检测范围
摇摆曲线与马赛克度主要检测摇摆与径向展宽、非对称反射扫描，服务对象包括摇摆与径向展宽：分别分析ω方向和ω-2θ方向半峰宽，区分倾斜、扭转、厚度和微应变贡献，结果用于量化晶面倾斜、扭转相关展宽等、非对称反射扫描：结合面内与面外倒易矢量分量计算面内晶格常数、组分和应变状态，覆盖来样登记、检测实施和报告交付。
摇摆与径向展宽
分别分析ω方向和ω-2θ方向半峰宽，区分倾斜、扭转、厚度和微应变贡献，采集区域：中心、边缘和方位点使用同一反射测量，测点图保留晶圆缺口方向。
摇摆与径向展宽：分别分析ω方向和ω-2θ方向半峰宽，区分倾斜、扭转、厚度和微应变贡献，结果用于量化晶面倾斜、扭转相关展宽、峰尾和外延层马赛克分布
非对称反射扫描：结合面内与面外倒易矢量分量计算面内晶格常数、组分和应变状态，测量位置按以下方式布置：中心、边缘和方位点使用同一反射测量，测点图保留晶圆缺口方向
样品、目标参数和报告用途
样品形式：外延晶圆、单晶薄膜、取向层和具有窄衍射峰的晶体质量评价样
摇摆曲线与马赛克度检测报告 + 检测数据与图表
摇摆曲线与马赛克度技术报告及主要结论
项目技术要点
实施流程
1. 选择强度和分辨率适合的对称或非对称层峰；2. 对准基底与外延层峰并固定接收光学条件；3. 采集ω摇摆曲线、ω-2θ径向曲线和必要方位扫描；4. 拟合主峰、肩峰、峰尾和半峰宽并扣除仪器展宽；5. 形成晶圆位置与生长批次的马赛克度对照图
仪器分辨
单色器与分析器的分辨函数写入峰宽评价，避免把仪器展宽解释为晶体缺陷，样品资料：记录反射指数、晶圆位置、狭缝、单色器、扫描步长和生长批次。
反射选择
对称反射主要表征面外方向，非对称反射提供面内分量，两者联合完成应变分解，测量位置：中心、边缘和方位点使用同一反射测量，测点图保留晶圆缺口方向。
材料模型
组分计算采用对应材料体系的晶格常数与弹性常数，温度和掺杂影响纳入参数记录，对照数据：对比不同晶圆位置、生长批次和退火状态的ω与径向峰形。
峰形处理
基底峰、层峰与卫星峰分别标注，分峰区间和背景函数随报告一并保存，结果解释：仪器展宽、层厚展宽和样品曲率分别识别，位错相关信息结合倒易空间图和结构模型分析。
适用产品与样品
摇摆曲线与马赛克度适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品与技术问题
- 摇摆与径向展宽：分别分析ω方向和ω-2θ方向半峰宽，区分倾斜、扭转、厚度和微应变贡献，结果用于量化晶面倾斜、扭转相关展宽、峰尾和外延层马赛克分布
- 非对称反射扫描：结合面内与面外倒易矢量分量计算面内晶格常数、组分和应变状态，测量位置按以下方式布置：中心、边缘和方位点使用同一反射测量，测点图保留晶圆缺口方向
- 检测对象：外延晶圆、单晶薄膜、取向层和具有窄衍射峰的晶体质量评价样
- 测量位置：中心、边缘和方位点使用同一反射测量，测点图保留晶圆缺口方向
- 数据判读：量化晶面倾斜、扭转相关展宽、峰尾和外延层马赛克分布
样品与委托资料
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：外延晶圆、单晶薄膜、取向层和具有窄衍射峰的晶体质量评价样
- 02
制样与装夹：固定晶圆方位与反射面，在相同光学配置下测量样片及晶体参考样
- 03
随样资料：记录反射指数、晶圆位置、狭缝、单色器、扫描步长和生长批次
- 04
对照样品：对比不同晶圆位置、生长批次和退火状态的ω与径向峰形
- 05
位置记录：中心、边缘和方位点使用同一反射测量，测点图保留晶圆缺口方向
样品形式：外延晶圆、单晶薄膜、取向层和具有窄衍射峰的晶体质量评价样。样品量包含制样损耗、平行样和留样需求。
摇摆曲线与马赛克度列明样品、项目、方法、开始时间与报告交付日期，并同步安排复杂前处理和多模块测试。
