25498:2025—TEM 选区电子衍射分析方法报告和检测数据
高分辨晶格像 HRTEM结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行
高分辨晶格像 HRTEM结果观察结果与实际取样位置和视场对应；三维结构采用三维方法评价，图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。
高分辨晶格像 HRTEM结果对应实际收到的样品、采用的透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01高分辨晶格像 HRTEM的高分辨晶格像结果通常怎样表达？
沿合适晶带轴记录晶格条纹，测量晶面间距、夹角、界面失配与局部缺陷，测量晶格条纹、晶面间距、夹角、局部错配和原子尺度界面结构。
02高分辨晶格像 HRTEM的高分辨晶格像哪类样品适合测量？
具有目标晶界、异质界面、纳米析出相或晶格缺陷的均匀电子透明薄片，通过低损伤终减薄获得洁净薄区，保留界面法向和薄片来源的显微坐标。
03高分辨晶格像 HRTEM的高分辨晶格像样品前处理包括什么？
通过低损伤终减薄获得洁净薄区，保留界面法向和薄片来源的显微坐标，记录材料结构、目标晶带轴、薄片厚度区、像差条件、离焦序列和电子剂量。
04高分辨晶格像 HRTEM的高分辨晶格像参照数据如何建立？
比较基体与缺陷区、界面两侧及不同热处理状态的晶格间距和FFT特征，晶带轴、剂量、相机长度和谱学条件保持一致。
05高分辨晶格像 HRTEM的高分辨晶格像测点数量怎样安排？
高分辨像跨越目标晶界或界面，邻近基体作为同一薄片内的晶格参照，通过低损伤终减薄获得洁净薄区，保留界面法向和薄片来源的显微坐标。
06高分辨晶格像 HRTEM的高分辨晶格像质量参数如何保持一致？
条纹解释联合FFT、SAED和成像条件，原子种类结合谱学结果与结构模型判定，晶带轴、剂量、相机长度和谱学条件保持一致。
07高分辨晶格像 HRTEM的高分辨晶格像最终资料包括哪些？
交付HRTEM原图、FFT与反变换图、晶面间距、晶带轴和界面错配标注，记录材料结构、目标晶带轴、薄片厚度区、像差条件、离焦序列和电子剂量。
08高分辨晶格像 HRTEM的高分辨晶格像怎样用于批次评价？
测量晶格条纹、晶面间距、夹角、局部错配和原子尺度界面结构，比较基体与缺陷区、界面两侧及不同热处理状态的晶格间距和FFT特征。