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物相与晶体结构仪器测试技术服务场景

INSTRUMENTAL ANALYSIS DIRECTORY

物相与晶体结构

分析晶相、晶型、结晶度、晶格和取向。 服务目录包括下属专业方向、具体项目、实施流程和交付内容。

服务范围帮助客户围绕物相与晶体结构按样品基体、观察尺度、目标参数和检出要求选择仪器与制样方法。

按产品、样品、现场条件和报告用途选择专业方向及具体服务。

仪器测试 · 分类说明

服务范围

各专业方向列明业务范围、具体项目、委托准备和交付内容。

分析晶相、晶型、结晶度、晶格和取向。 服务目录包括下属专业方向、具体项目、实施流程和交付内容。 该范围具体分为粉末X射线衍射 XRD、掠入射XRD GIXRD、单晶XRD、小角X射线散射 SAXS等12个方向，各方向对应完整项目说明。

根据样品状态、目标参数、分辨率、检出限和数据用途，选择合适的仪器、制样与解析方案。 不同产品、样品、现场和目标市场分别配置项目组合、标准版本、样品量和报告用途。

本分类包括48个具体项目，每项均列明适用范围、方法、样品要求和交付内容。

12个专业方向
48项具体服务
4项项目准备步骤
6类常见交付内容
专业分类

12 个专业方向

每个专业方向都列明业务范围，并提供可直接查看的具体服务项目。

03

单晶XRD

Single-crystal XRD

单晶XRD可作为单项表征，也可与互补方法组合，用不同证据回答组成、结构或性能问题。

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具体服务

服务项目

选择项目后，可继续查看适用范围、样品要求、方法标准、交付内容和常见问题。

粉末X射线衍射 XRD物相定性分析物相定性分析用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据粉末X射线衍射 XRD方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 粉末X射线衍射 XRDRietveld物相定量与精修Rietveld物相定量与精修用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据粉末X射线衍射 XRD方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是给出可追溯的定量结果，并说明校准范围、检出能力、重复性和基体影响；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 粉末X射线衍射 XRD结晶度、晶粒尺寸与微应变结晶度、晶粒尺寸与微应变用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据粉末X射线衍射 XRD方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 粉末X射线衍射 XRD变温、湿度与气氛XRD变温、湿度与气氛XRD用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据粉末X射线衍射 XRD方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是记录样品在受控外场或真实近似工况下随时间发生的结构、组成或性能变化；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 掠入射XRD GIXRD粉末、矿物与无机材料掠入射XRD GIXRD粉末、矿物与无机材料掠入射XRD GIXRD用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据掠入射XRD GIXRD方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 掠入射XRD GIXRD金属、陶瓷与晶体材料掠入射XRD GIXRD金属、陶瓷与晶体材料掠入射XRD GIXRD用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据掠入射XRD GIXRD方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 掠入射XRD GIXRD薄膜、涂层与半导体材料掠入射XRD GIXRD薄膜、涂层与半导体材料掠入射XRD GIXRD用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据掠入射XRD GIXRD方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 掠入射XRD GIXRD电池、催化与能源材料掠入射XRD GIXRD电池、催化与能源材料掠入射XRD GIXRD用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据掠入射XRD GIXRD方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 单晶XRD粉末、矿物与无机材料单晶XRD粉末、矿物与无机材料单晶XRD用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据单晶XRD方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 单晶XRD金属、陶瓷与晶体材料单晶XRD金属、陶瓷与晶体材料单晶XRD用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据单晶XRD方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 单晶XRD薄膜、涂层与半导体材料单晶XRD薄膜、涂层与半导体材料单晶XRD用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据单晶XRD方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 单晶XRD电池、催化与能源材料单晶XRD电池、催化与能源材料单晶XRD用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据单晶XRD方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 小角X射线散射 SAXS粉末、矿物与无机材料小角X射线散射 SAXS粉末、矿物与无机材料小角X射线散射 SAXS用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据小角X射线散射 SAXS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 小角X射线散射 SAXS金属、陶瓷与晶体材料小角X射线散射 SAXS金属、陶瓷与晶体材料小角X射线散射 SAXS用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据小角X射线散射 SAXS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 小角X射线散射 SAXS薄膜、涂层与半导体材料小角X射线散射 SAXS薄膜、涂层与半导体材料小角X射线散射 SAXS用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据小角X射线散射 SAXS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 小角X射线散射 SAXS电池、催化与能源材料小角X射线散射 SAXS电池、催化与能源材料小角X射线散射 SAXS用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据小角X射线散射 SAXS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 广角X射线散射 WAXS粉末、矿物与无机材料广角X射线散射 WAXS粉末、矿物与无机材料广角X射线散射 WAXS用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据广角X射线散射 WAXS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 广角X射线散射 WAXS金属、陶瓷与晶体材料广角X射线散射 WAXS金属、陶瓷与晶体材料广角X射线散射 WAXS用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据广角X射线散射 WAXS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 广角X射线散射 WAXS薄膜、涂层与半导体材料广角X射线散射 WAXS薄膜、涂层与半导体材料广角X射线散射 WAXS用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据广角X射线散射 WAXS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 广角X射线散射 WAXS电池、催化与能源材料广角X射线散射 WAXS电池、催化与能源材料广角X射线散射 WAXS用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据广角X射线散射 WAXS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 GIWAXS与薄膜取向粉末、矿物与无机材料GIWAXS与薄膜取向粉末、矿物与无机材料GIWAXS与薄膜取向用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据GIWAXS与薄膜取向方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 