检测范围
解析晶面在面内与面外的择优取向、取向集中程度和有序结构变化，其中采集二维GIWAXS图并校正束心、探测器距离和样品倾角，保留完整的方位角与散射矢量信息。几何标定、入射角、曝光量和基底背景在整组样品中保持一致。
二维散射图
采集二维GIWAXS图并校正束心、探测器距离和样品倾角，保留完整的方位角与散射矢量信息，采集区域：在膜片中心、边缘及两个正交方位采集二维图，空白基底使用相同几何。
对象与条件
二维散射图：采集二维GIWAXS图并校正束心、探测器距离和样品倾角，保留完整的方位角与散射矢量信息，结果用于解析晶面在面内与面外的择优取向、取向集中程度和有序结构变化 面内与面外取向：沿qxy和qz方向提取特征峰，比较薄膜晶面平行、垂直及混合取向所对应的强度分布，测量位置按以下方式布置：在膜片中心、边缘及两个正交方位采集二维图，空白基底使用相同几何 检测对象：带完整基底的有机半导体膜、取向涂层、外延薄膜和对应空白基底片 测量位置：在膜片中心、边缘及两个正交方位采集二维图，空白基底使用相同几何 数据判读：解析晶面在面内与面外的择优取向、取向集中程度和有序结构变化
需要注意的限制
薄膜、涂层与半导体材料GIWAXS与薄膜取向结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行 薄膜、涂层与半导体材料GIWAXS与薄膜取向结果物相分析同步记录含量、结晶度、峰重叠、择优取向、荧光背景、样品尺寸和模型；无定形相与低含量相结合互补方法复核。 薄膜、涂层与半导体材料GIWAXS与薄膜取向结果对应实际收到的样品、采用的GIWAXS与薄膜取向条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 核对膜面、基底方向和样品编号并建立方位示意图；2. 使用校准样确定束心、探测器距离、倾角和波长参数；3. 依次采集空白基底、沉积膜和退火膜的二维GIWAXS图；4. 完成掩膜、背景扣除、qxy/qz转换和目标峰方位角积分；5. 汇总二维图、积分曲线、取向因子、晶面间距和测点方位
几何标定
束心、样品到探测器距离、探测器倾角和波长共同决定q值准确度，整批数据沿用同一标定结果，样品资料：记录基底材料、膜层结构、标称厚度、沉积方法、退火制度和面内方向。
基底扣除
基底散射、空气散射和窗口信号单独采集，以免遮蔽薄膜弱峰或改变取向强度比，测量位置：在膜片中心、边缘及两个正交方位采集二维图，空白基底使用相同几何。
辐照控制
对有机半导体、电极粘结剂和敏感涂层采用分区曝光，观察峰形随时间的稳定性，对照数据：对比同基底的沉积态与退火态，并按涂布方向比较二维散射强度分布。
取向表达
报告同时给出二维原图、选区积分路径和取向参数，使面内与面外结构关系可直接追溯，结果解释：几何标定、入射角、曝光量和基底背景在整组样品中保持一致。
适用产品与样品
薄膜、涂层与半导体材料GIWAXS与薄膜取向适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 二维散射图：采集二维GIWAXS图并校正束心、探测器距离和样品倾角，保留完整的方位角与散射矢量信息，结果用于解析晶面在面内与面外的择优取向、取向集中程度和有序结构变化
- 面内与面外取向：沿qxy和qz方向提取特征峰，比较薄膜晶面平行、垂直及混合取向所对应的强度分布，测量位置按以下方式布置：在膜片中心、边缘及两个正交方位采集二维图，空白基底使用相同几何
- 检测对象：带完整基底的有机半导体膜、取向涂层、外延薄膜和对应空白基底片
- 测量位置：在膜片中心、边缘及两个正交方位采集二维图，空白基底使用相同几何
- 数据判读：解析晶面在面内与面外的择优取向、取向集中程度和有序结构变化
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：带完整基底的有机半导体膜、取向涂层、外延薄膜和对应空白基底片
- 02
制样与装夹：保持膜面洁净平整，在样品背面标出涂布方向、晶圆缺口和入射边
- 03
随样资料：记录基底材料、膜层结构、标称厚度、沉积方法、退火制度和面内方向
- 04
对照样品：对比同基底的沉积态与退火态，并按涂布方向比较二维散射强度分布
- 05
位置记录：在膜片中心、边缘及两个正交方位采集二维图，空白基底使用相同几何
