检测范围
解析涂层与薄膜中的物相、晶粒取向、界面晶界和织构，其中使用候选相晶体结构同时索引，输出相面积分数与相界位置。步长与实际晶粒和膜厚匹配，基底信号与膜层信号在相图中分开。
物相分布
使用候选相晶体结构同时索引，输出相面积分数与相界位置，采集区域：沿厚度跨越界面布置测区，同时在膜面多个坐标检查面内差异。
对象与条件
物相分布：使用候选相晶体结构同时索引，输出相面积分数与相界位置，结果用于解析涂层与薄膜中的物相、晶粒取向、界面晶界和织构 取向成像：生成IPF取向图并按样品法向、加工方向或指定方向着色，展示晶粒及取向梯度，测量位置按以下方式布置：沿厚度跨越界面布置测区，同时在膜面多个坐标检查面内差异 检测对象：可直接抛光的涂层表面、垂直截面和外延或多相薄膜 测量位置：沿厚度跨越界面布置测区，同时在膜面多个坐标检查面内差异 数据判读：解析涂层与薄膜中的物相、晶粒取向、界面晶界和织构
需要注意的限制
涂层、薄膜与界面电子背散射衍射 EBSD结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行 涂层、薄膜与界面电子背散射衍射 EBSD结果观察结果与实际取样位置和视场对应；三维结构采用三维方法评价，图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。 涂层、薄膜与界面电子背散射衍射 EBSD结果对应实际收到的样品、采用的电子背散射衍射 EBSD条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 确认膜面或截面方案，标记基底方向与层序；2. 完成低损伤表面制备并选择与膜层晶粒匹配的步长；3. 跨基底、界面和涂层采集花样质量、相和取向数据；4. 重构膜层晶粒，统计相分布、晶界和主要取向；5. 输出层序对应的相图、IPF图、晶界图和织构结果
表面质量
残余变形层会削弱菊池花样，最终采用胶体二氧化硅、离子抛光或低损伤精抛，样品资料：记录基底、层序、沉积温度、退火制度、膜厚和晶圆方位。
步长选择
步长与最小目标晶粒匹配，晶粒统计至少包含足够像素以避免过度分割，测量位置：沿厚度跨越界面布置测区，同时在膜面多个坐标检查面内差异。
索引可靠性
零解点、伪解和相间花样相似通过置信指标、带数及邻域一致性检查，对照数据：比较基底、过渡层与主体涂层，或不同沉积和退火条件下的相与取向。
数据清理
清理规则、最小晶粒、错配角和置信阈值写入报告，原始与处理后数据同时保留，结果解释：步长与实际晶粒和膜厚匹配，基底信号与膜层信号在相图中分开。
适用产品与样品
涂层、薄膜与界面电子背散射衍射 EBSD适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 物相分布：使用候选相晶体结构同时索引，输出相面积分数与相界位置，结果用于解析涂层与薄膜中的物相、晶粒取向、界面晶界和织构
- 取向成像：生成IPF取向图并按样品法向、加工方向或指定方向着色，展示晶粒及取向梯度，测量位置按以下方式布置：沿厚度跨越界面布置测区，同时在膜面多个坐标检查面内差异
- 检测对象：可直接抛光的涂层表面、垂直截面和外延或多相薄膜
- 测量位置：沿厚度跨越界面布置测区，同时在膜面多个坐标检查面内差异
- 数据判读：解析涂层与薄膜中的物相、晶粒取向、界面晶界和织构
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：可直接抛光的涂层表面、垂直截面和外延或多相薄膜
- 02
制样与装夹：截面保留层序并进行低损伤终抛，薄膜表面清洁后检查花样质量
- 03
随样资料：记录基底、层序、沉积温度、退火制度、膜厚和晶圆方位
- 04
对照样品：比较基底、过渡层与主体涂层，或不同沉积和退火条件下的相与取向
- 05
位置记录：沿厚度跨越界面布置测区，同时在膜面多个坐标检查面内差异
