检测范围
二次电子形貌成像 SE主要检测二次电子成像、背散射成像，服务对象包括二次电子成像：以SE信号记录表面起伏、颗粒边缘、断口韧窝和微裂纹等精细形貌，结果用于通过二次电子信号记录表面起伏、断裂特征等、背散射成像：通过BSE原子序数衬度区分不同成分区域、夹杂相、偏析和界面反应产物，测量位置按以下方式布置：从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘等，覆盖来样登记、检测实施和报告交付。
二次电子成像
以SE信号记录表面起伏、颗粒边缘、断口韧窝和微裂纹等精细形貌，采集区域：从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征。
二次电子成像：以SE信号记录表面起伏、颗粒边缘、断口韧窝和微裂纹等精细形貌，结果用于通过二次电子信号记录表面起伏、断裂特征、微裂纹和颗粒轮廓
背散射成像：通过BSE原子序数衬度区分不同成分区域、夹杂相、偏析和界面反应产物，测量位置按以下方式布置：从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征
样品、目标参数和报告用途
样品形式：清洁干燥的材料表面、断口、颗粒固定样和保留目标区域的截面
二次电子形貌成像 SE检测报告 + 检测数据与图表
二次电子形貌成像 SE技术报告及主要结论
项目技术要点
实施流程
1. 拍摄样品全貌并把目标区域转换为电镜载台坐标；2. 完成导电固定、真空检查和SE探测器成像参数设置；3. 从低倍导航到高倍连续采集二次电子形貌图；4. 标注特征尺寸、断裂形貌和代表视场，必要位置辅以单点成分识别；5. 整理倍率链、SE原图、测量标注和成像条件
导电处理
非导电样品采用低真空或薄层导电镀膜，能谱分析记录镀层元素以免误判，样品资料：记录样品方向、断口来源、目标坐标、加速电压、工作距离、探测器和镀层材料。
作用体积
电子束在样品内具有有限作用体积，颗粒小于作用体积时能谱包含基体信号，测量位置：从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征。
几何一致
倾角、工作距离和探测器遮挡会影响X射线计数，批次比较采用一致装样几何，对照数据：使用相同倍率和成像条件比较代表区、异常区及相邻完整区域的表面形貌。
适用产品与样品
二次电子形貌成像 SE适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品与技术问题
- 二次电子成像：以SE信号记录表面起伏、颗粒边缘、断口韧窝和微裂纹等精细形貌，结果用于通过二次电子信号记录表面起伏、断裂特征、微裂纹和颗粒轮廓
- 背散射成像：通过BSE原子序数衬度区分不同成分区域、夹杂相、偏析和界面反应产物，测量位置按以下方式布置：从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征
- 检测对象：清洁干燥的材料表面、断口、颗粒固定样和保留目标区域的截面
- 测量位置：从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征
- 数据判读：通过二次电子信号记录表面起伏、断裂特征、微裂纹和颗粒轮廓
样品与委托资料
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：清洁干燥的材料表面、断口、颗粒固定样和保留目标区域的截面
- 02
制样与装夹：样品牢固导电连接，非导电表面采用低真空或记录导电镀层后再成像
- 03
随样资料：记录样品方向、断口来源、目标坐标、加速电压、工作距离、探测器和镀层材料
- 04
对照样品：使用相同倍率和成像条件比较代表区、异常区及相邻完整区域的表面形貌
- 05
位置记录：从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征
样品形式：清洁干燥的材料表面、断口、颗粒固定样和保留目标区域的截面。样品量包含制样损耗、平行样和留样需求。
二次电子形貌成像 SE列明样品、项目、方法、开始时间与报告交付日期，并同步安排复杂前处理和多模块测试。
