检测范围
解析半导体和薄膜表面的微量污染、图形化学分布及多层深度组成，其中选择目标离子峰生成二维分布图，定位微量污染、添加剂、腐蚀产物和相区。质量峰分离、溅射坑尺寸和层间速率差随原始数据保存。
表面质谱
按飞行时间分离二次离子并采集正、负离子全谱，识别元素、同位素、分子碎片及特征簇离子，采集区域：先用光学坐标定位结构，再在完整图形单元内进行成像或深度序列。
对象与条件
化学成像：选择目标离子峰生成二维分布图，定位微量污染、添加剂、腐蚀产物和相区，结果用于解析半导体和薄膜表面的微量污染、图形化学分布及多层深度组成 表面质谱：按飞行时间分离二次离子并采集正、负离子全谱，识别元素、同位素、分子碎片及特征簇离子，测量位置按以下方式布置：先用光学坐标定位结构，再在完整图形单元内进行成像或深度序列 检测对象：半导体晶圆、多层薄膜、光刻结构和器件局部表面 测量位置：先用光学坐标定位结构，再在完整图形单元内进行成像或深度序列 数据判读：解析半导体和薄膜表面的微量污染、图形化学分布及多层深度组成
需要注意的限制
半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行 半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS结果报告列明各技术的信息深度和横向分辨率，并记录离子刻蚀、表面清洁、测试时间和模型拟合对结果的影响。 半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS结果对应实际收到的样品、采用的二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 导入制程层序与目标图形坐标，确定表面或深度任务；2. 选择一次离子、极性、质量分辨和视场；3. 采集表面全谱与特征离子图；4. 在独立窗口执行溅射循环并重构界面深度分布；5. 输出质谱、离子图、深度曲线、坑深和图形位置
基质效应
二次离子产额受基体和化学环境影响，信号强度用于同基体对比或经标准样校准的定量，样品资料：提供基底、真实层序、制程节点、掺杂或污染元素、标称厚度和目标图形。
质量分辨
同量异位离子和分子碎片通过高质量分辨、同位素模式与候选峰联合识别，测量位置：先用光学坐标定位结构，再在完整图形单元内进行成像或深度序列。
静态剂量
表面分子信息采用低一次离子剂量，深度分析则记录溅射束、循环和分析束剂量，对照数据：比较不同制程样或图形区域的表面碎片、掺杂分布与界面深度变化。
深度换算
溅射时间通过台阶深度或参考层厚换算，层间溅射率差和粗糙化影响写入曲线说明，结果解释：质量峰分离、溅射坑尺寸和层间速率差随原始数据保存。
适用产品与样品
半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 化学成像：选择目标离子峰生成二维分布图，定位微量污染、添加剂、腐蚀产物和相区，结果用于解析半导体和薄膜表面的微量污染、图形化学分布及多层深度组成
- 表面质谱：按飞行时间分离二次离子并采集正、负离子全谱，识别元素、同位素、分子碎片及特征簇离子，测量位置按以下方式布置：先用光学坐标定位结构，再在完整图形单元内进行成像或深度序列
- 检测对象：半导体晶圆、多层薄膜、光刻结构和器件局部表面
- 测量位置：先用光学坐标定位结构，再在完整图形单元内进行成像或深度序列
- 数据判读：解析半导体和薄膜表面的微量污染、图形化学分布及多层深度组成
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：半导体晶圆、多层薄膜、光刻结构和器件局部表面
- 02
制样与装夹：采用洁净转移并标记图形坐标，深度任务在均匀层区设置分析和溅射窗口
- 03
随样资料：提供基底、真实层序、制程节点、掺杂或污染元素、标称厚度和目标图形
- 04
对照样品：比较不同制程样或图形区域的表面碎片、掺杂分布与界面深度变化
- 05
位置记录：先用光学坐标定位结构，再在完整图形单元内进行成像或深度序列
