中见检测
CMAILAC-MRACNAS
中文/EN
全国服务热线400-889-2690
客户服务热线400-889-2690
元素、成分与纯度仪器测试技术服务场景

INSTRUMENTAL ANALYSIS DIRECTORY

元素、成分与纯度

开展主量、微量和痕量元素的定性、定量与纯度分析。 服务目录包括下属专业方向、具体项目、实施流程和交付内容。

服务范围帮助客户围绕元素、成分与纯度按样品基体、观察尺度、目标参数和检出要求选择仪器与制样方法。

按产品、样品、现场条件和报告用途选择专业方向及具体服务。

仪器测试 · 分类说明

服务范围

各专业方向列明业务范围、具体项目、委托准备和交付内容。

开展主量、微量和痕量元素的定性、定量与纯度分析。 服务目录包括下属专业方向、具体项目、实施流程和交付内容。 该范围具体分为电感耦合等离子体质谱 ICP-MS、电感耦合等离子体发射光谱 ICP-OES、X射线荧光光谱 XRF、辉光放电质谱 GDMS等13个方向，各方向对应完整项目说明。

根据样品状态、目标参数、分辨率、检出限和数据用途，选择合适的仪器、制样与解析方案。 不同产品、样品、现场和目标市场分别配置项目组合、标准版本、样品量和报告用途。

本分类包括52个具体项目，每项均列明适用范围、方法、样品要求和交付内容。

13个专业方向
52项具体服务
4项项目准备步骤
6类常见交付内容
专业分类

13 个专业方向

每个专业方向都列明业务范围，并提供可直接查看的具体服务项目。

06

离子色谱 IC

Ion Chromatography (IC)

