检测范围
以高表面灵敏度识别金属表面的微量污染、添加剂残留和腐蚀产物，其中按飞行时间分离二次离子并采集正、负离子全谱，识别元素、同位素、分子碎片及特征簇离子。SIMS信号受基质效应影响，同类表面按一致一次离子剂量和极性比较。
表面质谱
按飞行时间分离二次离子并采集正、负离子全谱，识别元素、同位素、分子碎片及特征簇离子，采集区域：表面质谱与离子成像围绕污染源、腐蚀边缘和均匀涂层区开展。
对象与条件
表面质谱：按飞行时间分离二次离子并采集正、负离子全谱，识别元素、同位素、分子碎片及特征簇离子，结果用于以高表面灵敏度识别金属表面的微量污染、添加剂残留和腐蚀产物 化学成像：选择目标离子峰生成二维分布图，定位微量污染、添加剂、腐蚀产物和相区，测量位置按以下方式布置：表面质谱与离子成像围绕污染源、腐蚀边缘和均匀涂层区开展 检测对象：洁净金属表面、防护涂层、腐蚀区和带局部残留的处理件 测量位置：表面质谱与离子成像围绕污染源、腐蚀边缘和均匀涂层区开展 数据判读：以高表面灵敏度识别金属表面的微量污染、添加剂残留和腐蚀产物
需要注意的限制
金属表面与防护涂层二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行 金属表面与防护涂层二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS结果报告列明各技术的信息深度和横向分辨率，并记录离子刻蚀、表面清洁、测试时间和模型拟合对结果的影响。 金属表面与防护涂层二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS结果对应实际收到的样品、采用的二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 根据外观图建立污染区、腐蚀区和基准区坐标；2. 选择正负离子模式、质量范围和静态剂量；3. 采集表面全谱并锁定特征离子；4. 形成目标离子二维分布并比较各位置的峰强与同位素模式；5. 交付原始质谱、离子图、峰归属和位置索引
基质效应
二次离子产额受基体和化学环境影响，信号强度用于同基体对比或经标准样校准的定量，样品资料：登记牌号、表面处理、清洗、涂层、服役环境、包装和异常现象。
质量分辨
同量异位离子和分子碎片通过高质量分辨、同位素模式与候选峰联合识别，测量位置：表面质谱与离子成像围绕污染源、腐蚀边缘和均匀涂层区开展。
静态剂量
表面分子信息采用低一次离子剂量，深度分析则记录溅射束、循环和分析束剂量，对照数据：比较处理前后、腐蚀区与基准区或不同供应批次的特征离子峰和分布。
适用产品与样品
金属表面与防护涂层二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 表面质谱：按飞行时间分离二次离子并采集正、负离子全谱，识别元素、同位素、分子碎片及特征簇离子，结果用于以高表面灵敏度识别金属表面的微量污染、添加剂残留和腐蚀产物
- 化学成像：选择目标离子峰生成二维分布图，定位微量污染、添加剂、腐蚀产物和相区，测量位置按以下方式布置：表面质谱与离子成像围绕污染源、腐蚀边缘和均匀涂层区开展
- 检测对象：洁净金属表面、防护涂层、腐蚀区和带局部残留的处理件
- 测量位置：表面质谱与离子成像围绕污染源、腐蚀边缘和均匀涂层区开展
- 数据判读：以高表面灵敏度识别金属表面的微量污染、添加剂残留和腐蚀产物
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：洁净金属表面、防护涂层、腐蚀区和带局部残留的处理件
- 02
制样与装夹：避免触碰分析面，使用显微坐标标出污染、腐蚀和相邻基准位置
- 03
随样资料：登记牌号、表面处理、清洗、涂层、服役环境、包装和异常现象
- 04
对照样品：比较处理前后、腐蚀区与基准区或不同供应批次的特征离子峰和分布
- 05
位置记录：表面质谱与离子成像围绕污染源、腐蚀边缘和均匀涂层区开展