样品形式：半导体晶圆、多层薄膜、光刻结构和器件局部表面 制样与装夹：采用洁净转移并标记图形坐标，深度任务在均匀层区设置分析和溅射窗口 随样资料：提供基底、真实层序、制程节点、掺杂或污染元素、标称厚度和目标图形 对照样品：比较不同制程样或图形区域的表面碎片、掺杂分布与界面深度变化 位置记录：先用光学坐标定位结构，再在完整图形单元内进行成像或深度序列
半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS技术报告及主要结论 半导体表面质谱、化学成像、多层深度曲线和图形坐标 原始资料：化学成像数据；提供基底、真实层序、制程节点、掺杂或污染元素、标称厚度和目标图形 位置资料：先用光学坐标定位结构，再在完整图形单元内进行成像或深度序列 对照资料：比较不同制程样或图形区域的表面碎片、掺杂分布与界面深度变化
检测项目
表面质谱
按飞行时间分离二次离子并采集正、负离子全谱，识别元素、同位素、分子碎片及特征簇离子，采集区域：先用光学坐标定位结构，再在完整图形单元内进行成像或深度序列。
化学成像
选择目标离子峰生成二维分布图，定位微量污染、添加剂、腐蚀产物和相区，对照组合：比较不同制程样或图形区域的表面碎片、掺杂分布与界面深度变化。
深度剖析
交替溅射与分析循环，获得多层膜、氧化层、扩散区和界面离子强度曲线，样品资料：提供基底、真实层序、制程节点、掺杂或污染元素、标称厚度和目标图形。
三维化学重构
将连续深度图堆叠为三维离子分布，显示污染、孔隙和界面的空间关系，数据判读：质量峰分离、溅射坑尺寸和层间速率差随原始数据保存。
正常异常对照
在未失效区和异常区使用一致剂量、质量范围和视场，比较特征离子峰及分布，应用方向：解析半导体和薄膜表面的微量污染、图形化学分布及多层深度组成。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 6 项
报告和检测数据
半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行
半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS结果报告列明各技术的信息深度和横向分辨率，并记录离子刻蚀、表面清洁、测试时间和模型拟合对结果的影响。
半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS结果对应实际收到的样品、采用的二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01半导体、薄膜与电子材料的化学成像关键参数如何呈现？
选择目标离子峰生成二维分布图，定位微量污染、添加剂、腐蚀产物和相区，解析半导体和薄膜表面的微量污染、图形化学分布及多层深度组成。
02半导体、薄膜与电子材料的化学成像送样类型有哪些？
半导体晶圆、多层薄膜、光刻结构和器件局部表面，采用洁净转移并标记图形坐标，深度任务在均匀层区设置分析和溅射窗口。
03半导体、薄膜与电子材料的化学成像制样步骤有哪些？
采用洁净转移并标记图形坐标，深度任务在均匀层区设置分析和溅射窗口，提供基底、真实层序、制程节点、掺杂或污染元素、标称厚度和目标图形。
04半导体、薄膜与电子材料的化学成像比较方案包括什么？
比较不同制程样或图形区域的表面碎片、掺杂分布与界面深度变化，一次离子、剂量、极性、质量范围、视场和溅射循环保持一致。
05半导体、薄膜与电子材料的化学成像位置分布如何安排？
先用光学坐标定位结构，再在完整图形单元内进行成像或深度序列，采用洁净转移并标记图形坐标，深度任务在均匀层区设置分析和溅射窗口。
06半导体、薄膜与电子材料的化学成像质量记录怎样保存？
质量峰分离、溅射坑尺寸和层间速率差随原始数据保存，一次离子、剂量、极性、质量范围、视场和溅射循环保持一致。
07半导体、薄膜与电子材料的化学成像交付资料怎样组成？
半导体表面质谱、化学成像、多层深度曲线和图形坐标，提供基底、真实层序、制程节点、掺杂或污染元素、标称厚度和目标图形。
08半导体、薄膜与电子材料的化学成像能用于哪些应用？
解析半导体和薄膜表面的微量污染、图形化学分布及多层深度组成，比较不同制程样或图形区域的表面碎片、掺杂分布与界面深度变化。