检测范围
芯片封装分层与空洞检测主要检测分层与空洞、C扫描成像，服务对象包括分层与空洞：依据强回波、相位反转和连续区域分割界面脱层与内部空洞，统计面积占比，结果用于无损成像封装分层与空洞，给出界面位置、面积占比和批次分布、C扫描成像：在选定声程门内逐点绘制回波幅度或极性图，覆盖来样登记、检测实施和报告交付。
分层与空洞
依据强回波、相位反转和连续区域分割界面脱层与内部空洞，统计面积占比，采集区域：声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层，异常区复扫确认。
分层与空洞：依据强回波、相位反转和连续区域分割界面脱层与内部空洞，统计面积占比，结果用于无损成像封装分层与空洞，给出界面位置、面积占比和批次分布
C扫描成像：在选定声程门内逐点绘制回波幅度或极性图，展示同一深度界面的缺陷分布，测量位置按以下方式布置：声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层，异常区复扫确认
样品、目标参数和报告用途
样品形式：塑封芯片、功率模块、倒装封装和带底填胶的封装器件
芯片封装分层与空洞检测检测报告 + 检测数据与图表
芯片封装分层与空洞检测技术报告及主要结论
项目技术要点
实施流程
1. 核对封装层序与目标界面，选择探头频率和声程门；2. 调整水程、焦点、增益并检查正常区回波；3. 采集目标界面的A扫、C扫和必要的B扫；4. 对分层或空洞区域进行门位复扫和面积测量；5. 交付声学图、典型波形、缺陷面积和器件坐标
频率选择
高频提升平面分辨率但穿透能力降低，探头按封装厚度和目标界面深度配置，样品资料：提交器件型号、层序、回流记录、电性现象、关注界面和失效坐标。
闸门设置
每个声程门对应特定界面，门起止位置、检波方式和回波极性随原始波形保存，测量位置：声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层，异常区复扫确认。
耦合状态
表面气泡、粗糙度和倾斜会形成假缺陷，扫描前排气并检查正常区回波连续性，对照数据：将异常器件与同型号良品按相同探头和声程门比较分层与空洞面积。
结构解释
金属、硅、塑封料和胶层的声阻抗差异决定回波，异常图与器件层序共同定位，结果解释：强回波与相位反转结合A扫波形和器件层序判读，表面耦合伪影先行排除。
适用产品与样品
芯片封装分层与空洞检测适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品与技术问题
- 分层与空洞：依据强回波、相位反转和连续区域分割界面脱层与内部空洞，统计面积占比，结果用于无损成像封装分层与空洞，给出界面位置、面积占比和批次分布
- C扫描成像：在选定声程门内逐点绘制回波幅度或极性图，展示同一深度界面的缺陷分布，测量位置按以下方式布置：声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层，异常区复扫确认
- 检测对象：塑封芯片、功率模块、倒装封装和带底填胶的封装器件
- 测量位置：声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层，异常区复扫确认
- 数据判读：无损成像封装分层与空洞，给出界面位置、面积占比和批次分布
样品与委托资料
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：塑封芯片、功率模块、倒装封装和带底填胶的封装器件
- 02
制样与装夹：确认声入射面并排除表面气泡，水程和焦点对准目标界面
- 03
随样资料：提交器件型号、层序、回流记录、电性现象、关注界面和失效坐标
- 04
对照样品：将异常器件与同型号良品按相同探头和声程门比较分层与空洞面积
- 05
位置记录：声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层，异常区复扫确认
样品形式：塑封芯片、功率模块、倒装封装和带底填胶的封装器件。样品量包含制样损耗、平行样和留样需求。