离子色谱 IC可作为单项表征，也可与互补方法组合，用不同证据回答组成、结构或性能问题。

查看完整方向页
具体服务

服务项目

选择项目后，可继续查看适用范围、样品要求、方法标准、交付内容和常见问题。

电感耦合等离子体质谱 ICP-MS金属与合金电感耦合等离子体质谱 ICP-MS金属与合金电感耦合等离子体质谱 ICP-MS用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据电感耦合等离子体质谱 ICP-MS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 电感耦合等离子体质谱 ICP-MS矿物、陶瓷与无机材料电感耦合等离子体质谱 ICP-MS矿物、陶瓷与无机材料电感耦合等离子体质谱 ICP-MS用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据电感耦合等离子体质谱 ICP-MS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 电感耦合等离子体质谱 ICP-MS水样、化学品与环境样品电感耦合等离子体质谱 ICP-MS水样、化学品与环境样品电感耦合等离子体质谱 ICP-MS用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据电感耦合等离子体质谱 ICP-MS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 电感耦合等离子体质谱 ICP-MS电池、电子与高纯材料电感耦合等离子体质谱 ICP-MS电池、电子与高纯材料电感耦合等离子体质谱 ICP-MS用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据电感耦合等离子体质谱 ICP-MS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 电感耦合等离子体发射光谱 ICP-OES金属与合金电感耦合等离子体发射光谱 ICP-OES金属与合金电感耦合等离子体发射光谱 ICP-OES用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据电感耦合等离子体发射光谱 ICP-OES方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 电感耦合等离子体发射光谱 ICP-OES矿物、陶瓷与无机材料电感耦合等离子体发射光谱 ICP-OES矿物、陶瓷与无机材料电感耦合等离子体发射光谱 ICP-OES用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据电感耦合等离子体发射光谱 ICP-OES方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 电感耦合等离子体发射光谱 ICP-OES水样、化学品与环境样品电感耦合等离子体发射光谱 ICP-OES水样、化学品与环境样品电感耦合等离子体发射光谱 ICP-OES用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据电感耦合等离子体发射光谱 ICP-OES方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 电感耦合等离子体发射光谱 ICP-OES电池、电子与高纯材料电感耦合等离子体发射光谱 ICP-OES电池、电子与高纯材料电感耦合等离子体发射光谱 ICP-OES用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据电感耦合等离子体发射光谱 ICP-OES方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 X射线荧光光谱 XRF金属与合金X射线荧光光谱 XRF金属与合金X射线荧光光谱 XRF用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据X射线荧光光谱 XRF方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 X射线荧光光谱 XRF矿物、陶瓷与无机材料X射线荧光光谱 XRF矿物、陶瓷与无机材料X射线荧光光谱 XRF用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据X射线荧光光谱 XRF方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 X射线荧光光谱 XRF水样、化学品与环境样品X射线荧光光谱 XRF水样、化学品与环境样品X射线荧光光谱 XRF用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据X射线荧光光谱 XRF方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 X射线荧光光谱 XRF电池、电子与高纯材料X射线荧光光谱 XRF电池、电子与高纯材料X射线荧光光谱 XRF用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据X射线荧光光谱 XRF方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 辉光放电质谱 GDMS金属与合金辉光放电质谱 GDMS金属与合金辉光放电质谱 GDMS用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据辉光放电质谱 GDMS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 辉光放电质谱 GDMS矿物、陶瓷与无机材料辉光放电质谱 GDMS矿物、陶瓷与无机材料辉光放电质谱 GDMS用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据辉光放电质谱 GDMS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 辉光放电质谱 GDMS水样、化学品与环境样品辉光放电质谱 GDMS水样、化学品与环境样品辉光放电质谱 GDMS用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据辉光放电质谱 GDMS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 辉光放电质谱 GDMS电池、电子与高纯材料辉光放电质谱 GDMS电池、电子与高纯材料辉光放电质谱 GDMS用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据辉光放电质谱 GDMS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 原子吸收光谱 AAS金属与合金原子吸收光谱 AAS金属与合金原子吸收光谱 AAS用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据原子吸收光谱 AAS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 原子吸收光谱 AAS矿物、陶瓷与无机材料原子吸收光谱 AAS矿物、陶瓷与无机材料原子吸收光谱 AAS用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据原子吸收光谱 AAS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 原子吸收光谱 AAS水样、化学品与环境样品原子吸收光谱 AAS水样、化学品与环境样品原子吸收光谱 AAS用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据原子吸收光谱 AAS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 原子吸收光谱 AAS电池、电子与高纯材料原子吸收光谱 AAS电池、电子与高纯材料原子吸收光谱 AAS用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据原子吸收光谱 AAS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 离子色谱 IC金属与合金离子色谱 IC金属与合金离子色谱 IC用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据离子色谱 IC方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 离子色谱 IC矿物、陶瓷与无机材料离子色谱 IC矿物、陶瓷与无机材料离子色谱 IC用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据离子色谱 IC方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 离子色谱 IC水样、化学品与环境样品离子色谱 IC水样、化学品与环境样品离子色谱 IC用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据离子色谱 IC方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 离子色谱 IC电池、电子与高纯材料离子色谱 IC电池、电子与高纯材料离子色谱 IC用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据离子色谱 IC方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 碳硫、氧氮氢与元素分析高频红外碳硫分析高频红外碳硫分析用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据碳硫、氧氮氢与元素分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是给出可追溯的定量结果，并说明校准范围、检出能力、重复性和基体影响；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 碳硫、氧氮氢与元素分析惰性气体熔融氧氮氢分析惰性气体熔融氧氮氢分析用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据碳硫、氧氮氢与元素分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是给出可追溯的定量结果，并说明校准范围、检出能力、重复性和基体影响；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 碳硫、氧氮氢与元素分析有机元素 CHNS/O 分析有机元素 CHNS/O 分析用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据碳硫、氧氮氢与元素分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是给出可追溯的定量结果，并说明校准范围、检出能力、重复性和基体影响；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 