主要提供二次电子形貌成像 SE技术报告及主要结论、二次电子低倍定位图、高倍形貌图、尺寸标注、测区坐标和成像参数，其他数据和附件在委托单中列明。
收样、制样、测试、数据复核和报告输出由项目负责人统一衔接。
检测项目
二次电子成像
以SE信号记录表面起伏、颗粒边缘、断口韧窝和微裂纹等精细形貌，采集区域：从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征。
背散射成像
通过BSE原子序数衬度区分不同成分区域、夹杂相、偏析和界面反应产物，对照组合：使用相同倍率和成像条件比较代表区、异常区及相邻完整区域的表面形貌。
失效位置关联
将宏观失效位置、截面层序、SEM形貌和EDS成分按同一坐标链路对应，样品资料：记录样品方向、断口来源、目标坐标、加速电压、工作距离、探测器和镀层材料。
EDS点分析
对指定颗粒或相区采集能谱，给出检出元素与半定量质量分数或原子分数，数据判读：充电、污染、边缘增强和倾斜造成的衬度变化通过重复成像与参数记录识别。
导电处理
非导电样品采用低真空或薄层导电镀膜，能谱分析记录镀层元素以免误判，并结合充电、污染、边缘增强和倾斜造成的衬度变化通过重复成像与参数记录识别。
检测方法与实施流程
检测需求
围绕二次电子形貌成像 SE列明样品、目标参数、方法标准和报告用途。
样品登记
样品形式：清洁干燥的材料表面、断口、颗粒固定样和保留目标区域的截面
完成前处理或制样
根据二次电子形貌成像 SE和二次电子成像、背散射成像的测试条件处理样品。
完成仪器测试
使用二次电子形貌成像 SE按规定参数完成二次电子成像、背散射成像和过程质量控制。
复核检测数据
重点检查二次电子成像、背散射成像对应的图谱、曲线、图像或数据表。
交付报告和附件
提供二次电子形貌成像 SE技术报告及主要结论、二次电子低倍定位图、高倍形貌图、尺寸标注、测区坐标和成像参数及约定附件。
标准与方法依据
以下列出二次电子形貌成像 SE采用的正式标准与执行依据，包含标准编号、适用项目和发布来源。
共 1 项
报告与交付内容
报告列明实际样品、检测方法、测试条件、结果和约定附件。
报告同步提供质量控制、数据复核和判定依据等项目记录。
样品、批次、工况或标准发生变化时，按新条件开展补充检测。
报告支持CMA/CNAS标识、合格判定及英文版本，相关要求可在需求表中注明。常见问题
01二次电子形貌成像 SE的二次电子成像结果项有哪些？
以SE信号记录表面起伏、颗粒边缘、断口韧窝和微裂纹等精细形貌，通过二次电子信号记录表面起伏、断裂特征、微裂纹和颗粒轮廓。
02二次电子形貌成像 SE的二次电子成像检测对象包括哪些样品？
清洁干燥的材料表面、断口、颗粒固定样和保留目标区域的截面，样品牢固导电连接，非导电表面采用低真空或记录导电镀层后再成像。
03二次电子形貌成像 SE的二次电子成像样品状态怎样处理？
样品牢固导电连接，非导电表面采用低真空或记录导电镀层后再成像，记录样品方向、断口来源、目标坐标、加速电压、工作距离、探测器和镀层材料。
04二次电子形貌成像 SE的二次电子成像样品间怎样做对比？
使用相同倍率和成像条件比较代表区、异常区及相邻完整区域的表面形貌，加速电压、工作距离、探测器和能谱采集条件保持一致。
05二次电子形貌成像 SE的二次电子成像测区范围怎样记录？
从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征，样品牢固导电连接，非导电表面采用低真空或记录导电镀层后再成像。
06二次电子形貌成像 SE的二次电子成像测量质量怎样评价？
充电、污染、边缘增强和倾斜造成的衬度变化通过重复成像与参数记录识别，加速电压、工作距离、探测器和能谱采集条件保持一致。
07二次电子形貌成像 SE的二次电子成像报告附件包含什么？
交付二次电子低倍定位图、高倍形貌图、尺寸标注、测区坐标和成像参数，记录样品方向、断口来源、目标坐标、加速电压、工作距离、探测器和镀层材料。
08二次电子形貌成像 SE的二次电子成像如何用于产品评价？
通过二次电子信号记录表面起伏、断裂特征、微裂纹和颗粒轮廓，使用相同倍率和成像条件比较代表区、异常区及相邻完整区域的表面形貌。