检测范围
获得晶体取向矩阵、晶向偏差与位置相关的取向变化，结合能量分辨数据与无应变参考晶格计算偏应变，其中对白光劳厄斑点完成索引，获得单晶或大晶粒的取向矩阵和晶向偏差。取向结果采用几何标定数据计算，偏应变分析同时使用能量标定和无应变参考晶格。
劳厄斑点采集
在已标定几何下采集目标晶粒白光劳厄图，并保存光斑覆盖范围和探测器参数。
对象与条件
劳厄斑点采集：在已标定几何下采集目标晶粒白光劳厄图，并保存光斑覆盖范围和探测器参数，结果用于获得晶体取向矩阵、晶向偏差与位置相关的取向变化，结合能量分辨数据与无应变参考晶格计算偏应变 取向矩阵：由索引斑点求解晶体取向矩阵，给出样品法向、面内方向与晶向偏差，测量位置按以下方式布置：每个劳厄图对应一个明确晶粒或微区坐标，位置扫描沿预设晶粒边缘展开 检测对象：单晶颗粒、大晶粒金属、晶圆局部和具有确定晶面基准的晶体试样 测量位置：每个劳厄图对应一个明确晶粒或微区坐标，位置扫描沿预设晶粒边缘展开 数据判读：获得晶体取向矩阵、晶向偏差与位置相关的取向变化，结合能量分辨数据与无应变参考晶格计算偏应变
需要注意的限制
晶粒取向与劳厄背反射结果单个视场对应具体测区，整批和整体结构增加代表性测点；三维结构采用三维方法评价，并记录制样、真空、束流和图像阈值 晶粒取向与劳厄背反射结果物相分析同步记录含量、结晶度、峰重叠、择优取向、荧光背景、样品尺寸和模型；无定形相与低含量相结合互补方法复核。 晶粒取向与劳厄背反射结果对应实际收到的样品、采用的微区XRD与劳厄衍射条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 用显微图定位目标晶粒并定义样品法向和面内方位；2. 校准探测器几何、样品距离和劳厄斑点位置基准；3. 采集目标晶粒及参照晶粒的白光劳厄图；4. 完成斑点索引、取向矩阵求解和位置扫描配准；5. 输出晶向、错取向、索引质量和标定后的畸变结果
参考晶格
偏应变计算使用已知无应变晶格或能量分辨基准；取向矩阵由几何标定后的斑点位置求解。
斑点索引
索引同时检查晶带轴、斑点夹角和未匹配斑点，保留候选解与质量指标。
坐标配准
显微图、光斑位置、晶粒编号和位置扫描路径使用同一坐标。
适用产品与样品
晶粒取向与劳厄背反射适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 劳厄斑点采集：在已标定几何下采集目标晶粒白光劳厄图，并保存光斑覆盖范围和探测器参数，结果用于获得晶体取向矩阵、晶向偏差与位置相关的取向变化，结合能量分辨数据与无应变参考晶格计算偏应变
- 取向矩阵：由索引斑点求解晶体取向矩阵，给出样品法向、面内方向与晶向偏差，测量位置按以下方式布置：每个劳厄图对应一个明确晶粒或微区坐标，位置扫描沿预设晶粒边缘展开
- 检测对象：单晶颗粒、大晶粒金属、晶圆局部和具有确定晶面基准的晶体试样
- 测量位置：每个劳厄图对应一个明确晶粒或微区坐标，位置扫描沿预设晶粒边缘展开
- 数据判读：获得晶体取向矩阵、晶向偏差与位置相关的取向变化，结合能量分辨数据与无应变参考晶格计算偏应变
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：单晶颗粒、大晶粒金属、晶圆局部和具有确定晶面基准的晶体试样
- 02
制样与装夹：建立样面法向与方位基准，目标晶粒表面保持平整并清楚标出照射位置
- 03
随样资料：记录晶体结构、样品方位、加工基准、目标晶粒坐标、光斑尺寸和探测几何
- 04
对照样品：比较不同晶粒、晶圆方位或变形区的劳厄斑点位置与取向矩阵
- 05
位置记录：每个劳厄图对应一个明确晶粒或微区坐标，位置扫描沿预设晶粒边缘展开
