检测范围
明场、暗场与选区电子衍射主要检测明场成像、暗场成像，服务对象包括明场成像：使用透射束形成明场像，记录晶粒、析出相、位错与厚度衬度，结果用于利用衍射衬度和选区电子衍射显示晶粒、析出相等、暗场成像：选择目标衍射束形成暗场像，覆盖来样登记、检测实施和报告交付。
明场成像
使用透射束形成明场像，记录晶粒、析出相、位错与厚度衬度。
明场成像：使用透射束形成明场像，记录晶粒、析出相、位错与厚度衬度，结果用于利用衍射衬度和选区电子衍射显示晶粒、析出相、缺陷与晶体结构
暗场成像：选择目标衍射束形成暗场像，定位产生对应衍射信号的晶粒或第二相，测量位置按以下方式布置：明暗场像与SAED对应同一薄区，选区孔径覆盖范围在低倍图中清楚标出
样品、目标参数和报告用途
样品形式：含目标晶粒、析出相或界面的电子透明薄片以及分散良好的纳米颗粒载网
明场、暗场与选区电子衍射检测报告 + 检测数据与图表
明场、暗场与选区电子衍射技术报告及主要结论
项目技术要点
实施流程
1. 检查薄片完整性、支撑膜、污染和可用电子透明区；2. 低倍导航目标区并倾转到适合明暗场观察的衍射条件；3. 选择透射束与指定衍射束采集配对明场和暗场像；4. 在标定相机长度下采集SAED并完成晶面与晶带轴索引；5. 关联电子像、选区范围和衍射索引形成结构图组
选区孔径
低倍像标明孔径实际覆盖范围，衍射索引与同一薄区的明暗场像对应。
衍射衬度
通过明暗场切换和薄片倾转区分厚度、弯曲与缺陷衬度。
电子剂量
记录曝光时间、束流和采集顺序，保持配对图像的成像条件可追溯。
适用产品与样品
明场、暗场与选区电子衍射适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品与技术问题
- 明场成像：使用透射束形成明场像，记录晶粒、析出相、位错与厚度衬度，结果用于利用衍射衬度和选区电子衍射显示晶粒、析出相、缺陷与晶体结构
- 暗场成像：选择目标衍射束形成暗场像，定位产生对应衍射信号的晶粒或第二相，测量位置按以下方式布置：明暗场像与SAED对应同一薄区，选区孔径覆盖范围在低倍图中清楚标出
- 检测对象：含目标晶粒、析出相或界面的电子透明薄片以及分散良好的纳米颗粒载网
- 测量位置：明暗场像与SAED对应同一薄区，选区孔径覆盖范围在低倍图中清楚标出
- 数据判读：利用衍射衬度和选区电子衍射显示晶粒、析出相、缺陷与晶体结构
样品与委托资料
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：含目标晶粒、析出相或界面的电子透明薄片以及分散良好的纳米颗粒载网
- 02
制样与装夹：采用机械减薄、离子减薄、FIB或粉体分散获得均匀薄区并标明来源位置
- 03
随样资料：记录薄片取向、制备路线、目标区、加速电压、相机长度、选区孔径和电子剂量
- 04
对照样品：在相同成像与衍射条件下比较基体、第二相、缺陷区和邻近完整区域
- 05
位置记录：明暗场像与SAED对应同一薄区，选区孔径覆盖范围在低倍图中清楚标出
样品形式：含目标晶粒、析出相或界面的电子透明薄片以及分散良好的纳米颗粒载网。样品量包含制样损耗、平行样和留样需求。
明场、暗场与选区电子衍射列明样品、项目、方法、开始时间与报告交付日期，并同步安排复杂前处理和多模块测试。
主要提供明场、暗场与选区电子衍射技术报告及主要结论、明场像、暗场像、SAED原图、选区孔径位置、衍射索引和相机长度记录，其他数据和附件在委托单中列明。
收样、制样、测试、数据复核和报告输出由项目负责人统一衔接。
检测项目
明场成像
使用透射束形成明场像，记录晶粒、析出相、位错与厚度衬度。
暗场成像
选择目标衍射束形成暗场像，定位产生对应衍射信号的晶粒或第二相。
选区电子衍射
在低倍图标明选区孔径覆盖范围，采集SAED并测量斑点或衍射环间距。
晶带轴与物相索引
