本页说明
GB/T 19501-2013规定扫描电镜电子背散射衍射分析通则，涵盖适用样品、设备配置、实施步骤、原始记录、数据处理和报告字段，并链接国家标准化管理委员会标准详情页。
适用对象与条件
- 晶体材料取向、晶界、织构、相分布和局部取向差的二维表征
- 经精细研磨抛光并形成稳定电子背散射花样的晶体材料表面或截面
- 依据GB/T 19501-2013设置样品几何与束流参数，采集花样并索引，完成取向图、相图和晶界统计
- 步长、加速电压、工作距离、索引率、取向、相、晶界角、织构和局部取向差
主要要求与方法
取样与样品处理
依据GB/T 19501-2013设置样品几何与束流参数，采集花样并索引，完成取向图、相图和晶界统计
测试方法与条件
步长、加速电压、工作距离、索引率、取向、相、晶界角、织构和局部取向差
样品方向、制样、采集区域与参数、索引规则、取向图、相图、晶界和织构结果
样品方向、制样、采集区域与参数、索引规则、取向图、相图、晶界和织构结果
方法、条件与注意事项
标准用途
GB/T 19501-2013《微束分析 电子背散射衍射分析方法通则》用于扫描电镜电子背散射衍射分析通则。标准在分析服务中对应晶体材料取向、晶界、织构、相分布和局部取向差的二维表征，方法记录直接关联样品编号、设备参数、原始数据和报告结果。
关联分析项目
- [EBSD和XRD晶粒分析对比说明](/knowledge/ebsd-vs-xrd-grain-analysis)：EBSD和XRD晶粒分析对比说明采用GB/T 19501-2013《微束分析 电子背散射衍射分析方法通则》开展扫描电镜电子背散射衍射分析通则，作为主要技术方法记录步长、加速电压、工作距离、索引率、取向、相、晶界角、织构和局部取向差。
适用样品
经精细研磨抛光并形成稳定电子背散射花样的晶体材料表面或截面。样品登记包含名称、材料或基质、型号、批次、取样位置、数量、状态和保存条件；对比分析将正常样、异常样、来源样和留样分别编号。
设备与配置
扫描电子显微镜、EBSD探测器、样品倾转台和取向索引分析软件。设备记录包含主机、关键附件、校准材料、方法程序和数据系统版本，测量条件与原始文件使用同一项目编号。
实施步骤
依据GB/T 19501-2013设置样品几何与束流参数，采集花样并索引，完成取向图、相图和晶界统计。实施顺序写入项目记录，样品前处理、测量位置、重复次数和质量控制样与对应数据逐项关联。
原始记录
原始记录包括步长、加速电压、工作距离、索引率、取向、相、晶界角、织构和局部取向差。数据文件保留采集时间、设备状态、方法参数、样品顺序和处理过程；图谱、曲线、图像和计算表通过样品编号相互对应。
数据处理
步长、加速电压、工作距离、索引率、取向、相、晶界角、织构和局部取向差用于形成结果表、曲线或图谱。处理记录列出基线、峰识别、校准、拟合、校正、统计或判定步骤，处理前数据与最终结果同时归档。
质量控制
GB/T 19501-2013项目按方法配置空白、校准样、参考样、平行样、加标样或对照样。质量控制记录列出接受结果、异常处理和复测数据，保证样品、原始记录和报告字段一致。
报告内容
样品方向、制样、采集区域与参数、索引规则、取向图、相图、晶界和织构结果。报告同时列出执行标准、样品信息、前处理、仪器和方法条件、质量控制、结果单位以及关联的图谱、曲线或照片。
官方来源
国家标准化管理委员会发布了GB/T 19501-2013《微束分析 电子背散射衍射分析方法通则》，[查看官方标准详情](https://openstd.samr.gov.cn/bzgk/std/newGbInfo?hcno=882E56EDAF0DDEA9547A8B265C21D851)。
需要结合哪些资料
- 经精细研磨抛光并形成稳定电子背散射花样的晶体材料表面或截面；EBSD和XRD晶粒分析对比说明所涉及的代表性样品、对照样和质量控制样
参考依据与来源
国家标准化管理委员会发布GB/T 19501-2013《微束分析 电子背散射衍射分析方法通则》。
标准编号：GB/T 19501-2013；标准名称：微束分析 电子背散射衍射分析方法通则；发布机构：国家标准化管理委员会；状态：现行。
国家标准化管理委员会标准详情页GB/T 19501-2013规定的技术项目和记录内容。
技术项目：扫描电镜电子背散射衍射分析通则；适用对象：晶体材料取向、晶界、织构、相分布和局部取向差的二维表征；数据记录：步长、加速电压、工作距离、索引率、取向、相、晶界角、织构和局部取向差。
国家标准化管理委员会标准详情页结果怎样使用
- 步长、加速电压、工作距离、索引率、取向、相、晶界角、织构和局部取向差
- 样品方向、制样、采集区域与参数、索引规则、取向图、相图、晶界和织构结果
- GB/T 19501-2013官方标准详情页与关联分析项目
使用结果时需要结合的事项
- EBSD和XRD晶粒分析对比说明的方法实施；研发和材料比较；质量数据和技术报告
哪些判断还不能确定
- 晶体材料取向、晶界、织构、相分布和局部取向差的二维表征
- 经精细研磨抛光并形成稳定电子背散射花样的晶体材料表面或截面
标准使用常见问题
01GB/T 19501-2013规定什么内容？
GB/T 19501-2013用于扫描电镜电子背散射衍射分析通则，技术内容包括样品、设备、实施步骤、数据处理和报告记录。 依据GB/T 19501-2013设置样品几何与束流参数，采集花样并索引，完成取向图、相图和晶界统计
02GB/T 19501-2013适用哪些样品？
经精细研磨抛光并形成稳定电子背散射花样的晶体材料表面或截面，样品编号与前处理、测量位置和原始数据逐项对应。 试样和设备配置为扫描电子显微镜、EBSD探测器、样品倾转台和取向索引分析软件。
03GB/T 19501-2013记录哪些数据？
项目记录步长、加速电压、工作距离、索引率、取向、相、晶界角、织构和局部取向差，并保留采集参数、质量控制结果和数据处理过程。 实施过程为依据GB/T 19501-2013设置样品几何与束流参数，采集花样并索引，完成取向图、相图和晶界统计。
04GB/T 19501-2013报告包含哪些内容？
报告包含样品方向、制样、采集区域与参数、索引规则、取向图、相图、晶界和织构结果，结果表与样品编号、方法条件及原始记录相互对应。 报告将步长、加速电压、工作距离、索引率、取向、相、晶界角、织构和局部取向差与样品编号、方法条件和质量控制记录对应。