芯片封装分层与空洞检测列明样品、项目、方法、开始时间与报告交付日期，并同步安排复杂前处理和多模块测试。
主要提供芯片封装分层与空洞检测技术报告及主要结论、分层与空洞C扫图、典型A扫波形、B扫截面及面积统计，其他数据和附件在委托单中列明。
收样、制样、测试、数据复核和报告输出由项目负责人统一衔接。
检测项目
分层与空洞
依据强回波、相位反转和连续区域分割界面脱层与内部空洞，统计面积占比，采集区域：声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层，异常区复扫确认。
C扫描成像
在选定声程门内逐点绘制回波幅度或极性图，展示同一深度界面的缺陷分布，对照组合：将异常器件与同型号良品按相同探头和声程门比较分层与空洞面积。
A扫描波形
保存典型正常点和异常点时域回波，用于判断界面顺序、回波极性及异常深度，样品资料：提交器件型号、层序、回流记录、电性现象、关注界面和失效坐标。
B扫描截面
沿目标线生成声学截面，观察分层、空洞或裂纹在厚度方向的位置，数据判读：强回波与相位反转结合A扫波形和器件层序判读，表面耦合伪影先行排除。
批次筛查
固定探头频率、闸门和增益对同型号器件成批扫描，形成异常件编号和位置图，应用方向：无损成像封装分层与空洞，给出界面位置、面积占比和批次分布。
检测方法与实施流程
检测需求
围绕芯片封装分层与空洞检测列明样品、目标参数、方法标准和报告用途。
样品登记
样品形式：塑封芯片、功率模块、倒装封装和带底填胶的封装器件
完成前处理或制样
根据芯片封装分层与空洞检测和分层与空洞、C扫描成像的测试条件处理样品。
完成仪器测试
使用芯片封装分层与空洞检测按规定参数完成分层与空洞、C扫描成像和过程质量控制。
复核检测数据
重点检查分层与空洞、C扫描成像对应的图谱、曲线、图像或数据表。
交付报告和附件
提供芯片封装分层与空洞检测技术报告及主要结论、分层与空洞C扫图、典型A扫波形、B扫截面及面积统计及约定附件。
标准与方法依据
以下列出芯片封装分层与空洞检测采用的正式标准与执行依据，包含标准编号、适用项目和发布来源。
共 2 项
报告与交付内容
报告列明实际样品、检测方法、测试条件、结果和约定附件。
报告同步提供质量控制、数据复核和判定依据等项目记录。
样品、批次、工况或标准发生变化时，按新条件开展补充检测。
报告支持CMA/CNAS标识、合格判定及英文版本，相关要求可在需求表中注明。常见问题
01芯片封装分层与空洞检测的分层与空洞结果图包含什么？
依据强回波、相位反转和连续区域分割界面脱层与内部空洞，统计面积占比，无损成像封装分层与空洞，给出界面位置、面积占比和批次分布。
02芯片封装分层与空洞检测的分层与空洞适用哪些送样形式？
塑封芯片、功率模块、倒装封装和带底填胶的封装器件，确认声入射面并排除表面气泡，水程和焦点对准目标界面。
03芯片封装分层与空洞检测的分层与空洞制样信息怎样记录？
确认声入射面并排除表面气泡，水程和焦点对准目标界面，提交器件型号、层序、回流记录、电性现象、关注界面和失效坐标。
04芯片封装分层与空洞检测的分层与空洞对照基准样怎样设置？
将异常器件与同型号良品按相同探头和声程门比较分层与空洞面积，探头、焦点、增益、声程门和扫描步长保持一致。
05芯片封装分层与空洞检测的分层与空洞重点位置如何选择？
声程门分别覆盖芯片粘接层、底填界面和焊接层，异常区复扫确认，确认声入射面并排除表面气泡，水程和焦点对准目标界面。
06芯片封装分层与空洞检测的分层与空洞参数怎样形成记录？
强回波与相位反转结合A扫波形和器件层序判读，表面耦合伪影先行排除，探头、焦点、增益、声程门和扫描步长保持一致。
07芯片封装分层与空洞检测的分层与空洞会提供哪些数据文件？
分层与空洞C扫图、典型A扫波形、B扫截面及面积统计，提交器件型号、层序、回流记录、电性现象、关注界面和失效坐标。
08芯片封装分层与空洞检测的分层与空洞结果如何用于改进？
无损成像封装分层与空洞，给出界面位置、面积占比和批次分布，将异常器件与同型号良品按相同探头和声程门比较分层与空洞面积。