GIWAXS与薄膜取向金属、陶瓷与晶体材料GIWAXS与薄膜取向金属、陶瓷与晶体材料GIWAXS与薄膜取向用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据GIWAXS与薄膜取向方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 GIWAXS与薄膜取向薄膜、涂层与半导体材料GIWAXS与薄膜取向薄膜、涂层与半导体材料GIWAXS与薄膜取向用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据GIWAXS与薄膜取向方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 GIWAXS与薄膜取向电池、催化与能源材料GIWAXS与薄膜取向电池、催化与能源材料GIWAXS与薄膜取向用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据GIWAXS与薄膜取向方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 织构、极图与摇摆曲线粉末、矿物与无机材料织构、极图与摇摆曲线粉末、矿物与无机材料织构、极图与摇摆曲线用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据织构、极图与摇摆曲线方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 织构、极图与摇摆曲线金属、陶瓷与晶体材料织构、极图与摇摆曲线金属、陶瓷与晶体材料织构、极图与摇摆曲线用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据织构、极图与摇摆曲线方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 织构、极图与摇摆曲线薄膜、涂层与半导体材料织构、极图与摇摆曲线薄膜、涂层与半导体材料织构、极图与摇摆曲线用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据织构、极图与摇摆曲线方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 织构、极图与摇摆曲线电池、催化与能源材料织构、极图与摇摆曲线电池、催化与能源材料织构、极图与摇摆曲线用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据织构、极图与摇摆曲线方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 总散射与PDF分析粉末、矿物与无机材料总散射与PDF分析粉末、矿物与无机材料总散射与PDF分析用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据总散射与PDF分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 总散射与PDF分析金属、陶瓷与晶体材料总散射与PDF分析金属、陶瓷与晶体材料总散射与PDF分析用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据总散射与PDF分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 总散射与PDF分析薄膜、涂层与半导体材料总散射与PDF分析薄膜、涂层与半导体材料总散射与PDF分析用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据总散射与PDF分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 总散射与PDF分析电池、催化与能源材料总散射与PDF分析电池、催化与能源材料总散射与PDF分析用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据总散射与PDF分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 X射线反射率 XRR薄膜厚度、密度与粗糙度薄膜厚度、密度与粗糙度用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据X射线反射率 XRR方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 X射线反射率 XRR多层膜结构与界面粗糙度多层膜结构与界面粗糙度用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据X射线反射率 XRR方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 X射线反射率 XRR晶圆与外延层XRR测量晶圆与外延层XRR测量用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据X射线反射率 XRR方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 X射线反射率 XRRXRR拟合与模型不确定度XRR拟合与模型不确定度用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据X射线反射率 XRR方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将原始谱图、图像或数值转成可复核的参数和候选结论，并清楚保留模型假设；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 高分辨XRD与倒易空间图 HRXRD/RSM外延层晶格常数与组分外延层晶格常数与组分用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据高分辨XRD与倒易空间图 HRXRD/RSM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 高分辨XRD与倒易空间图 HRXRD/RSM倒易空间图 RSM倒易空间图 RSM用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据高分辨XRD与倒易空间图 HRXRD/RSM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 高分辨XRD与倒易空间图 HRXRD/RSM摇摆曲线与马赛克度摇摆曲线与马赛克度用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据高分辨XRD与倒易空间图 HRXRD/RSM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 高分辨XRD与倒易空间图 HRXRD/RSM应变、弛豫与外延质量应变、弛豫与外延质量用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据高分辨XRD与倒易空间图 HRXRD/RSM方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 X射线残余应力分析金属表面残余应力金属表面残余应力用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据X射线残余应力分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 X射线残余应力分析焊接、机加工与热处理应力焊接、机加工与热处理应力用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据X射线残余应力分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 X射线残余应力分析喷丸、磨削与强化层应力喷丸、磨削与强化层应力用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据X射线残余应力分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 X射线残余应力分析残余应力深度梯度残余应力深度梯度用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据X射线残余应力分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 微区XRD与劳厄衍射微区物相与局部缺陷分析微区物相与局部缺陷分析用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据微区XRD与劳厄衍射方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 微区XRD与劳厄衍射晶粒取向与劳厄背反射晶粒取向与劳厄背反射用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据微区XRD与劳厄衍射方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 微区XRD与劳厄衍射小样、异物与薄层微区XRD小样、异物与薄层微区XRD用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据微区XRD与劳厄衍射方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 微区XRD与劳厄衍射XRD位置扫描与相分布XRD位置扫描与相分布用于物相组成、晶型、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、微应变、择优取向、残余应力、薄膜和外延层结构及动态相变。项目依据微区XRD与劳厄衍射方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是将缺陷、组织、颗粒或局部成分与明确位置和尺度对应起来，形成可复核的图像证据；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情
项目资料

