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仪器分析

芯片封装分层与空洞检测

Package Delamination & Void Detection

无损成像封装分层与空洞,给出界面位置、面积占比和批次分布,其中依据强回波、相位反转和连续区域分割界面脱层与内部空洞,统计面积占比。强回波与相位反转结合A扫波形和器件层序判读,表面耦合伪影先行排除。

检测内容
分层与空洞 · C扫描成像
适用对象
分层与空洞:依据强回波、相位反转和连续区域分割界面脱层与内部空洞,统计面积占比,结果用于无损成像封装分层与空洞,给出界面位置、面积占比和批次分布 · C扫描成像:在选定声程门内逐点绘制回波幅度或极性图,展示同一深度界面的缺陷分布,测量位置按以下方式布置:声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层,异常区复扫确认
方法标准
GB/T 4937.35-2024 · IEC 60749-35:2006
报告交付
芯片封装分层与空洞检测技术报告及主要结论 · 分层与空洞C扫图、典型A扫波形、B扫截面及面积统计
确认检测需求登记对象、检测目标和报告用途
样品登记登记数量、状态和制样要求
检查检测过程记录检测条件并审核原始数据
出具报告交付结果、附件和技术说明
01

检测范围

检测范围检测内容与适用对象

无损成像封装分层与空洞,给出界面位置、面积占比和批次分布,其中依据强回波、相位反转和连续区域分割界面脱层与内部空洞,统计面积占比。强回波与相位反转结合A扫波形和器件层序判读,表面耦合伪影先行排除。

01项目内容

分层与空洞

依据强回波、相位反转和连续区域分割界面脱层与内部空洞,统计面积占比,采集区域:声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层,异常区复扫确认。

02适用情况

对象与条件

分层与空洞:依据强回波、相位反转和连续区域分割界面脱层与内部空洞,统计面积占比,结果用于无损成像封装分层与空洞,给出界面位置、面积占比和批次分布 C扫描成像:在选定声程门内逐点绘制回波幅度或极性图,展示同一深度界面的缺陷分布,测量位置按以下方式布置:声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层,异常区复扫确认 检测对象:塑封芯片、功率模块、倒装封装和带底填胶的封装器件 测量位置:声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层,异常区复扫确认 数据判读:无损成像封装分层与空洞,给出界面位置、面积占比和批次分布

03结果解释

需要注意的限制

芯片封装分层与空洞检测结果单个视场对应具体测区,整批和整体结构增加代表性测点;三维结构采用三维方法评价,并记录制样、真空、束流和图像阈值 芯片封装分层与空洞检测结果观察结果与实际取样位置和视场对应;三维结构采用三维方法评价,图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。 芯片封装分层与空洞检测结果对应实际收到的样品、采用的扫描声学显微镜 C-SAM条件和数据处理方法;样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明;整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施

技术说明

检测时需要注意什么

实施流程

1. 核对封装层序与目标界面,选择探头频率和声程门;2. 调整水程、焦点、增益并检查正常区回波;3. 采集目标界面的A扫、C扫和必要的B扫;4. 对分层或空洞区域进行门位复扫和面积测量;5. 交付声学图、典型波形、缺陷面积和器件坐标

频率选择

高频提升平面分辨率但穿透能力降低,探头按封装厚度和目标界面深度配置,样品资料:提交器件型号、层序、回流记录、电性现象、关注界面和失效坐标。

闸门设置

每个声程门对应特定界面,门起止位置、检波方式和回波极性随原始波形保存,测量位置:声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层,异常区复扫确认。

耦合状态

表面气泡、粗糙度和倾斜会形成假缺陷,扫描前排气并检查正常区回波连续性,对照数据:将异常器件与同型号良品按相同探头和声程门比较分层与空洞面积。

结构解释

金属、硅、塑封料和胶层的声阻抗差异决定回波,异常图与器件层序共同定位,结果解释:强回波与相位反转结合A扫波形和器件层序判读,表面耦合伪影先行排除。

02

适用产品与样品

芯片封装分层与空洞检测适用于以下产品、样品及技术问题。

适用产品和常见问题

  • 分层与空洞:依据强回波、相位反转和连续区域分割界面脱层与内部空洞,统计面积占比,结果用于无损成像封装分层与空洞,给出界面位置、面积占比和批次分布
  • C扫描成像:在选定声程门内逐点绘制回波幅度或极性图,展示同一深度界面的缺陷分布,测量位置按以下方式布置:声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层,异常区复扫确认
  • 检测对象:塑封芯片、功率模块、倒装封装和带底填胶的封装器件
  • 测量位置:声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层,异常区复扫确认
  • 数据判读:无损成像封装分层与空洞,给出界面位置、面积占比和批次分布
03

送样前需要准备什么

送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。

  1. 01

    样品形式:塑封芯片、功率模块、倒装封装和带底填胶的封装器件

  2. 02

    制样与装夹:确认声入射面并排除表面气泡,水程和焦点对准目标界面

  3. 03

    随样资料:提交器件型号、层序、回流记录、电性现象、关注界面和失效坐标

  4. 04

    对照样品:将异常器件与同型号良品按相同探头和声程门比较分层与空洞面积

  5. 05

    位置记录:声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层,异常区复扫确认

准备资料样品和资料要求

样品形式:塑封芯片、功率模块、倒装封装和带底填胶的封装器件 制样与装夹:确认声入射面并排除表面气泡,水程和焦点对准目标界面 随样资料:提交器件型号、层序、回流记录、电性现象、关注界面和失效坐标 对照样品:将异常器件与同型号良品按相同探头和声程门比较分层与空洞面积 位置记录:声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层,异常区复扫确认