碳硫、氧氮氢与元素分析燃烧法总碳、总氮与总硫燃烧法总碳、总氮与总硫用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据碳硫、氧氮氢与元素分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是给出可追溯的定量结果，并说明校准范围、检出能力、重复性和基体影响；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 测汞仪与痕量汞分析金属与合金测汞仪与痕量汞分析金属与合金测汞仪与痕量汞分析用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据测汞仪与痕量汞分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 测汞仪与痕量汞分析矿物、陶瓷与无机材料测汞仪与痕量汞分析矿物、陶瓷与无机材料测汞仪与痕量汞分析用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据测汞仪与痕量汞分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 测汞仪与痕量汞分析水样、化学品与环境样品测汞仪与痕量汞分析水样、化学品与环境样品测汞仪与痕量汞分析用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据测汞仪与痕量汞分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 测汞仪与痕量汞分析电池、电子与高纯材料测汞仪与痕量汞分析电池、电子与高纯材料测汞仪与痕量汞分析用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据测汞仪与痕量汞分析方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 激光诱导击穿光谱 LIBS金属与合金激光诱导击穿光谱 LIBS金属与合金激光诱导击穿光谱 LIBS用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据激光诱导击穿光谱 LIBS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 激光诱导击穿光谱 LIBS矿物、陶瓷与无机材料激光诱导击穿光谱 LIBS矿物、陶瓷与无机材料激光诱导击穿光谱 LIBS用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据激光诱导击穿光谱 LIBS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 激光诱导击穿光谱 LIBS水样、化学品与环境样品激光诱导击穿光谱 LIBS水样、化学品与环境样品激光诱导击穿光谱 LIBS用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据激光诱导击穿光谱 LIBS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 激光诱导击穿光谱 LIBS电池、电子与高纯材料激光诱导击穿光谱 LIBS电池、电子与高纯材料激光诱导击穿光谱 LIBS用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据激光诱导击穿光谱 LIBS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 火花直读光谱 OES/PMI实验室火花直读金属牌号分析实验室火花直读金属牌号分析用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据火花直读光谱 OES/PMI方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 火花直读光谱 OES/PMI现场PMI材质鉴别现场PMI材质鉴别用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据火花直读光谱 OES/PMI方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 火花直读光谱 OES/PMI合金元素与碳当量测定合金元素与碳当量测定用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据火花直读光谱 OES/PMI方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是给出可追溯的定量结果，并说明校准范围、检出能力、重复性和基体影响；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 火花直读光谱 OES/PMI混料分选与牌号一致性检查混料分选与牌号一致性检查用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据火花直读光谱 OES/PMI方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 激光剥蚀电感耦合等离子体质谱 LA-ICP-MS固体微区痕量元素分析固体微区痕量元素分析用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据激光剥蚀电感耦合等离子体质谱 LA-ICP-MS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是给出可追溯的定量结果，并说明校准范围、检出能力、重复性和基体影响；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 激光剥蚀电感耦合等离子体质谱 LA-ICP-MS元素面分布与线扫描元素面分布与线扫描用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据激光剥蚀电感耦合等离子体质谱 LA-ICP-MS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是给出可追溯的定量结果，并说明校准范围、检出能力、重复性和基体影响；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 激光剥蚀电感耦合等离子体质谱 LA-ICP-MS玻璃、矿物与陶瓷原位分析玻璃、矿物与陶瓷原位分析用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据激光剥蚀电感耦合等离子体质谱 LA-ICP-MS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是记录样品在受控外场或真实近似工况下随时间发生的结构、组成或性能变化；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 激光剥蚀电感耦合等离子体质谱 LA-ICP-MS同位素比值与来源特征分析同位素比值与来源特征分析用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据激光剥蚀电感耦合等离子体质谱 LA-ICP-MS方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 全反射X射线荧光 TXRF晶圆表面金属污染分析晶圆表面金属污染分析用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据全反射X射线荧光 TXRF方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 全反射X射线荧光 TXRF超痕量元素低样量分析超痕量元素低样量分析用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据全反射X射线荧光 TXRF方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是给出可追溯的定量结果，并说明校准范围、检出能力、重复性和基体影响；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 全反射X射线荧光 TXRF悬浮液与纳米颗粒元素分析悬浮液与纳米颗粒元素分析用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据全反射X射线荧光 TXRF方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是给出可追溯的定量结果，并说明校准范围、检出能力、重复性和基体影响；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 全反射X射线荧光 TXRF薄膜、粉尘与沉积物TXRF分析薄膜、粉尘与沉积物TXRF分析用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据全反射X射线荧光 TXRF方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是测量目标参数，比较不同样品、测点、批次或处理前后的数据差异；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 总有机碳、总无机碳与总氮 TOC/TIC/TN水样总有机碳 TOC水样总有机碳 TOC用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据总有机碳、总无机碳与总氮 TOC/TIC/TN方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是给出可追溯的定量结果，并说明校准范围、检出能力、重复性和基体影响；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 总有机碳、总无机碳与总氮 TOC/TIC/TN固体与土壤总碳、无机碳固体与土壤总碳、无机碳用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据总有机碳、总无机碳与总氮 TOC/TIC/TN方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是给出可追溯的定量结果，并说明校准范围、检出能力、重复性和基体影响；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 总有机碳、总无机碳与总氮 TOC/TIC/TN总氮 TN 与碳氮比总氮 TN 与碳氮比用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据总有机碳、总无机碳与总氮 TOC/TIC/TN方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是给出可追溯的定量结果，并说明校准范围、检出能力、重复性和基体影响；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情 总有机碳、总无机碳与总氮 TOC/TIC/TN清洗验证与低TOC残留分析清洗验证与低TOC残留分析用于元素种类、目标元素含量、杂质水平、同位素或碳氮硫等组成，以及批次、位置和处理前后的成分差异。项目依据总有机碳、总无机碳与总氮 TOC/TIC/TN方法设置样品前处理、测量参数、仪器配置和质量控制，技术目标是给出可追溯的定量结果，并说明校准范围、检出能力、重复性和基体影响；报告交付原始数据、结果及干扰说明。查看项目详情
项目资料