怎样选择仪器和制样方法

物相与晶体结构按照组成、结构、形貌、性能和异常分析目标配置仪器与制样方法。

  1. 01分析目标

    列明物相与晶体结构的组成、结构、形貌、性能或异常分析目标。

  2. 02样品状态与基体

    说明固体、粉末、液体、薄膜、界面或微区，以及是否允许切割、研磨和溶解。

  3. 03尺度、含量与检出限

    列明观察尺度、目标含量、检出要求、定性或定量精度和对照样设置。

  4. 04图谱与原始数据用途

    约定报告、图片、图谱、曲线、原始数据以及后续解释或复测要求。

交付结果

报告和检测数据

报告、数据、附件及技术资料等交付内容与所选检测方法和报告用途对应。

物相与晶体结构方法与制样方案
样品状态、测试位置和关键仪器参数
图谱、图像、曲线或定量数据
质量控制、标样、空白或平行样记录
主要信号、异常特征和可比性说明
分析报告及约定的原始数据附件
常见问题

物相与晶体结构常见问题

以下回答涵盖适用对象、执行标准、样品或现场条件、报告用途等常见问题。

01物相与晶体结构具体应该选择哪个项目？

根据具体对象和项目目标，从粉末X射线衍射 XRD、掠入射XRD GIXRD、单晶XRD等12个方向等方向配置检测方法、样品数量和交付内容。

02委托物相与晶体结构前需要准备哪些信息？

资料包括产品或样品名称、型号与批次、材料或组成、图纸或标准、异常现象、使用环境、目标参数和报告用途；现场项目同时提供地点、工况和作业时间。

03多个下属方向可以一次组合委托吗？

可以。项目按照同一批样品、共同制样、前后依赖和交付用途组合，并列明每项方法、样品量、周期和报告形式。

04检测报告包含哪些内容？

检测报告列明样品信息、执行标准、检测方法、仪器条件、实测数据、结果判定和报告标识。

页面所列标准、检测条件和报告用途按现行方法文件分类展示。

检测需求

提交检测需求

填写产品、样品或现场信息、检测目标、适用标准和报告用途，技术人员据此安排对应专业与服务项目。
检测需求表提交样品和实际问题

请填写样品、设备、检测目标和报告用途；标注 * 的项目为必填项。