项目结果本页列出的结果内容

芯片封装分层与空洞检测技术报告及主要结论 分层与空洞C扫图、典型A扫波形、B扫截面及面积统计 原始资料:分层与空洞数据;提交器件型号、层序、回流记录、电性现象、关注界面和失效坐标 位置资料:声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层,异常区复扫确认 对照资料:将异常器件与同型号良品按相同探头和声程门比较分层与空洞面积

04

检测项目

01

分层与空洞

依据强回波、相位反转和连续区域分割界面脱层与内部空洞,统计面积占比,采集区域:声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层,异常区复扫确认。

02

C扫描成像

在选定声程门内逐点绘制回波幅度或极性图,展示同一深度界面的缺陷分布,对照组合:将异常器件与同型号良品按相同探头和声程门比较分层与空洞面积。

03

A扫描波形

保存典型正常点和异常点时域回波,用于判断界面顺序、回波极性及异常深度,样品资料:提交器件型号、层序、回流记录、电性现象、关注界面和失效坐标。

04

B扫描截面

沿目标线生成声学截面,观察分层、空洞或裂纹在厚度方向的位置,数据判读:强回波与相位反转结合A扫波形和器件层序判读,表面耦合伪影先行排除。

05

批次筛查

固定探头频率、闸门和增益对同型号器件成批扫描,形成异常件编号和位置图,应用方向:无损成像封装分层与空洞,给出界面位置、面积占比和批次分布。

05

检测方法和流程

受理前需要确认什么受理前需确认对象、样品状态、方法适用性和实施条件;具体检测范围、进度与报告要求以双方确认的方案为准。
06

检测标准和方法

以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定,需结合对象、条件和委托要求确认。

2 项标准共列出 2 项标准与方法。

共 2 项

GB/T 4937.35-2024中国标准半导体器件 机械和气候试验方法 第35部分:塑封电子元器件的声学显微镜检查GB/T 4937.35-2024用于芯片封装分层与空洞检测中的塑封电子元器件分层、裂纹、空洞和封装内部异常声学成像。国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 · 现行/Published · 查看发布机构来源
IEC 60749-35:2006国际标准Semiconductor devices — Mechanical and climatic test methods — Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic componentsIEC 60749-35:2006用于芯片封装分层与空洞检测中的塑封电子元器件分层、裂纹、空洞和封装内部异常声学成像。International Electrotechnical Commission · 现行/Published · 查看发布机构来源
07

报告和检测数据

芯片封装分层与空洞检测技术报告及主要结论
分层与空洞C扫图、典型A扫波形、B扫截面及面积统计
原始资料:分层与空洞数据;提交器件型号、层序、回流记录、电性现象、关注界面和失效坐标
位置资料:声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层,异常区复扫确认
对照资料:将异常器件与同型号良品按相同探头和声程门比较分层与空洞面积
常见报告用途
无损成像封装分层与空洞,给出界面位置、面积占比和批次分布芯片封装分层与空洞检测数据积累:提交器件型号、层序、回流记录、电性现象、关注界面和失效坐标复测与取样导航:声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层,异常区复扫确认工艺与状态比较:将异常器件与同型号良品按相同探头和声程门比较分层与空洞面积
检测结果说明

芯片封装分层与空洞检测结果单个视场对应具体测区,整批和整体结构增加代表性测点;三维结构采用三维方法评价,并记录制样、真空、束流和图像阈值

芯片封装分层与空洞检测结果观察结果与实际取样位置和视场对应;三维结构采用三维方法评价,图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。

芯片封装分层与空洞检测结果对应实际收到的样品、采用的扫描声学显微镜 C-SAM条件和数据处理方法;样品或参数改变后按新条件复核可比性

仪器测试交付测量数据和技术说明;整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施

08

常见问题

01芯片封装分层与空洞检测的分层与空洞结果图包含什么?

依据强回波、相位反转和连续区域分割界面脱层与内部空洞,统计面积占比,无损成像封装分层与空洞,给出界面位置、面积占比和批次分布。

02芯片封装分层与空洞检测的分层与空洞适用哪些送样形式?

塑封芯片、功率模块、倒装封装和带底填胶的封装器件,确认声入射面并排除表面气泡,水程和焦点对准目标界面。

03芯片封装分层与空洞检测的分层与空洞制样信息怎样记录?

确认声入射面并排除表面气泡,水程和焦点对准目标界面,提交器件型号、层序、回流记录、电性现象、关注界面和失效坐标。

04芯片封装分层与空洞检测的分层与空洞对照基准样怎样设置?

将异常器件与同型号良品按相同探头和声程门比较分层与空洞面积,探头、焦点、增益、声程门和扫描步长保持一致。

05芯片封装分层与空洞检测的分层与空洞重点位置如何选择?

声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层,异常区复扫确认,确认声入射面并排除表面气泡,水程和焦点对准目标界面。

06芯片封装分层与空洞检测的分层与空洞参数怎样形成记录?

强回波与相位反转结合A扫波形和器件层序判读,表面耦合伪影先行排除,探头、焦点、增益、声程门和扫描步长保持一致。

07芯片封装分层与空洞检测的分层与空洞会提供哪些数据文件?

分层与空洞C扫图、典型A扫波形、B扫截面及面积统计,提交器件型号、层序、回流记录、电性现象、关注界面和失效坐标。

08芯片封装分层与空洞检测的分层与空洞结果如何用于改进?

无损成像封装分层与空洞,给出界面位置、面积占比和批次分布,将异常器件与同型号良品按相同探头和声程门比较分层与空洞面积。

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