检测范围
应变、弛豫与外延质量主要检测对称反射扫描、非对称反射扫描，服务对象包括对称反射扫描：测量生长方向晶格间距与外延峰位置、非对称反射扫描：结合面内与面外倒易矢量分量计算面内晶格常数、组分和应变状态，覆盖来样登记、检测实施和报告交付。
对称反射扫描
测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，采集区域：围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射。
对称反射扫描：测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，结果用于综合晶格常数、RSM和摇摆展宽评价应变状态、弛豫路径与外延完整性
非对称反射扫描：结合面内与面外倒易矢量分量计算面内晶格常数、组分和应变状态，测量位置按以下方式布置：围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射
样品、目标参数和报告用途
样品形式：部分弛豫外延层、失配异质结、缓冲层结构和退火前后的单晶薄膜
应变、弛豫与外延质量检测报告 + 检测数据与图表
应变、弛豫与外延质量技术报告及主要结论
项目技术要点
实施流程
1. 依据外延关系确定面内外晶格求解所需反射组合；2. 完成基底峰定位、方位校准和分辨率函数记录；3. 采集对称高分辨曲线、非对称RSM与摇摆曲线；4. 求解面内外晶格参数并分析弛豫线和峰展宽分量；5. 将应变、弛豫、马赛克和工艺条件汇总为外延质量图
仪器分辨
单色器与分析器的分辨函数写入峰宽评价，避免把仪器展宽解释为晶体缺陷，样品资料：记录材料体系、基底晶格、设计组分、缓冲层、层厚、温度和退火时间。
反射选择
对称反射主要表征面外方向，非对称反射提供面内分量，两者联合完成应变分解，测量位置：围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射。
材料模型
组分计算采用对应材料体系的晶格常数与弹性常数，温度和掺杂影响纳入参数记录，对照数据：以同基底未退火样和工艺调整样比较面内晶格、弛豫度与峰展宽。
峰形处理
基底峰、层峰与卫星峰分别标注，分峰区间和背景函数随报告一并保存，结果解释：组分、应变和弛豫联立求解，马赛克展宽与成分梯度不混作同一来源。
适用产品与样品
应变、弛豫与外延质量适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品与技术问题
- 对称反射扫描：测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，结果用于综合晶格常数、RSM和摇摆展宽评价应变状态、弛豫路径与外延完整性
- 非对称反射扫描：结合面内与面外倒易矢量分量计算面内晶格常数、组分和应变状态，测量位置按以下方式布置：围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射
- 检测对象：部分弛豫外延层、失配异质结、缓冲层结构和退火前后的单晶薄膜
- 测量位置：围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射
- 数据判读：综合晶格常数、RSM和摇摆展宽评价应变状态、弛豫路径与外延完整性
样品与委托资料
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：部分弛豫外延层、失配异质结、缓冲层结构和退火前后的单晶薄膜
- 02
制样与装夹：保留生长方位与层序，样片固定后使目标非对称反射位于同一衍射平面
- 03
随样资料：记录材料体系、基底晶格、设计组分、缓冲层、层厚、温度和退火时间
- 04
对照样品：以同基底未退火样和工艺调整样比较面内晶格、弛豫度与峰展宽
- 05
位置记录：围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射
样品形式：部分弛豫外延层、失配异质结、缓冲层结构和退火前后的单晶薄膜。样品量包含制样损耗、平行样和留样需求。
应变、弛豫与外延质量列明样品、项目、方法、开始时间与报告交付日期，并同步安排复杂前处理和多模块测试。
