检测范围
评价外延层或取向膜的晶面倾斜、面内取向、马赛克展宽和方位均匀性，其中固定衍射角后扫描入射角，以峰位和半峰宽评价晶面倾斜、马赛克度及外延均匀性。基底峰、膜层峰和仪器展宽分开记录，摇摆曲线半峰宽用于评价晶面倾斜与马赛克展宽。
摇摆曲线
固定衍射角后扫描入射角，以峰位和半峰宽评价晶面倾斜、马赛克度及外延均匀性，采集区域：在中心、边缘和两个正交方位测量摇摆曲线，极图采用统一膜面坐标。
对象与条件
摇摆曲线：固定衍射角后扫描入射角，以峰位和半峰宽评价晶面倾斜、马赛克度及外延均匀性，结果用于评价外延层或取向膜的晶面倾斜、面内取向、马赛克展宽和方位均匀性 极图测量：围绕选定晶面执行倾角与方位角扫描，获得极密度随空间方向变化的完整分布，测量位置按以下方式布置：在中心、边缘和两个正交方位测量摇摆曲线，极图采用统一膜面坐标 检测对象：外延晶圆、择优取向薄膜、柱状晶涂层和带完整基底的沉积见证片 测量位置：在中心、边缘和两个正交方位测量摇摆曲线，极图采用统一膜面坐标 数据判读：评价外延层或取向膜的晶面倾斜、面内取向、马赛克展宽和方位均匀性
需要注意的限制
薄膜、涂层与半导体材料织构、极图与摇摆曲线结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行 薄膜、涂层与半导体材料织构、极图与摇摆曲线结果物相分析同步记录含量、结晶度、峰重叠、择优取向、荧光背景、样品尺寸和模型；无定形相与低含量相结合互补方法复核。 薄膜、涂层与半导体材料织构、极图与摇摆曲线结果对应实际收到的样品、采用的织构、极图与摇摆曲线条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 标注基底晶向、膜层反射和晶圆方位标识；2. 优化狭缝与接收光学并对准膜层目标衍射峰；3. 采集中心及边缘测点的ω摇摆曲线和必要极图；4. 拟合峰位、半峰宽、峰尾与多峰组分并扣除仪器贡献；5. 形成方位分布、马赛克展宽和晶圆位置对照图
坐标体系
轧向、横向、法向或晶圆缺口方向贯穿装样、采集和报告，避免极图方向倒置，样品资料：记录基底晶向、外延关系、膜层厚度、沉积方位、退火制度和测点坐标。
覆盖充分性
ODF计算选用多个独立晶面极图，并处理偏转角高端的缺失区域与重叠峰，测量位置：在中心、边缘和两个正交方位测量摇摆曲线，极图采用统一膜面坐标。
吸收修正
倾转扫描中的照射面积和吸收路径随角度变化，修正后再比较极密度，对照数据：比较晶圆中心与边缘、不同方位以及沉积前后工艺调整样的峰形。
曲线评价
摇摆曲线保留原始峰形、拟合区间和基线，分峰结果与单峰半峰宽分开展示，结果解释：基底峰、膜层峰和仪器展宽分开记录，摇摆曲线半峰宽用于评价晶面倾斜与马赛克展宽。
适用产品与样品
薄膜、涂层与半导体材料织构、极图与摇摆曲线适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 摇摆曲线：固定衍射角后扫描入射角，以峰位和半峰宽评价晶面倾斜、马赛克度及外延均匀性，结果用于评价外延层或取向膜的晶面倾斜、面内取向、马赛克展宽和方位均匀性
- 极图测量：围绕选定晶面执行倾角与方位角扫描，获得极密度随空间方向变化的完整分布，测量位置按以下方式布置：在中心、边缘和两个正交方位测量摇摆曲线，极图采用统一膜面坐标
- 检测对象：外延晶圆、择优取向薄膜、柱状晶涂层和带完整基底的沉积见证片
- 测量位置：在中心、边缘和两个正交方位测量摇摆曲线，极图采用统一膜面坐标
- 数据判读：评价外延层或取向膜的晶面倾斜、面内取向、马赛克展宽和方位均匀性
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：外延晶圆、择优取向薄膜、柱状晶涂层和带完整基底的沉积见证片
- 02
制样与装夹：保留晶圆缺口和膜面方位，清洁测量区并固定基底翘曲较小的位置
- 03
随样资料：记录基底晶向、外延关系、膜层厚度、沉积方位、退火制度和测点坐标
- 04
对照样品：比较晶圆中心与边缘、不同方位以及沉积前后工艺调整样的峰形
- 05
位置记录：在中心、边缘和两个正交方位测量摇摆曲线，极图采用统一膜面坐标
