检测范围
连续切片与三维重建显示微连接连续性、焊球空洞、界面裂纹和结构偏移，并输出定点解剖坐标，其中观察焊球、键合线、通孔、再布线层和界面空洞的三维位置与尺寸。金属伪影与聚合物辐照效应分别处理，微连接尺寸由连续切片确认。
微连接三维几何
重建焊球、键合线、通孔和再布线层，测量位置、尺寸与连接连续性。
对象与条件
微连接三维几何：重建焊球、键合线、通孔和再布线层，测量位置、尺寸与连接连续性，结果用于连续切片与三维重建显示微连接连续性、焊球空洞、界面裂纹和结构偏移，并输出定点解剖坐标 空洞定量：在焊点和底填区域分割空洞，统计体积、等效直径及其相对界面位置，测量位置按以下方式布置：兴趣区包含焊球阵列、芯片边缘、通孔或开短路定位点，并保留全局坐标 检测对象：芯片封装局部、焊球、键合线、通孔、再布线层和底填胶结构 测量位置：兴趣区包含焊球阵列、芯片边缘、通孔或开短路定位点，并保留全局坐标 数据判读：连续切片与三维重建显示微连接连续性、焊球空洞、界面裂纹和结构偏移，并输出定点解剖坐标
需要注意的限制
芯片封装与微连接结构分析结果单个视场对应具体测区，整批和整体结构增加代表性测点；三维结构采用三维方法评价，并记录制样、真空、束流和图像阈值 芯片封装与微连接结构分析结果观察结果与实际取样位置和视场对应；三维结构采用三维方法评价，图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。 芯片封装与微连接结构分析结果对应实际收到的样品、采用的X射线显微镜与纳米CT XRM/Nano-CT条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 导入封装层序与电性坐标，规划器件定位和局部扫描；2. 通过预投影优化能量、滤片、放大倍数和剂量；3. 完成微连接区域的高分辨投影采集与伪影校正；4. 重建焊球、键合线、通孔及底填界面并测量缺陷；5. 输出三维连接模型、缺陷尺寸、切片和定点解剖坐标
空间分辨率
空间分辨率由系统响应或标准样标定，并与重建体素同时在报告中给出。
金属伪影
能量、滤片和重建校正共同控制焊球与键合线周围的束硬化条纹。
几何分割
焊球、通孔、空洞和裂纹按连续切片及结构边缘建立分割规则。
坐标传递
器件全貌、局部重建体和解剖位置使用同一方向与坐标基准。
适用产品与样品
芯片封装与微连接结构分析适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 微连接三维几何：重建焊球、键合线、通孔和再布线层，测量位置、尺寸与连接连续性，结果用于连续切片与三维重建显示微连接连续性、焊球空洞、界面裂纹和结构偏移，并输出定点解剖坐标
- 空洞定量：在焊点和底填区域分割空洞，统计体积、等效直径及其相对界面位置，测量位置按以下方式布置：兴趣区包含焊球阵列、芯片边缘、通孔或开短路定位点，并保留全局坐标
- 检测对象：芯片封装局部、焊球、键合线、通孔、再布线层和底填胶结构
- 测量位置：兴趣区包含焊球阵列、芯片边缘、通孔或开短路定位点，并保留全局坐标
- 数据判读：连续切片与三维重建显示微连接连续性、焊球空洞、界面裂纹和结构偏移，并输出定点解剖坐标
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：芯片封装局部、焊球、键合线、通孔、再布线层和底填胶结构
- 02
制样与装夹：依据电性或声学坐标固定器件，先定位封装层序再放大微连接区域
- 03
随样资料：提供器件型号、封装层序、回流批次、电性异常、目标坐标和解剖方向
- 04
对照样品：以同型号良品或相邻正常连接为参照，比较空洞、裂纹、偏移与连接连续性
- 05
位置记录：兴趣区包含焊球阵列、芯片边缘、通孔或开短路定位点，并保留全局坐标