主要提供摇摆曲线与马赛克度技术报告及主要结论、摇摆曲线、径向曲线、峰形拟合、仪器展宽和晶圆位置统计，其他数据和附件在委托单中列明。
收样、制样、测试、数据复核和报告输出由项目负责人统一衔接。
检测项目
摇摆与径向展宽
分别分析ω方向和ω-2θ方向半峰宽，区分倾斜、扭转、厚度和微应变贡献，采集区域：中心、边缘和方位点使用同一反射测量，测点图保留晶圆缺口方向。
非对称反射扫描
结合面内与面外倒易矢量分量计算面内晶格常数、组分和应变状态，对照组合：对比不同晶圆位置、生长批次和退火状态的ω与径向峰形。
倒易空间图
在Qx-Qz空间分离基底、外延层、缓冲层和卫星峰，展示弛豫及马赛克展宽方向，样品资料：记录反射指数、晶圆位置、狭缝、单色器、扫描步长和生长批次。
组分与应变计算
按材料体系的无应变晶格关系计算合金组分、双轴应变和弛豫度，数据判读：仪器展宽、层厚展宽和样品曲率分别识别，位错相关信息结合倒易空间图和结构模型分析。
晶圆位置对比
在中心、边缘和方位点使用相同反射与步长，形成外延均匀性数据，应用方向：量化晶面倾斜、扭转相关展宽、峰尾和外延层马赛克分布。
检测方法与实施流程
检测需求
围绕摇摆曲线与马赛克度列明样品、目标参数、方法标准和报告用途。
样品登记
样品形式：外延晶圆、单晶薄膜、取向层和具有窄衍射峰的晶体质量评价样
完成前处理或制样
根据摇摆曲线与马赛克度和摇摆与径向展宽、非对称反射扫描的测试条件处理样品。
完成仪器测试
使用摇摆曲线与马赛克度按规定参数完成摇摆与径向展宽、非对称反射扫描和过程质量控制。
复核检测数据
重点检查摇摆与径向展宽、非对称反射扫描对应的图谱、曲线、图像或数据表。
交付报告和附件
提供摇摆曲线与马赛克度技术报告及主要结论、摇摆曲线、径向曲线、峰形拟合、仪器展宽和晶圆位置统计及约定附件。
标准与方法依据
以下列出摇摆曲线与马赛克度采用的正式标准与执行依据，包含标准编号、适用项目和发布来源。
共 3 项
报告与交付内容
报告列明实际样品、检测方法、测试条件、结果和约定附件。
报告同步提供质量控制、数据复核和判定依据等项目记录。
样品、批次、工况或标准发生变化时，按新条件开展补充检测。
报告支持CMA/CNAS标识、合格判定及英文版本，相关要求可在需求表中注明。常见问题
01摇摆曲线与马赛克度的摇摆与径向展宽主要给出什么结果？
分别分析ω方向和ω-2θ方向半峰宽，区分倾斜、扭转、厚度和微应变贡献，量化晶面倾斜、扭转相关展宽、峰尾和外延层马赛克分布。
02摇摆曲线与马赛克度的摇摆与径向展宽适合检测哪些样品？
外延晶圆、单晶薄膜、取向层和具有窄衍射峰的晶体质量评价样，固定晶圆方位与反射面，在相同光学配置下测量样片及晶体参考样。
03摇摆曲线与马赛克度的摇摆与径向展宽样品怎样制备？
固定晶圆方位与反射面，在相同光学配置下测量样片及晶体参考样，记录反射指数、晶圆位置、狭缝、单色器、扫描步长和生长批次。
04摇摆曲线与马赛克度的摇摆与径向展宽对照样怎样安排？
对比不同晶圆位置、生长批次和退火状态的ω与径向峰形，反射、单色光学、样品方位和倒易坐标换算保持一致。
05摇摆曲线与马赛克度的摇摆与径向展宽测点怎样布置？
中心、边缘和方位点使用同一反射测量，测点图保留晶圆缺口方向，固定晶圆方位与反射面，在相同光学配置下测量样片及晶体参考样。
06摇摆曲线与马赛克度的摇摆与径向展宽怎样控制质量？
仪器展宽、层厚展宽和样品曲率分别识别，位错相关信息结合倒易空间图和结构模型分析，反射、单色光学、样品方位和倒易坐标换算保持一致。
07摇摆曲线与马赛克度的摇摆与径向展宽报告交付哪些资料？
交付摇摆曲线、径向曲线、峰形拟合、仪器展宽和晶圆位置统计，记录反射指数、晶圆位置、狭缝、单色器、扫描步长和生长批次。
08摇摆曲线与马赛克度的摇摆与径向展宽结果用于哪些分析？
量化晶面倾斜、扭转相关展宽、峰尾和外延层马赛克分布，对比不同晶圆位置、生长批次和退火状态的ω与径向峰形。