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仪器分析

芯片封装与微连接结构分析

Semiconductor-package & Micro-interconnect Analysis

连续切片与三维重建显示微连接连续性、焊球空洞、界面裂纹和结构偏移,并输出定点解剖坐标,其中观察焊球、键合线、通孔、再布线层和界面空洞的三维位置与尺寸。金属伪影与聚合物辐照效应分别处理,微连接尺寸由连续切片确认。

检测内容
微连接三维几何 · 空洞定量
适用对象
微连接三维几何:重建焊球、键合线、通孔和再布线层,测量位置、尺寸与连接连续性,结果用于连续切片与三维重建显示微连接连续性、焊球空洞、界面裂纹和结构偏移,并输出定点解剖坐标 · 空洞定量:在焊点和底填区域分割空洞,统计体积、等效直径及其相对界面位置,测量位置按以下方式布置:兴趣区包含焊球阵列、芯片边缘、通孔或开短路定位点,并保留全局坐标
方法标准
GB/T 41123.1-2021 · GB/T 41123.3-2021
报告交付
芯片封装与微连接结构分析技术报告及主要结论 · 封装局部切片、三维微连接模型、空洞裂纹尺寸及后续解剖坐标
项目受理登记对象、检测目标和报告用途
样品登记登记数量、状态和制样要求
过程质控记录检测条件并审核原始数据
报告交付交付结果、附件和技术说明
01

检测范围

检测范围检测内容与适用对象

芯片封装与微连接结构分析主要检测微连接三维几何、空洞定量,服务对象包括微连接三维几何:重建焊球、键合线、通孔和再布线层,测量位置、尺寸与连接连续性,结果用于连续切片与三维重建显示微连接连续性等、空洞定量:在焊点和底填区域分割空洞,覆盖来样登记、检测实施和报告交付。

01核心检测项目

微连接三维几何

重建焊球、键合线、通孔和再布线层,测量位置、尺寸与连接连续性。

02适用产品与样品

微连接三维几何:重建焊球、键合线、通孔和再布线层,测量位置、尺寸与连接连续性,结果用于连续切片与三维重建显示微连接连续性、焊球空洞、界面裂纹和结构偏移,并输出定点解剖坐标

空洞定量:在焊点和底填区域分割空洞,统计体积、等效直径及其相对界面位置,测量位置按以下方式布置:兴趣区包含焊球阵列、芯片边缘、通孔或开短路定位点,并保留全局坐标

03委托资料与样品

样品、目标参数和报告用途

样品形式:芯片封装局部、焊球、键合线、通孔、再布线层和底填胶结构

04报告与交付内容

芯片封装与微连接结构分析检测报告 + 检测数据与图表

芯片封装与微连接结构分析技术报告及主要结论

技术说明

项目技术要点

实施流程

1. 导入封装层序与电性坐标,规划器件定位和局部扫描;2. 通过预投影优化能量、滤片、放大倍数和剂量;3. 完成微连接区域的高分辨投影采集与伪影校正;4. 重建焊球、键合线、通孔及底填界面并测量缺陷;5. 输出三维连接模型、缺陷尺寸、切片和定点解剖坐标

空间分辨率

空间分辨率由系统响应或标准样标定,并与重建体素同时在报告中给出。

金属伪影

能量、滤片和重建校正共同控制焊球与键合线周围的束硬化条纹。

几何分割

焊球、通孔、空洞和裂纹按连续切片及结构边缘建立分割规则。

坐标传递

器件全貌、局部重建体和解剖位置使用同一方向与坐标基准。

02

适用产品与样品

芯片封装与微连接结构分析适用于以下产品、样品及技术问题。

适用产品与技术问题

  • 微连接三维几何:重建焊球、键合线、通孔和再布线层,测量位置、尺寸与连接连续性,结果用于连续切片与三维重建显示微连接连续性、焊球空洞、界面裂纹和结构偏移,并输出定点解剖坐标
  • 空洞定量:在焊点和底填区域分割空洞,统计体积、等效直径及其相对界面位置,测量位置按以下方式布置:兴趣区包含焊球阵列、芯片边缘、通孔或开短路定位点,并保留全局坐标
  • 检测对象:芯片封装局部、焊球、键合线、通孔、再布线层和底填胶结构
  • 测量位置:兴趣区包含焊球阵列、芯片边缘、通孔或开短路定位点,并保留全局坐标
  • 数据判读:连续切片与三维重建显示微连接连续性、焊球空洞、界面裂纹和结构偏移,并输出定点解剖坐标
03