怎样选择仪器和制样方法

元素、成分与纯度按照组成、结构、形貌、性能和异常分析目标配置仪器与制样方法。

  1. 01分析目标

    列明元素、成分与纯度的组成、结构、形貌、性能或异常分析目标。

  2. 02样品状态与基体

    说明固体、粉末、液体、薄膜、界面或微区，以及是否允许切割、研磨和溶解。

  3. 03尺度、含量与检出限

    列明观察尺度、目标含量、检出要求、定性或定量精度和对照样设置。

  4. 04图谱与原始数据用途

    约定报告、图片、图谱、曲线、原始数据以及后续解释或复测要求。

交付结果

报告和检测数据

报告、数据、附件及技术资料等交付内容与所选检测方法和报告用途对应。

元素、成分与纯度方法与制样方案
样品状态、测试位置和关键仪器参数
图谱、图像、曲线或定量数据
质量控制、标样、空白或平行样记录
主要信号、异常特征和可比性说明
分析报告及约定的原始数据附件
常见问题

元素、成分与纯度常见问题

以下回答涵盖适用对象、执行标准、样品或现场条件、报告用途等常见问题。

01元素、成分与纯度具体应该选择哪个项目？

根据具体对象和项目目标，从电感耦合等离子体质谱 ICP-MS、电感耦合等离子体发射光谱 ICP-OES、X射线荧光光谱 XRF等13个方向等方向配置检测方法、样品数量和交付内容。

02委托元素、成分与纯度前需要准备哪些信息？

资料包括产品或样品名称、型号与批次、材料或组成、图纸或标准、异常现象、使用环境、目标参数和报告用途；现场项目同时提供地点、工况和作业时间。

03多个下属方向可以一次组合委托吗？

可以。项目按照同一批样品、共同制样、前后依赖和交付用途组合，并列明每项方法、样品量、周期和报告形式。

04检测报告包含哪些内容？

检测报告列明样品信息、执行标准、检测方法、仪器条件、实测数据、结果判定和报告标识。

页面所列标准、检测条件和报告用途按现行方法文件分类展示。

检测需求

提交检测需求

填写产品、样品或现场信息、检测目标、适用标准和报告用途，技术人员据此安排对应专业与服务项目。
检测需求表提交样品和实际问题

请填写样品、设备、检测目标和报告用途；标注 * 的项目为必填项。