样品形式：洁净金属表面、防护涂层、腐蚀区和带局部残留的处理件 制样与装夹：避免触碰分析面，使用显微坐标标出污染、腐蚀和相邻基准位置 随样资料：登记牌号、表面处理、清洗、涂层、服役环境、包装和异常现象 对照样品：比较处理前后、腐蚀区与基准区或不同供应批次的特征离子峰和分布 位置记录：表面质谱与离子成像围绕污染源、腐蚀边缘和均匀涂层区开展
金属表面与防护涂层二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS技术报告及主要结论 金属表面TOF-SIMS质谱、污染离子图、峰归属和区域对照 原始资料：表面质谱数据；登记牌号、表面处理、清洗、涂层、服役环境、包装和异常现象 位置资料：表面质谱与离子成像围绕污染源、腐蚀边缘和均匀涂层区开展 对照资料：比较处理前后、腐蚀区与基准区或不同供应批次的特征离子峰和分布
检测项目
表面质谱
按飞行时间分离二次离子并采集正、负离子全谱，识别元素、同位素、分子碎片及特征簇离子，采集区域：表面质谱与离子成像围绕污染源、腐蚀边缘和均匀涂层区开展。
化学成像
选择目标离子峰生成二维分布图，定位微量污染、添加剂、腐蚀产物和相区，对照组合：比较处理前后、腐蚀区与基准区或不同供应批次的特征离子峰和分布。
同位素追踪
根据同位素质量差和丰度比观察标记物扩散、交换反应或来源差异，样品资料：登记牌号、表面处理、清洗、涂层、服役环境、包装和异常现象。
正常异常对照
在未失效区和异常区使用一致剂量、质量范围和视场，比较特征离子峰及分布，数据判读：SIMS信号受基质效应影响，同类表面按一致一次离子剂量和极性比较。
基质效应
二次离子产额受基体和化学环境影响，信号强度用于同基体对比或经标准样校准的定量，并结合SIMS信号受基质效应影响，同类表面按一致一次离子剂量和极性比较。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 1 项
报告和检测数据
金属表面与防护涂层二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行
金属表面与防护涂层二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS结果报告列明各技术的信息深度和横向分辨率，并记录离子刻蚀、表面清洁、测试时间和模型拟合对结果的影响。
金属表面与防护涂层二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS结果对应实际收到的样品、采用的二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01金属表面与防护涂层的表面质谱结果项有哪些？
按飞行时间分离二次离子并采集正、负离子全谱，识别元素、同位素、分子碎片及特征簇离子，以高表面灵敏度识别金属表面的微量污染、添加剂残留和腐蚀产物。
02金属表面与防护涂层的表面质谱检测对象包括哪些样品？
洁净金属表面、防护涂层、腐蚀区和带局部残留的处理件，避免触碰分析面，使用显微坐标标出污染、腐蚀和相邻基准位置。
03金属表面与防护涂层的表面质谱样品状态怎样处理？
避免触碰分析面，使用显微坐标标出污染、腐蚀和相邻基准位置，登记牌号、表面处理、清洗、涂层、服役环境、包装和异常现象。
04金属表面与防护涂层的表面质谱样品间怎样做对比？
比较处理前后、腐蚀区与基准区或不同供应批次的特征离子峰和分布，一次离子、剂量、极性、质量范围、视场和溅射循环保持一致。
05金属表面与防护涂层的表面质谱测区范围怎样记录？
表面质谱与离子成像围绕污染源、腐蚀边缘和均匀涂层区开展，避免触碰分析面，使用显微坐标标出污染、腐蚀和相邻基准位置。
06金属表面与防护涂层的表面质谱测量质量怎样评价？
SIMS信号受基质效应影响，同类表面按一致一次离子剂量和极性比较，一次离子、剂量、极性、质量范围、视场和溅射循环保持一致。
07金属表面与防护涂层的表面质谱报告附件包含什么？
金属表面TOF-SIMS质谱、污染离子图、峰归属和区域对照，登记牌号、表面处理、清洗、涂层、服役环境、包装和异常现象。
08金属表面与防护涂层的表面质谱如何用于产品评价？
以高表面灵敏度识别金属表面的微量污染、添加剂残留和腐蚀产物，比较处理前后、腐蚀区与基准区或不同供应批次的特征离子峰和分布。