样品形式：外延晶圆、择优取向薄膜、柱状晶涂层和带完整基底的沉积见证片 制样与装夹：保留晶圆缺口和膜面方位，清洁测量区并固定基底翘曲较小的位置 随样资料：记录基底晶向、外延关系、膜层厚度、沉积方位、退火制度和测点坐标 对照样品：比较晶圆中心与边缘、不同方位以及沉积前后工艺调整样的峰形 位置记录：在中心、边缘和两个正交方位测量摇摆曲线，极图采用统一膜面坐标
薄膜、涂层与半导体材料织构、极图与摇摆曲线技术报告及主要结论 交付摇摆曲线、峰形拟合、膜层极图、马赛克展宽及晶圆方位分布 原始资料：摇摆曲线数据；记录基底晶向、外延关系、膜层厚度、沉积方位、退火制度和测点坐标 位置资料：在中心、边缘和两个正交方位测量摇摆曲线，极图采用统一膜面坐标 对照资料：比较晶圆中心与边缘、不同方位以及沉积前后工艺调整样的峰形
检测项目
摇摆曲线
固定衍射角后扫描入射角，以峰位和半峰宽评价晶面倾斜、马赛克度及外延均匀性，采集区域：在中心、边缘和两个正交方位测量摇摆曲线，极图采用统一膜面坐标。
极图测量
围绕选定晶面执行倾角与方位角扫描，获得极密度随空间方向变化的完整分布，对照组合：比较晶圆中心与边缘、不同方位以及沉积前后工艺调整样的峰形。
反极图表达
将样品法向、轧向或横向映射到晶体坐标，比较不同加工方向的取向特征，样品资料：记录基底晶向、外延关系、膜层厚度、沉积方位、退火制度和测点坐标。
织构组分
识别纤维织构、板织构和主要取向组分，并计算相应体积分数或取向强度，数据判读：基底峰、膜层峰和仪器展宽分开记录，摇摆曲线半峰宽用于评价晶面倾斜与马赛克展宽。
工艺方向对比
保持样品坐标定义一致，对比轧制、烧结、沉积、热处理或循环造成的取向演变，应用方向：评价外延层或取向膜的晶面倾斜、面内取向、马赛克展宽和方位均匀性。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 3 项
报告和检测数据
薄膜、涂层与半导体材料织构、极图与摇摆曲线结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行
薄膜、涂层与半导体材料织构、极图与摇摆曲线结果物相分析同步记录含量、结晶度、峰重叠、择优取向、荧光背景、样品尺寸和模型；无定形相与低含量相结合互补方法复核。
薄膜、涂层与半导体材料织构、极图与摇摆曲线结果对应实际收到的样品、采用的织构、极图与摇摆曲线条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01薄膜、涂层与半导体材料的摇摆曲线最终结果怎么看？
固定衍射角后扫描入射角，以峰位和半峰宽评价晶面倾斜、马赛克度及外延均匀性，评价外延层或取向膜的晶面倾斜、面内取向、马赛克展宽和方位均匀性。
02薄膜、涂层与半导体材料的摇摆曲线送检样品通常是什么形态？
外延晶圆、择优取向薄膜、柱状晶涂层和带完整基底的沉积见证片，保留晶圆缺口和膜面方位，清洁测量区并固定基底翘曲较小的位置。
03薄膜、涂层与半导体材料的摇摆曲线样品装夹怎样处理？
保留晶圆缺口和膜面方位，清洁测量区并固定基底翘曲较小的位置，记录基底晶向、外延关系、膜层厚度、沉积方位、退火制度和测点坐标。
04薄膜、涂层与半导体材料的摇摆曲线对照条件怎么设计？
比较晶圆中心与边缘、不同方位以及沉积前后工艺调整样的峰形，晶面、倾转范围、吸收修正和样品坐标保持一致。
05薄膜、涂层与半导体材料的摇摆曲线测量位置怎样确定？
在中心、边缘和两个正交方位测量摇摆曲线，极图采用统一膜面坐标，保留晶圆缺口和膜面方位，清洁测量区并固定基底翘曲较小的位置。
06薄膜、涂层与半导体材料的摇摆曲线重复性如何检查？
基底峰、膜层峰和仪器展宽分开记录，摇摆曲线半峰宽用于评价晶面倾斜与马赛克展宽，晶面、倾转范围、吸收修正和样品坐标保持一致。
07薄膜、涂层与半导体材料的摇摆曲线交付文件包括什么？
交付摇摆曲线、峰形拟合、膜层极图、马赛克展宽及晶圆方位分布，记录基底晶向、外延关系、膜层厚度、沉积方位、退火制度和测点坐标。
08薄膜、涂层与半导体材料的摇摆曲线能支持哪些判断？
评价外延层或取向膜的晶面倾斜、面内取向、马赛克展宽和方位均匀性，比较晶圆中心与边缘、不同方位以及沉积前后工艺调整样的峰形。