样品形式：芯片封装局部、焊球、键合线、通孔、再布线层和底填胶结构 制样与装夹：依据电性或声学坐标固定器件，先定位封装层序再放大微连接区域 随样资料：提供器件型号、封装层序、回流批次、电性异常、目标坐标和解剖方向 对照样品：以同型号良品或相邻正常连接为参照，比较空洞、裂纹、偏移与连接连续性 位置记录：兴趣区包含焊球阵列、芯片边缘、通孔或开短路定位点，并保留全局坐标
芯片封装与微连接结构分析技术报告及主要结论 封装局部切片、三维微连接模型、空洞裂纹尺寸及后续解剖坐标 原始资料：封装微连接数据；提供器件型号、封装层序、回流批次、电性异常、目标坐标和解剖方向 位置资料：兴趣区包含焊球阵列、芯片边缘、通孔或开短路定位点，并保留全局坐标 对照资料：以同型号良品或相邻正常连接为参照，比较空洞、裂纹、偏移与连接连续性
检测项目
微连接三维几何
重建焊球、键合线、通孔和再布线层，测量位置、尺寸与连接连续性。
空洞定量
在焊点和底填区域分割空洞，统计体积、等效直径及其相对界面位置。
裂纹与脱粘
沿连续切片追踪裂纹面和界面开口，给出长度、面积与三维坐标。
装配偏移
比较设计位置与重建结构，测量焊球、键合线或通孔的偏移和间隙。
解剖坐标
将异常三维坐标回写到器件全局位置，为后续定点截面和失效分析提供导航。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 6 项
报告和检测数据
芯片封装与微连接结构分析结果单个视场对应具体测区，整批和整体结构增加代表性测点；三维结构采用三维方法评价，并记录制样、真空、束流和图像阈值
芯片封装与微连接结构分析结果观察结果与实际取样位置和视场对应；三维结构采用三维方法评价，图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。
芯片封装与微连接结构分析结果对应实际收到的样品、采用的X射线显微镜与纳米CT XRM/Nano-CT条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01芯片封装与微连接结构分析的封装微连接主要分析内容是什么？
观察焊球、键合线、通孔、再布线层和界面空洞的三维位置与尺寸，连续切片与三维重建显示微连接连续性、焊球空洞、界面裂纹和结构偏移，并输出定点解剖坐标。
02芯片封装与微连接结构分析的封装微连接送样可采用哪些形态？
芯片封装局部、焊球、键合线、通孔、再布线层和底填胶结构，依据电性或声学坐标固定器件，先定位封装层序再放大微连接区域。
03芯片封装与微连接结构分析的封装微连接制样方向怎样标记？
依据电性或声学坐标固定器件，先定位封装层序再放大微连接区域，提供器件型号、封装层序、回流批次、电性异常、目标坐标和解剖方向。
04芯片封装与微连接结构分析的封装微连接对比组需要哪些样品？
以同型号良品或相邻正常连接为参照，比较空洞、裂纹、偏移与连接连续性，体素、剂量、相衬距离、重建和分割规则保持一致。
05芯片封装与微连接结构分析的封装微连接位置与方向如何记录？
兴趣区包含焊球阵列、芯片边缘、通孔或开短路定位点，并保留全局坐标，依据电性或声学坐标固定器件，先定位封装层序再放大微连接区域。
06芯片封装与微连接结构分析的封装微连接质量数据怎样复核？
金属伪影与聚合物辐照效应分别处理，微连接尺寸由连续切片确认，体素、剂量、相衬距离、重建和分割规则保持一致。
07芯片封装与微连接结构分析的封装微连接报告能看到哪些结果？
封装局部切片、三维微连接模型、空洞裂纹尺寸及后续解剖坐标，提供器件型号、封装层序、回流批次、电性异常、目标坐标和解剖方向。
08芯片封装与微连接结构分析的封装微连接能帮助判断哪些问题？
连续切片与三维重建显示微连接连续性、焊球空洞、界面裂纹和结构偏移，并输出定点解剖坐标，以同型号良品或相邻正常连接为参照，比较空洞、裂纹、偏移与连接连续性。