检测范围
外延层晶格常数与组分主要检测对称反射扫描、非对称反射扫描，服务对象包括对称反射扫描：测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，结果用于计算外延层面内与面外晶格常数、合金组分、双轴应变和弛豫度、非对称反射扫描：结合面内与面外倒易矢量分量计算面内晶格常数、组分和应变状态，覆盖来样登记、检测实施和报告交付。
对称反射扫描
测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，采集区域：在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标。
对称反射扫描：测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，结果用于计算外延层面内与面外晶格常数、合金组分、双轴应变和弛豫度
非对称反射扫描：结合面内与面外倒易矢量分量计算面内晶格常数、组分和应变状态，测量位置按以下方式布置：在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标
样品、目标参数和报告用途
样品形式：晶向明确的单晶外延片、组分系列外延层和带同体系参考样的晶圆切片
外延层晶格常数与组分检测报告 + 检测数据与图表
外延层晶格常数与组分技术报告及主要结论
项目技术要点
实施流程
1. 依据基底晶向和外延关系选定对称及非对称反射；2. 完成单色光学、样品方位和峰位基准校准；3. 采集高分辨ω-2θ扫描与目标反射倒易空间图；4. 将Qx、Qz转换为晶格常数并联立求解组分和弛豫；5. 汇总各测点层峰、组分、应变、弛豫度和计算关系
仪器分辨
单色器与分析器的分辨函数写入峰宽评价，避免把仪器展宽解释为晶体缺陷，样品资料：记录基底晶格常数、材料体系、标称组分、层厚、生长条件和退火状态。
反射选择
对称反射主要表征面外方向，非对称反射提供面内分量，两者联合完成应变分解，测量位置：在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标。
材料模型
组分计算采用对应材料体系的晶格常数与弹性常数，温度和掺杂影响纳入参数记录，对照数据：对照基底峰、已知组分参考层和不同生长条件外延层的晶格参数。
峰形处理
基底峰、层峰与卫星峰分别标注，分峰区间和背景函数随报告一并保存，结果解释：组分计算采用对应材料体系的晶格关系，基底峰与层峰分离后再进行应变求解。
适用产品与样品
外延层晶格常数与组分适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品与技术问题
- 对称反射扫描：测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，结果用于计算外延层面内与面外晶格常数、合金组分、双轴应变和弛豫度
- 非对称反射扫描：结合面内与面外倒易矢量分量计算面内晶格常数、组分和应变状态，测量位置按以下方式布置：在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标
- 检测对象：晶向明确的单晶外延片、组分系列外延层和带同体系参考样的晶圆切片
- 测量位置：在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标
- 数据判读：计算外延层面内与面外晶格常数、合金组分、双轴应变和弛豫度
样品与委托资料
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：晶向明确的单晶外延片、组分系列外延层和带同体系参考样的晶圆切片
- 02
制样与装夹：标记晶圆缺口与外延面，保持样片平整并避开崩边和表面颗粒
- 03
随样资料：记录基底晶格常数、材料体系、标称组分、层厚、生长条件和退火状态
- 04
对照样品：对照基底峰、已知组分参考层和不同生长条件外延层的晶格参数
- 05
位置记录：在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标
样品形式：晶向明确的单晶外延片、组分系列外延层和带同体系参考样的晶圆切片。样品量包含制样损耗、平行样和留样需求。
外延层晶格常数与组分列明样品、项目、方法、开始时间与报告交付日期，并同步安排复杂前处理和多模块测试。