样品形式：单晶颗粒、大晶粒金属、晶圆局部和具有确定晶面基准的晶体试样 制样与装夹：建立样面法向与方位基准，目标晶粒表面保持平整并清楚标出照射位置 随样资料：记录晶体结构、样品方位、加工基准、目标晶粒坐标、光斑尺寸和探测几何 对照样品：比较不同晶粒、晶圆方位或变形区的劳厄斑点位置与取向矩阵 位置记录：每个劳厄图对应一个明确晶粒或微区坐标，位置扫描沿预设晶粒边缘展开
晶粒取向与劳厄背反射技术报告及主要结论 交付劳厄原图、斑点索引、取向矩阵、晶向偏差、微区坐标图和偏应变计算结果 原始资料：劳厄取向数据；记录晶体结构、样品方位、加工基准、目标晶粒坐标、光斑尺寸和探测几何 位置资料：每个劳厄图对应一个明确晶粒或微区坐标，位置扫描沿预设晶粒边缘展开 对照资料：比较不同晶粒、晶圆方位或变形区的劳厄斑点位置与取向矩阵
检测项目
劳厄斑点采集
在已标定几何下采集目标晶粒白光劳厄图，并保存光斑覆盖范围和探测器参数。
取向矩阵
由索引斑点求解晶体取向矩阵，给出样品法向、面内方向与晶向偏差。
错取向分布
沿晶粒或指定路径开展位置扫描，绘制取向变化和索引质量分布。
偏应变分析
结合能量分辨数据和无应变参考晶格，计算局部偏应变分量。
几何与参考校准
探测器距离、倾角、样品位置和参考晶格共同构成取向与偏应变的计算基准。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 2 项
报告和检测数据
晶粒取向与劳厄背反射结果单个视场对应具体测区，整批和整体结构增加代表性测点；三维结构采用三维方法评价，并记录制样、真空、束流和图像阈值
晶粒取向与劳厄背反射结果物相分析同步记录含量、结晶度、峰重叠、择优取向、荧光背景、样品尺寸和模型；无定形相与低含量相结合互补方法复核。
晶粒取向与劳厄背反射结果对应实际收到的样品、采用的微区XRD与劳厄衍射条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01晶粒取向与劳厄背反射的劳厄取向结果通常怎样表达？
完成白光劳厄斑点索引后，给出单晶或大晶粒的取向矩阵、晶向偏差和位置相关变化；结合能量分辨数据与无应变参考晶格计算偏应变。
02晶粒取向与劳厄背反射的劳厄取向哪类样品适合测量？
单晶颗粒、大晶粒金属、晶圆局部和具有确定晶面基准的晶体试样，建立样面法向与方位基准，目标晶粒表面保持平整并清楚标出照射位置。
03晶粒取向与劳厄背反射的劳厄取向样品前处理包括什么？
建立样面法向与方位基准，目标晶粒表面保持平整并清楚标出照射位置，记录晶体结构、样品方位、加工基准、目标晶粒坐标、光斑尺寸和探测几何。
04晶粒取向与劳厄背反射的劳厄取向参照数据如何建立？
比较不同晶粒、晶圆方位或变形区的劳厄斑点位置与取向矩阵，探测几何、参考晶格、光斑、步长和曝光保持一致。
05晶粒取向与劳厄背反射的劳厄取向测点怎样布置？
按目标晶粒和微区坐标逐点布置，位置扫描沿预设晶粒边缘展开；测点数量根据晶粒尺寸、边缘跨度和所需空间分辨率确定。
06晶粒取向与劳厄背反射的劳厄取向质量参数如何保持一致？
取向结果采用几何标定数据计算，偏应变分析同时使用能量标定和无应变参考晶格，探测几何、参考晶格、光斑、步长和曝光保持一致。
07晶粒取向与劳厄背反射的劳厄取向最终资料包括哪些？
交付劳厄原图、斑点索引、取向矩阵、晶向偏差、微区坐标图和偏应变计算结果，记录晶体结构、样品方位、加工基准、目标晶粒坐标、光斑尺寸和探测几何。
08晶粒取向与劳厄背反射的劳厄取向怎样用于批次评价？
获得晶体取向矩阵、晶向偏差与位置相关的取向变化，结合能量分辨数据与无应变参考晶格计算偏应变，比较不同晶粒、晶圆方位或变形区的劳厄斑点位置与取向矩阵。