样品与委托资料

送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。

  1. 01

    样品形式:芯片封装局部、焊球、键合线、通孔、再布线层和底填胶结构

  2. 02

    制样与装夹:依据电性或声学坐标固定器件,先定位封装层序再放大微连接区域

  3. 03

    随样资料:提供器件型号、封装层序、回流批次、电性异常、目标坐标和解剖方向

  4. 04

    对照样品:以同型号良品或相邻正常连接为参照,比较空洞、裂纹、偏移与连接连续性

  5. 05

    位置记录:兴趣区包含焊球阵列、芯片边缘、通孔或开短路定位点,并保留全局坐标

所需样品量样品量与制样要求

样品形式:芯片封装局部、焊球、键合线、通孔等。样品量包含制样损耗、平行样和留样需求。

检测周期项目周期与交付日期

芯片封装与微连接结构分析列明样品、项目、方法、开始时间与报告交付日期,并同步安排复杂前处理和多模块测试。

报告类型芯片封装与微连接结构分析检测报告 · 检测数据与图表 · 测试条件与质控记录

主要提供芯片封装与微连接结构分析技术报告及主要结论、封装局部切片、三维微连接模型、空洞裂纹尺寸及后续解剖坐标,其他数据和附件在委托单中列明。

实施方式实验室来样检测

收样、制样、测试、数据复核和报告输出由项目负责人统一衔接。

04

检测项目

01

微连接三维几何

重建焊球、键合线、通孔和再布线层,测量位置、尺寸与连接连续性。

02

空洞定量

在焊点和底填区域分割空洞,统计体积、等效直径及其相对界面位置。

03

裂纹与脱粘

沿连续切片追踪裂纹面和界面开口,给出长度、面积与三维坐标。

04

装配偏移

比较设计位置与重建结构,测量焊球、键合线或通孔的偏移和间隙。

05

解剖坐标

将异常三维坐标回写到器件全局位置,为后续定点截面和失效分析提供导航。

05

检测方法与实施流程

现有设备和检测能力芯片封装与微连接结构分析所需的检测、制样、质量控制和数据分析条件齐备,受理微连接三维几何、空洞定量。
01

检测需求

围绕芯片封装与微连接结构分析列明样品、目标参数、方法标准和报告用途。

02

样品登记

样品形式:芯片封装局部、焊球、键合线、通孔、再布线层和底填胶结构

03

完成前处理或制样

根据芯片封装与微连接结构分析和微连接三维几何、空洞定量的测试条件处理样品。

04

完成仪器测试

使用芯片封装与微连接结构分析按规定参数完成微连接三维几何、空洞定量和过程质量控制。

05

复核检测数据

重点检查微连接三维几何、空洞定量对应的图谱、曲线、图像或数据表。

06

交付报告和附件

提供芯片封装与微连接结构分析技术报告及主要结论、封装局部切片、三维微连接模型、空洞裂纹尺寸及后续解剖坐标及约定附件。

06

标准与方法依据

以下列出芯片封装与微连接结构分析采用的正式标准与执行依据,包含标准编号、适用项目和发布来源。

6 项标准共列出 6 项标准与方法。

共 6 项

GB/T 41123.1-2021中国标准无损检测 工业射线计算机层析成像检测 第1部分:原理、设备和样品GB/T 41123.1-2021用于芯片封装与微连接结构分析的射线CT原理、设备、样品和扫描配置。国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 · 现行/Published · 查看发布机构来源
GB/T 41123.3-2021中国标准无损检测 工业射线计算机层析成像检测 第3部分:验证GB/T 41123.3-2021用于芯片封装与微连接结构分析的工业CT系统性能验证和结果质量核查。国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 · 现行/Published · 查看发布机构来源
ISO 15708-2:2025国际标准Non-destructive testing — Radiation methods for computed tomography — Part 2: Principles, equipment and samplesISO 15708-2:2025用于芯片封装与微连接结构分析的射线CT原理、设备、样品和扫描配置。ISO · Published · 查看发布机构来源
ISO 15708-3:2025国际标准Non-destructive testing — Radiation methods for computed tomography — Part 3: Operation and interpretationISO 15708-3:2025用于芯片封装与微连接结构分析的Non-destructive testing - Radiation methods for computed tomography - Part 3: Operation and interpretation项目实施与数据记录。ISO · Published · 查看发布机构来源
ISO 15708-4:2025国际标准Non-destructive testing — Radiation methods for computed tomography — Part 4: QualificationISO 15708-4:2025用于芯片封装与微连接结构分析的工业CT系统性能验证和结果质量核查。ISO · Published · 查看发布机构来源
ASTM E3505-25国外标准Standard Practice for Direct Determination of Computed Tomography (CT) Detail Detection Sensitivity and Calculation of Numerical Detection LimitASTM E3505-25用于芯片封装与微连接结构分析的Standard Practice for Direct Determination of Computed Tomography (CT) Detail Detection Sensitivity and Calculation of Numerical Detection Limit项目实施与数据记录。ASTM International · Active · 查看发布机构来源
07