样品形式：带完整基底的有机半导体膜、取向涂层、外延薄膜和对应空白基底片 制样与装夹：保持膜面洁净平整，在样品背面标出涂布方向、晶圆缺口和入射边 随样资料：记录基底材料、膜层结构、标称厚度、沉积方法、退火制度和面内方向 对照样品：对比同基底的沉积态与退火态，并按涂布方向比较二维散射强度分布 位置记录：在膜片中心、边缘及两个正交方位采集二维图，空白基底使用相同几何
薄膜、涂层与半导体材料GIWAXS与薄膜取向技术报告及主要结论 交付二维GIWAXS原图、qxy/qz积分曲线、方位角分布、取向参数及测量几何记录 原始资料：二维散射图数据；记录基底材料、膜层结构、标称厚度、沉积方法、退火制度和面内方向 位置资料：在膜片中心、边缘及两个正交方位采集二维图，空白基底使用相同几何 对照资料：对比同基底的沉积态与退火态，并按涂布方向比较二维散射强度分布
检测项目
二维散射图
采集二维GIWAXS图并校正束心、探测器距离和样品倾角，保留完整的方位角与散射矢量信息，采集区域：在膜片中心、边缘及两个正交方位采集二维图，空白基底使用相同几何。
面内与面外取向
沿qxy和qz方向提取特征峰，比较薄膜晶面平行、垂直及混合取向所对应的强度分布，对照组合：对比同基底的沉积态与退火态，并按涂布方向比较二维散射强度分布。
方位角积分
对目标衍射环开展方位角积分，以峰位、半峰宽和取向因子描述取向集中程度，样品资料：记录基底材料、膜层结构、标称厚度、沉积方法、退火制度和面内方向。
晶面间距
由散射矢量换算晶面间距，并结合峰宽观察晶区有序度与结构变化，数据判读：几何标定、入射角、曝光量和基底背景在整组样品中保持一致。
入射角序列
设置多个掠入射角度区分表层、主体薄膜和近界面的结构响应，应用方向：解析晶面在面内与面外的择优取向、取向集中程度和有序结构变化。
样品间对照
在一致几何和曝光条件下比较配方、退火、涂布或循环前后的二维图样与积分曲线，批次控制：同一几何标定、入射角和曝光条件。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 1 项
报告和检测数据
薄膜、涂层与半导体材料GIWAXS与薄膜取向结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行
薄膜、涂层与半导体材料GIWAXS与薄膜取向结果物相分析同步记录含量、结晶度、峰重叠、择优取向、荧光背景、样品尺寸和模型；无定形相与低含量相结合互补方法复核。
薄膜、涂层与半导体材料GIWAXS与薄膜取向结果对应实际收到的样品、采用的GIWAXS与薄膜取向条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01薄膜、涂层与半导体材料的二维散射图主要给出什么结果？
采集二维GIWAXS图并校正束心、探测器距离和样品倾角，保留完整的方位角与散射矢量信息，解析晶面在面内与面外的择优取向、取向集中程度和有序结构变化。
02薄膜、涂层与半导体材料的二维散射图适合检测哪些样品？
带完整基底的有机半导体膜、取向涂层、外延薄膜和对应空白基底片，保持膜面洁净平整，在样品背面标出涂布方向、晶圆缺口和入射边。
03薄膜、涂层与半导体材料的二维散射图样品怎样制备？
保持膜面洁净平整，在样品背面标出涂布方向、晶圆缺口和入射边，记录基底材料、膜层结构、标称厚度、沉积方法、退火制度和面内方向。
04薄膜、涂层与半导体材料的二维散射图对照样怎样安排？
对比同基底的沉积态与退火态，并按涂布方向比较二维散射强度分布，几何标定、入射角和曝光条件保持一致。
05薄膜、涂层与半导体材料的二维散射图测点怎样布置？
在膜片中心、边缘及两个正交方位采集二维图，空白基底使用相同几何，保持膜面洁净平整，在样品背面标出涂布方向、晶圆缺口和入射边。
06薄膜、涂层与半导体材料的二维散射图怎样控制质量？
整批样品沿用同一几何标定、入射角和曝光量，基底背景单独采集并在数据处理中统一扣除。
07薄膜、涂层与半导体材料的二维散射图报告交付哪些资料？
交付二维GIWAXS原图、qxy/qz积分曲线、方位角分布、取向参数及测量几何记录，记录基底材料、膜层结构、标称厚度、沉积方法、退火制度和面内方向。
08薄膜、涂层与半导体材料的二维散射图结果用于哪些分析？
解析晶面在面内与面外的择优取向、取向集中程度和有序结构变化，对比同基底的沉积态与退火态，并按涂布方向比较二维散射强度分布。