本页说明
IEC 60749-35:2006《Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components》由国际电工委员会发布，适用于芯片封装分层与空洞检测、粘接界面与焊点声学成像、器件进水、气泡与内部缺陷、封装失效定位与批次筛查，标准关系覆盖样品信息、仪器条件、数据处理和结果记录。
适用对象与条件
- IEC 60749-35:2006用于芯片封装分层与空洞检测中的塑封电子元器件分层、裂纹、空洞和封装内部异常声学成像。
- IEC 60749-35:2006用于粘接界面与焊点声学成像中的塑封电子元器件分层、裂纹、空洞和封装内部异常声学成像。
- IEC 60749-35:2006用于器件进水、气泡与内部缺陷中的塑封电子元器件分层、裂纹、空洞和封装内部异常声学成像。
- IEC 60749-35:2006用于封装失效定位与批次筛查中的塑封电子元器件分层、裂纹、空洞和封装内部异常声学成像。
- 芯片封装分层与空洞检测的标准方法实施与数据记录
- 粘接界面与焊点声学成像的标准方法实施与数据记录
- 器件进水、气泡与内部缺陷的标准方法实施与数据记录
- 封装失效定位与批次筛查的标准方法实施与数据记录
主要要求与方法
IEC 60749-35
IEC 60749-35:2006《Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components》在芯片封装分层与空洞检测、粘接界面与焊点声学成像、器件进水、气泡与内部缺陷、封装失效定位与批次筛查中按具体对象落实方法步骤和技术参数
取样与样品处理
登记样品、制样过程、仪器型号、测量程序和实际采集参数
质量控制
关联校准核查、标准样或对照样、原始图谱、图像、曲线及计算过程
补充质量控制
按IEC 60749-35:2006整理质量控制、重复结果、数据处理过程和报告记录
方法、条件与注意事项
标准概况
IEC 60749-35:2006《Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components》由国际电工委员会发布，适用于芯片封装分层与空洞检测、粘接界面与焊点声学成像、器件进水、气泡与内部缺陷、封装失效定位与批次筛查，标准关系覆盖样品信息、仪器条件、数据处理和结果记录。
技术应用
- IEC 60749-35:2006用于芯片封装分层与空洞检测中的塑封电子元器件分层、裂纹、空洞和封装内部异常声学成像。 - IEC 60749-35:2006用于粘接界面与焊点声学成像中的塑封电子元器件分层、裂纹、空洞和封装内部异常声学成像。 - IEC 60749-35:2006用于器件进水、气泡与内部缺陷中的塑封电子元器件分层、裂纹、空洞和封装内部异常声学成像。 - IEC 60749-35:2006用于封装失效定位与批次筛查中的塑封电子元器件分层、裂纹、空洞和封装内部异常声学成像。
相关仪器项目
IEC 60749-35:2006关联以下仪器测试项目： - [芯片封装分层与空洞检测](/services/instrument-testing/morphology-imaging/scanning-acoustic-microscopy-c-sam/package-delamination-and-void-detection) - [粘接界面与焊点声学成像](/services/instrument-testing/morphology-imaging/scanning-acoustic-microscopy-c-sam/bond-interface-and-joint-acoustic-imaging) - [器件进水、气泡与内部缺陷](/services/instrument-testing/morphology-imaging/scanning-acoustic-microscopy-c-sam/moisture-bubble-and-internal-defect-detection) - [封装失效定位与批次筛查](/services/instrument-testing/morphology-imaging/scanning-acoustic-microscopy-c-sam/package-failure-location-and-batch-screening)
方法实施与原始记录
芯片封装分层与空洞检测、粘接界面与焊点声学成像、器件进水、气泡与内部缺陷、封装失效定位与批次筛查按IEC 60749-35:2006记录样品与制样信息、仪器型号、测量程序、实际采集参数、校准核查、原始数据和计算结果。
样品与项目信息
提交样品名称、材质或组成、型号、批次、数量、取样位置和报告用途；标明IEC 60749-35:2006项目的待测参数、样品状态和已有技术资料；按Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components对应对象完成样品包装、标识、保存和运输；将样品编号与批次、取样位置、前处理记录和报告用途逐项对应。样品编号与测量位置、前处理过程、批次和原始记录保持对应。
数据与质量控制
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components的数据质量控制围绕芯片封装分层与空洞检测、粘接界面与焊点声学成像、器件进水、气泡与内部缺陷、封装失效定位与批次筛查展开：光谱、图像、曲线或数值结果分别归档，并按IEC 60749-35:2006关联仪器状态、校准核查、标准样、平行样、重复结果和项目原始数据。
报告与交付
IEC 60749-35:2006《Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components》实施信息与芯片封装分层与空洞检测、粘接界面与焊点声学成像、器件进水、气泡与内部缺陷、封装失效定位与批次筛查实测结果；样品信息、仪器条件、测量参数和质量控制记录；原始光谱、图像、曲线或数值结果及报告结论；IEC 60749-35:2006项目的数据处理、重复结果和标准应用记录。报告标明IEC 60749-35:2006《Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components》、实际仪器项目、样品信息、方法条件和实测结果。