主要提供应变、弛豫与外延质量技术报告及主要结论、晶格参数、应变与弛豫度、RSM、摇摆展宽和外延质量对照，其他数据和附件在委托单中列明。
收样、制样、测试、数据复核和报告输出由项目负责人统一衔接。
检测项目
对称反射扫描
测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，采集区域：围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射。
非对称反射扫描
结合面内与面外倒易矢量分量计算面内晶格常数、组分和应变状态，对照组合：以同基底未退火样和工艺调整样比较面内晶格、弛豫度与峰展宽。
倒易空间图
在Qx-Qz空间分离基底、外延层、缓冲层和卫星峰，展示弛豫及马赛克展宽方向，样品资料：记录材料体系、基底晶格、设计组分、缓冲层、层厚、温度和退火时间。
组分与应变计算
按材料体系的无应变晶格关系计算合金组分、双轴应变和弛豫度，数据判读：组分、应变和弛豫联立求解，马赛克展宽与成分梯度不混作同一来源。
摇摆与径向展宽
分别分析ω方向和ω-2θ方向半峰宽，区分倾斜、扭转、厚度和微应变贡献，应用方向：综合晶格常数、RSM和摇摆展宽评价应变状态、弛豫路径与外延完整性。
晶圆位置对比
在中心、边缘和方位点使用相同反射与步长，形成外延均匀性数据，批次控制：同一反射、单色光学、样品方位和倒易坐标换算。
检测方法与实施流程
检测需求
围绕应变、弛豫与外延质量列明样品、目标参数、方法标准和报告用途。
样品登记
样品形式：部分弛豫外延层、失配异质结、缓冲层结构和退火前后的单晶薄膜
完成前处理或制样
根据应变、弛豫与外延质量和对称反射扫描、非对称反射扫描的测试条件处理样品。
完成仪器测试
使用应变、弛豫与外延质量按规定参数完成对称反射扫描、非对称反射扫描和过程质量控制。
复核检测数据
重点检查对称反射扫描、非对称反射扫描对应的图谱、曲线、图像或数据表。
交付报告和附件
提供应变、弛豫与外延质量技术报告及主要结论、晶格参数、应变与弛豫度、RSM、摇摆展宽和外延质量对照及约定附件。
标准与方法依据
以下列出应变、弛豫与外延质量采用的正式标准与执行依据，包含标准编号、适用项目和发布来源。
共 1 项
报告与交付内容
报告列明实际样品、检测方法、测试条件、结果和约定附件。
报告同步提供质量控制、数据复核和判定依据等项目记录。
样品、批次、工况或标准发生变化时，按新条件开展补充检测。
报告支持CMA/CNAS标识、合格判定及英文版本，相关要求可在需求表中注明。常见问题
01应变、弛豫与外延质量的对称反射扫描能得到哪些参数？
测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，综合晶格常数、RSM和摇摆展宽评价应变状态、弛豫路径与外延完整性。
02应变、弛豫与外延质量的对称反射扫描常见送样形态有哪些？
部分弛豫外延层、失配异质结、缓冲层结构和退火前后的单晶薄膜，保留生长方位与层序，样片固定后使目标非对称反射位于同一衍射平面。
03应变、弛豫与外延质量的对称反射扫描制样时要准备什么？
保留生长方位与层序，样片固定后使目标非对称反射位于同一衍射平面，记录材料体系、基底晶格、设计组分、缓冲层、层厚、温度和退火时间。
04应变、弛豫与外延质量的对称反射扫描参照组怎样设置？
以同基底未退火样和工艺调整样比较面内晶格、弛豫度与峰展宽，反射、单色光学、样品方位和倒易坐标换算保持一致。
05应变、弛豫与外延质量的对称反射扫描测区如何选择？
围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射，保留生长方位与层序，样片固定后使目标非对称反射位于同一衍射平面。
06应变、弛豫与外延质量的对称反射扫描数据质量如何保证？
组分、应变和弛豫联立求解，马赛克展宽与成分梯度不混作同一来源，反射、单色光学、样品方位和倒易坐标换算保持一致。
07应变、弛豫与外延质量的对称反射扫描原始数据文件有哪些？
交付晶格参数、应变与弛豫度、RSM、摇摆展宽和外延质量对照，记录材料体系、基底晶格、设计组分、缓冲层、层厚、温度和退火时间。
08应变、弛豫与外延质量的对称反射扫描怎样支持工艺判断？
综合晶格常数、RSM和摇摆展宽评价应变状态、弛豫路径与外延完整性，以同基底未退火样和工艺调整样比较面内晶格、弛豫度与峰展宽。