报告与交付内容

芯片封装与微连接结构分析检测报告检测数据与图表测试条件与质控记录约定附件
芯片封装与微连接结构分析技术报告及主要结论
封装局部切片、三维微连接模型、空洞裂纹尺寸及后续解剖坐标
原始资料:封装微连接数据;提供器件型号、封装层序、回流批次、电性异常、目标坐标和解剖方向
位置资料:兴趣区包含焊球阵列、芯片边缘、通孔或开短路定位点,并保留全局坐标
对照资料:以同型号良品或相邻正常连接为参照,比较空洞、裂纹、偏移与连接连续性
常见报告用途
连续切片与三维重建显示微连接连续性、焊球空洞、界面裂纹和结构偏移,并输出定点解剖坐标芯片封装与微连接结构分析数据积累:提供器件型号、封装层序、回流批次、电性异常、目标坐标和解剖方向复测与取样导航:兴趣区包含焊球阵列、芯片边缘、通孔或开短路定位点,并保留全局坐标工艺与状态比较:以同型号良品或相邻正常连接为参照,比较空洞、裂纹、偏移与连接连续性
报告与结果说明

报告列明实际样品、检测方法、测试条件、结果和约定附件。

报告同步提供质量控制、数据复核和判定依据等项目记录。

样品、批次、工况或标准发生变化时,按新条件开展补充检测。

报告支持CMA/CNAS标识、合格判定及英文版本,相关要求可在需求表中注明。
08

常见问题

01芯片封装与微连接结构分析的封装微连接主要分析内容是什么?

观察焊球、键合线、通孔、再布线层和界面空洞的三维位置与尺寸,连续切片与三维重建显示微连接连续性、焊球空洞、界面裂纹和结构偏移,并输出定点解剖坐标。

02芯片封装与微连接结构分析的封装微连接送样可采用哪些形态?

芯片封装局部、焊球、键合线、通孔、再布线层和底填胶结构,依据电性或声学坐标固定器件,先定位封装层序再放大微连接区域。

03芯片封装与微连接结构分析的封装微连接制样方向怎样标记?

依据电性或声学坐标固定器件,先定位封装层序再放大微连接区域,提供器件型号、封装层序、回流批次、电性异常、目标坐标和解剖方向。

04芯片封装与微连接结构分析的封装微连接对比组需要哪些样品?

以同型号良品或相邻正常连接为参照,比较空洞、裂纹、偏移与连接连续性,体素、剂量、相衬距离、重建和分割规则保持一致。

05芯片封装与微连接结构分析的封装微连接位置与方向如何记录?

兴趣区包含焊球阵列、芯片边缘、通孔或开短路定位点,并保留全局坐标,依据电性或声学坐标固定器件,先定位封装层序再放大微连接区域。

06芯片封装与微连接结构分析的封装微连接质量数据怎样复核?

金属伪影与聚合物辐照效应分别处理,微连接尺寸由连续切片确认,体素、剂量、相衬距离、重建和分割规则保持一致。

07芯片封装与微连接结构分析的封装微连接报告能看到哪些结果?

封装局部切片、三维微连接模型、空洞裂纹尺寸及后续解剖坐标,提供器件型号、封装层序、回流批次、电性异常、目标坐标和解剖方向。

08芯片封装与微连接结构分析的封装微连接能帮助判断哪些问题?

连续切片与三维重建显示微连接连续性、焊球空洞、界面裂纹和结构偏移,并输出定点解剖坐标,以同型号良品或相邻正常连接为参照,比较空洞、裂纹、偏移与连接连续性。

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