官方来源
国际电工委员会发布了IEC 60749-35:2006《Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components》，[查看该标准的官方发布记录](https://webstore.iec.ch/en/publication/3382)。
需要结合哪些资料
- IEC 60749-35:2006对应的代表性样品、批次样品和指定测量位置；芯片封装分层与空洞检测、粘接界面与焊点声学成像、器件进水、气泡与内部缺陷、封装失效定位与批次筛查对应的代表性样品、平行样、对照样和项目资料
参考依据与来源
IEC 60749-35:2006《Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components》由国际电工委员会发布。
标准编号：IEC 60749-35:2006；标准名称：Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components；发布机构：国际电工委员会。
国际电工委员会结果怎样使用
- IEC 60749-35:2006《Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components》实施信息与芯片封装分层与空洞检测、粘接界面与焊点声学成像、器件进水、气泡与内部缺陷、封装失效定位与批次筛查实测结果
- 样品信息、仪器条件、测量参数和质量控制记录
- 原始光谱、图像、曲线或数值结果及报告结论
- IEC 60749-35:2006项目的数据处理、重复结果和标准应用记录
使用结果时需要结合的事项
- 芯片封装分层与空洞检测、粘接界面与焊点声学成像、器件进水、气泡与内部缺陷、封装失效定位与批次筛查的方法实施记录；Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components对应的研发与质量控制；IEC 60749-35:2006项目的批次比较与结果复核
标准使用常见问题
01IEC 60749-35:2006 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components包括哪些检测内容？
IEC 60749-35:2006 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components的主要内容包括IEC 60749-35:2006《Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components》在芯片封装分层与空洞检测、粘接界面与焊点声学成像、器件进水、气泡与内部缺陷、封装失效定位与批次筛查中按具体对象落实方法步骤和技术参数。 IEC 60749-35:2006 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components项目表按样品形态、目标参数和报告用途列出测量项目、测试条件、重复次数、质量控制及数据处理要求。
02IEC 60749-35:2006 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components需要提供哪些样品和资料？
送样包括IEC 60749-35:2006对应的代表性样品、批次样品和指定测量位置，并按批次、状态和取样位置分别编号。 IEC 60749-35:2006 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components样品清单标明名称、型号、批次、取样位置、数量、状态、保存条件和处理历史，对比项目同时提交正常样、异常样或不同批次样。
03IEC 60749-35:2006 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components采用什么标准和方法？
主要依据为IEC 60749-35:2006，检测方法包括IEC 60749-35:2006《Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components》在芯片封装分层与空洞检测、粘接界面与焊点声学成像、器件进水、气泡与内部缺陷、封装失效定位与批次筛查中按具体对象落实方法步骤和技术参数。 IEC 60749-35:2006 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components委托确认单记录标准编号、版本、产品规范、样品条件和判定要求，多种方法联合使用时分别记录原始数据和质量控制。
04IEC 60749-35:2006 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components报告包含哪些内容？
主要交付IEC 60749-35:2006《Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components》实施信息与芯片封装分层与空洞检测、粘接界面与焊点声学成像、器件进水、气泡与内部缺陷、封装失效定位与批次筛查实测结果，内容包含样品、方法、数据和判定依据。 IEC 60749-35:2006 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components报告列明样品、方法、条件、实测数据、计算结果和判定依据，可用于芯片封装分层与空洞检测、粘接界面与焊点声学成像、器件进水、气泡与内部缺陷、封装失效定位与批次筛查的方法实施记录，图谱、照片、原始数据或英文信息按委托要求附入。