样品形式：可直接抛光的涂层表面、垂直截面和外延或多相薄膜 制样与装夹：截面保留层序并进行低损伤终抛，薄膜表面清洁后检查花样质量 随样资料：记录基底、层序、沉积温度、退火制度、膜厚和晶圆方位 对照样品：比较基底、过渡层与主体涂层，或不同沉积和退火条件下的相与取向 位置记录：沿厚度跨越界面布置测区，同时在膜面多个坐标检查面内差异
涂层、薄膜与界面电子背散射衍射 EBSD技术报告及主要结论 涂层或薄膜相图、取向图、晶界统计、厚度方向测区照片及原始数据 原始资料：物相分布数据；记录基底、层序、沉积温度、退火制度、膜厚和晶圆方位 位置资料：沿厚度跨越界面布置测区，同时在膜面多个坐标检查面内差异 对照资料：比较基底、过渡层与主体涂层，或不同沉积和退火条件下的相与取向
检测项目
物相分布
使用候选相晶体结构同时索引，输出相面积分数与相界位置，采集区域：沿厚度跨越界面布置测区，同时在膜面多个坐标检查面内差异。
取向成像
生成IPF取向图并按样品法向、加工方向或指定方向着色，展示晶粒及取向梯度，对照组合：比较基底、过渡层与主体涂层，或不同沉积和退火条件下的相与取向。
晶粒与晶界
依据最小晶粒像素和错配角阈值重构晶粒，统计等效直径、高宽比和晶界类型，样品资料：记录基底、层序、沉积温度、退火制度、膜厚和晶圆方位。
特殊晶界
识别低角度、高角度、孪晶或CSL晶界，统计长度分数及空间分布，数据判读：步长与实际晶粒和膜厚匹配，基底信号与膜层信号在相图中分开。
织构分析
由有效索引点生成极图、反极图与ODF，展示主要取向组分和织构强度，应用方向：解析涂层与薄膜中的物相、晶粒取向、界面晶界和织构。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 2 项
报告和检测数据
涂层、薄膜与界面电子背散射衍射 EBSD结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行
涂层、薄膜与界面电子背散射衍射 EBSD结果观察结果与实际取样位置和视场对应；三维结构采用三维方法评价，图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。
涂层、薄膜与界面电子背散射衍射 EBSD结果对应实际收到的样品、采用的电子背散射衍射 EBSD条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01涂层、薄膜与界面的物相分布主要分析内容是什么？
使用候选相晶体结构同时索引，输出相面积分数与相界位置，解析涂层与薄膜中的物相、晶粒取向、界面晶界和织构。
02涂层、薄膜与界面的物相分布送样可采用哪些形态？
可直接抛光的涂层表面、垂直截面和外延或多相薄膜，截面保留层序并进行低损伤终抛，薄膜表面清洁后检查花样质量。
03涂层、薄膜与界面的物相分布制样方向怎样标记？
截面保留层序并进行低损伤终抛，薄膜表面清洁后检查花样质量，记录基底、层序、沉积温度、退火制度、膜厚和晶圆方位。
04涂层、薄膜与界面的物相分布对比组需要哪些样品？
比较基底、过渡层与主体涂层，或不同沉积和退火条件下的相与取向，步长、候选相、索引和晶粒重构参数保持一致。
05涂层、薄膜与界面的物相分布位置与方向如何记录？
沿厚度跨越界面布置测区，同时在膜面多个坐标检查面内差异，截面保留层序并进行低损伤终抛，薄膜表面清洁后检查花样质量。
06涂层、薄膜与界面的物相分布质量数据怎样复核？
步长与实际晶粒和膜厚匹配，基底信号与膜层信号在相图中分开，步长、候选相、索引和晶粒重构参数保持一致。
07涂层、薄膜与界面的物相分布报告能看到哪些结果？
涂层或薄膜相图、取向图、晶界统计、厚度方向测区照片及原始数据，记录基底、层序、沉积温度、退火制度、膜厚和晶圆方位。
08涂层、薄膜与界面的物相分布能帮助判断哪些问题？
解析涂层与薄膜中的物相、晶粒取向、界面晶界和织构，比较基底、过渡层与主体涂层，或不同沉积和退火条件下的相与取向。