结合相机长度、晶面间距和夹角完成晶带轴及候选晶体结构索引。
衍射衬度核对
通过明暗场切换、薄片倾转和相邻区域对照区分厚度衬度、弯曲衬度与缺陷衬度。
检测方法与实施流程
检测需求
围绕明场、暗场与选区电子衍射列明样品、目标参数、方法标准和报告用途。
样品登记
样品形式：含目标晶粒、析出相或界面的电子透明薄片以及分散良好的纳米颗粒载网
完成前处理或制样
根据明场、暗场与选区电子衍射和明场成像、暗场成像的测试条件处理样品。
完成仪器测试
使用明场、暗场与选区电子衍射按规定参数完成明场成像、暗场成像和过程质量控制。
复核检测数据
重点检查明场成像、暗场成像对应的图谱、曲线、图像或数据表。
交付报告和附件
提供明场、暗场与选区电子衍射技术报告及主要结论、明场像、暗场像、SAED原图、选区孔径位置、衍射索引和相机长度记录及约定附件。
标准与方法依据
以下列出明场、暗场与选区电子衍射采用的正式标准与执行依据，包含标准编号、适用项目和发布来源。
共 2 项
明场、暗场与选区电子衍射的方法选择、样品处理、仪器条件、质量控制和结果表达应与采用标准的适用范围保持一致。
ISO 21363:2020《用 TEM 测量颗粒尺寸和形状分布》可作为该分析方法的质量要求参考，项目按客户指定版本和实验室确认结果执行。
ISO 21363:2020—用 TEM 测量颗粒尺寸和形状分布明场、暗场与选区电子衍射的方法选择、样品处理、仪器条件、质量控制和结果表达应与采用标准的适用范围保持一致。
ISO 25498:2025《TEM 选区电子衍射分析方法》可作为该分析方法的质量要求参考，项目按客户指定版本和实验室确认结果执行。
ISO 25498:2025—TEM 选区电子衍射分析方法报告与交付内容
报告列明实际样品、检测方法、测试条件、结果和约定附件。
报告同步提供质量控制、数据复核和判定依据等项目记录。
样品、批次、工况或标准发生变化时，按新条件开展补充检测。
报告支持CMA/CNAS标识、合格判定及英文版本，相关要求可在需求表中注明。常见问题
01明场、暗场与选区电子衍射的明场与暗场可提取哪些参数？
选择透射束或指定衍射束成像，比较晶粒、析出相、位错和厚度衬度，利用衍射衬度和选区电子衍射显示晶粒、析出相、缺陷与晶体结构。
02明场、暗场与选区电子衍射的明场与暗场常见样品类型有哪些？
含目标晶粒、析出相或界面的电子透明薄片以及分散良好的纳米颗粒载网，采用机械减薄、离子减薄、FIB或粉体分散获得均匀薄区并标明来源位置。
03明场、暗场与选区电子衍射的明场与暗场送样资料需要哪些？
采用机械减薄、离子减薄、FIB或粉体分散获得均匀薄区并标明来源位置，记录薄片取向、制备路线、目标区、加速电压、相机长度、选区孔径和电子剂量。
04明场、暗场与选区电子衍射的明场与暗场比较样怎样安排？
在相同成像与衍射条件下比较基体、第二相、缺陷区和邻近完整区域，薄区、倾转条件、相机长度、选区孔径和g矢量保持一致。
05明场、暗场与选区电子衍射的明场与暗场哪些位置需要测？
明暗场像与SAED对应同一薄区，选区孔径覆盖范围在低倍图中清楚标出，采用机械减薄、离子减薄、FIB或粉体分散获得均匀薄区并标明来源位置。
06明场、暗场与选区电子衍射的明场与暗场参数记录包括哪些？
厚度衬度、弯曲衬度和多重散射结合明暗场切换识别，SAED索引与实际选区孔径保持对应，薄区、倾转条件、相机长度、选区孔径和g矢量保持一致。
07明场、暗场与选区电子衍射的明场与暗场原始数据怎样交付？
交付明场像、暗场像、SAED原图、选区孔径位置、衍射索引和相机长度记录，记录薄片取向、制备路线、目标区、加速电压、相机长度、选区孔径和电子剂量。
08明场、暗场与选区电子衍射的明场与暗场结果可用于哪些场景？
利用衍射衬度和选区电子衍射显示晶粒、析出相、缺陷与晶体结构，在相同成像与衍射条件下比较基体、第二相、缺陷区和邻近完整区域。