主要提供外延层晶格常数与组分技术报告及主要结论、高分辨扫描、RSM、晶格常数、组分、面内外应变和弛豫度结果，其他数据和附件在委托单中列明。
收样、制样、测试、数据复核和报告输出由项目负责人统一衔接。
检测项目
对称反射扫描
测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，采集区域：在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标。
非对称反射扫描
结合面内与面外倒易矢量分量计算面内晶格常数、组分和应变状态，对照组合：对照基底峰、已知组分参考层和不同生长条件外延层的晶格参数。
倒易空间图
在Qx-Qz空间分离基底、外延层、缓冲层和卫星峰，展示弛豫及马赛克展宽方向，样品资料：记录基底晶格常数、材料体系、标称组分、层厚、生长条件和退火状态。
组分与应变计算
按材料体系的无应变晶格关系计算合金组分、双轴应变和弛豫度，数据判读：组分计算采用对应材料体系的晶格关系，基底峰与层峰分离后再进行应变求解。
摇摆与径向展宽
分别分析ω方向和ω-2θ方向半峰宽，区分倾斜、扭转、厚度和微应变贡献，应用方向：计算外延层面内与面外晶格常数、合金组分、双轴应变和弛豫度。
晶圆位置对比
在中心、边缘和方位点使用相同反射与步长，形成外延均匀性数据，批次控制：同一反射、单色光学、样品方位和倒易坐标换算。
检测方法与实施流程
检测需求
围绕外延层晶格常数与组分列明样品、目标参数、方法标准和报告用途。
样品登记
样品形式：晶向明确的单晶外延片、组分系列外延层和带同体系参考样的晶圆切片
完成前处理或制样
根据外延层晶格常数与组分和对称反射扫描、非对称反射扫描的测试条件处理样品。
完成仪器测试
使用外延层晶格常数与组分按规定参数完成对称反射扫描、非对称反射扫描和过程质量控制。
复核检测数据
重点检查对称反射扫描、非对称反射扫描对应的图谱、曲线、图像或数据表。
交付报告和附件
提供外延层晶格常数与组分技术报告及主要结论、高分辨扫描、RSM、晶格常数、组分、面内外应变和弛豫度结果及约定附件。
标准与方法依据
以下列出外延层晶格常数与组分采用的正式标准与执行依据，包含标准编号、适用项目和发布来源。
共 1 项
报告与交付内容
报告列明实际样品、检测方法、测试条件、结果和约定附件。
报告同步提供质量控制、数据复核和判定依据等项目记录。
样品、批次、工况或标准发生变化时，按新条件开展补充检测。
报告支持CMA/CNAS标识、合格判定及英文版本，相关要求可在需求表中注明。常见问题
01外延层晶格常数与组分的对称反射扫描结果项有哪些？
测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，计算外延层面内与面外晶格常数、合金组分、双轴应变和弛豫度。
02外延层晶格常数与组分的对称反射扫描检测对象包括哪些样品？
晶向明确的单晶外延片、组分系列外延层和带同体系参考样的晶圆切片，标记晶圆缺口与外延面，保持样片平整并避开崩边和表面颗粒。
03外延层晶格常数与组分的对称反射扫描样品状态怎样处理？
标记晶圆缺口与外延面，保持样片平整并避开崩边和表面颗粒，记录基底晶格常数、材料体系、标称组分、层厚、生长条件和退火状态。
04外延层晶格常数与组分的对称反射扫描样品间怎样做对比？
对照基底峰、已知组分参考层和不同生长条件外延层的晶格参数，反射、单色光学、样品方位和倒易坐标换算保持一致。
05外延层晶格常数与组分的对称反射扫描测区范围怎样记录？
在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标，标记晶圆缺口与外延面，保持样片平整并避开崩边和表面颗粒。
06外延层晶格常数与组分的对称反射扫描测量质量怎样评价？
组分计算采用对应材料体系的晶格关系，基底峰与层峰分离后再进行应变求解，反射、单色光学、样品方位和倒易坐标换算保持一致。
07外延层晶格常数与组分的对称反射扫描报告附件包含什么？
交付高分辨扫描、RSM、晶格常数、组分、面内外应变和弛豫度结果，记录基底晶格常数、材料体系、标称组分、层厚、生长条件和退火状态。
08外延层晶格常数与组分的对称反射扫描如何用于产品评价？
计算外延层面内与面外晶格常数、合金组分、双轴应变和弛豫度，对照基底峰、已知组分参考层和不同生长条件外延层的晶格参数。