检测范围
利用衍射衬度和选区电子衍射显示晶粒、析出相、缺陷与晶体结构，其中选择透射束或指定衍射束成像，比较晶粒、析出相、位错和厚度衬度。厚度衬度、弯曲衬度和多重散射结合明暗场切换识别，SAED索引与实际选区孔径保持对应。
明场成像
使用透射束形成明场像，记录晶粒、析出相、位错与厚度衬度。
对象与条件
明场成像：使用透射束形成明场像，记录晶粒、析出相、位错与厚度衬度，结果用于利用衍射衬度和选区电子衍射显示晶粒、析出相、缺陷与晶体结构 暗场成像：选择目标衍射束形成暗场像，定位产生对应衍射信号的晶粒或第二相，测量位置按以下方式布置：明暗场像与SAED对应同一薄区，选区孔径覆盖范围在低倍图中清楚标出 检测对象：含目标晶粒、析出相或界面的电子透明薄片以及分散良好的纳米颗粒载网 测量位置：明暗场像与SAED对应同一薄区，选区孔径覆盖范围在低倍图中清楚标出 数据判读：利用衍射衬度和选区电子衍射显示晶粒、析出相、缺陷与晶体结构
需要注意的限制
明场、暗场与选区电子衍射结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行 明场、暗场与选区电子衍射结果观察结果与实际取样位置和视场对应；三维结构采用三维方法评价，图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。 明场、暗场与选区电子衍射结果对应实际收到的样品、采用的透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 检查薄片完整性、支撑膜、污染和可用电子透明区；2. 低倍导航目标区并倾转到适合明暗场观察的衍射条件；3. 选择透射束与指定衍射束采集配对明场和暗场像；4. 在标定相机长度下采集SAED并完成晶面与晶带轴索引；5. 关联电子像、选区范围和衍射索引形成结构图组
选区孔径
低倍像标明孔径实际覆盖范围，衍射索引与同一薄区的明暗场像对应。
衍射衬度
通过明暗场切换和薄片倾转区分厚度、弯曲与缺陷衬度。
电子剂量
记录曝光时间、束流和采集顺序，保持配对图像的成像条件可追溯。
适用产品与样品
明场、暗场与选区电子衍射适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 明场成像：使用透射束形成明场像，记录晶粒、析出相、位错与厚度衬度，结果用于利用衍射衬度和选区电子衍射显示晶粒、析出相、缺陷与晶体结构
- 暗场成像：选择目标衍射束形成暗场像，定位产生对应衍射信号的晶粒或第二相，测量位置按以下方式布置：明暗场像与SAED对应同一薄区，选区孔径覆盖范围在低倍图中清楚标出
- 检测对象：含目标晶粒、析出相或界面的电子透明薄片以及分散良好的纳米颗粒载网
- 测量位置：明暗场像与SAED对应同一薄区，选区孔径覆盖范围在低倍图中清楚标出
- 数据判读：利用衍射衬度和选区电子衍射显示晶粒、析出相、缺陷与晶体结构
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：含目标晶粒、析出相或界面的电子透明薄片以及分散良好的纳米颗粒载网
- 02
制样与装夹：采用机械减薄、离子减薄、FIB或粉体分散获得均匀薄区并标明来源位置
- 03
随样资料：记录薄片取向、制备路线、目标区、加速电压、相机长度、选区孔径和电子剂量
- 04
对照样品：在相同成像与衍射条件下比较基体、第二相、缺陷区和邻近完整区域
- 05
位置记录：明暗场像与SAED对应同一薄区，选区孔径覆盖范围在低倍图中清楚标出
样品形式：含目标晶粒、析出相或界面的电子透明薄片以及分散良好的纳米颗粒载网 制样与装夹：采用机械减薄、离子减薄、FIB或粉体分散获得均匀薄区并标明来源位置 随样资料：记录薄片取向、制备路线、目标区、加速电压、相机长度、选区孔径和电子剂量 对照样品：在相同成像与衍射条件下比较基体、第二相、缺陷区和邻近完整区域 位置记录：明暗场像与SAED对应同一薄区，选区孔径覆盖范围在低倍图中清楚标出
明场、暗场与选区电子衍射技术报告及主要结论 交付明场像、暗场像、SAED原图、选区孔径位置、衍射索引和相机长度记录 原始资料：明场与暗场数据；记录薄片取向、制备路线、目标区、加速电压、相机长度、选区孔径和电子剂量 位置资料：明暗场像与SAED对应同一薄区，选区孔径覆盖范围在低倍图中清楚标出 对照资料：在相同成像与衍射条件下比较基体、第二相、缺陷区和邻近完整区域
检测项目
明场成像
使用透射束形成明场像，记录晶粒、析出相、位错与厚度衬度。
暗场成像
选择目标衍射束形成暗场像，定位产生对应衍射信号的晶粒或第二相。
选区电子衍射
在低倍图标明选区孔径覆盖范围，采集SAED并测量斑点或衍射环间距。
晶带轴与物相索引
结合相机长度、晶面间距和夹角完成晶带轴及候选晶体结构索引。
衍射衬度核对
通过明暗场切换、薄片倾转和相邻区域对照区分厚度衬度、弯曲衬度与缺陷衬度。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 2 项
明场、暗场与选区电子衍射的方法选择、样品处理、仪器条件、质量控制和结果表达应与采用标准的适用范围保持一致。
ISO 21363:2020《用 TEM 测量颗粒尺寸和形状分布》可作为该分析方法的质量要求参考，项目按客户指定版本和实验室确认结果执行。
ISO 21363:2020—用 TEM 测量颗粒尺寸和形状分布明场、暗场与选区电子衍射的方法选择、样品处理、仪器条件、质量控制和结果表达应与采用标准的适用范围保持一致。
ISO 25498:2025《TEM 选区电子衍射分析方法》可作为该分析方法的质量要求参考，项目按客户指定版本和实验室确认结果执行。
ISO 25498:2025—TEM 选区电子衍射分析方法报告和检测数据
明场、暗场与选区电子衍射结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行
明场、暗场与选区电子衍射结果观察结果与实际取样位置和视场对应；三维结构采用三维方法评价，图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。
明场、暗场与选区电子衍射结果对应实际收到的样品、采用的透射电镜与高分辨 TEM/HRTEM条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01明场、暗场与选区电子衍射的明场与暗场可提取哪些参数？
选择透射束或指定衍射束成像，比较晶粒、析出相、位错和厚度衬度，利用衍射衬度和选区电子衍射显示晶粒、析出相、缺陷与晶体结构。
02明场、暗场与选区电子衍射的明场与暗场常见样品类型有哪些？
含目标晶粒、析出相或界面的电子透明薄片以及分散良好的纳米颗粒载网，采用机械减薄、离子减薄、FIB或粉体分散获得均匀薄区并标明来源位置。
03明场、暗场与选区电子衍射的明场与暗场送样资料需要哪些？
采用机械减薄、离子减薄、FIB或粉体分散获得均匀薄区并标明来源位置，记录薄片取向、制备路线、目标区、加速电压、相机长度、选区孔径和电子剂量。
04明场、暗场与选区电子衍射的明场与暗场比较样怎样安排？
在相同成像与衍射条件下比较基体、第二相、缺陷区和邻近完整区域，薄区、倾转条件、相机长度、选区孔径和g矢量保持一致。
05明场、暗场与选区电子衍射的明场与暗场哪些位置需要测？
明暗场像与SAED对应同一薄区，选区孔径覆盖范围在低倍图中清楚标出，采用机械减薄、离子减薄、FIB或粉体分散获得均匀薄区并标明来源位置。
06明场、暗场与选区电子衍射的明场与暗场参数记录包括哪些？
厚度衬度、弯曲衬度和多重散射结合明暗场切换识别，SAED索引与实际选区孔径保持对应，薄区、倾转条件、相机长度、选区孔径和g矢量保持一致。
07明场、暗场与选区电子衍射的明场与暗场原始数据怎样交付？
交付明场像、暗场像、SAED原图、选区孔径位置、衍射索引和相机长度记录，记录薄片取向、制备路线、目标区、加速电压、相机长度、选区孔径和电子剂量。
08明场、暗场与选区电子衍射的明场与暗场结果可用于哪些场景？
利用衍射衬度和选区电子衍射显示晶粒、析出相、缺陷与晶体结构，在相同成像与衍射条件下比较基体、第二相、缺陷区和邻近完整区域。