检测范围
识别高分子与复合界面的分子碎片、添加剂迁移和局部污染分布，其中选择目标离子峰生成二维分布图，定位微量污染、添加剂、腐蚀产物和相区。聚合物使用静态低剂量采集分子信息，束流损伤通过重复短时谱检查。
表面质谱
按飞行时间分离二次离子并采集正、负离子全谱，识别元素、同位素、分子碎片及特征簇离子，采集区域：表面成像覆盖树脂相、填料、界面与污染斑，异常坐标和相邻基准区同图记录。
对象与条件
化学成像：选择目标离子峰生成二维分布图，定位微量污染、添加剂、腐蚀产物和相区，结果用于识别高分子与复合界面的分子碎片、添加剂迁移和局部污染分布 表面质谱：按飞行时间分离二次离子并采集正、负离子全谱，识别元素、同位素、分子碎片及特征簇离子，测量位置按以下方式布置：表面成像覆盖树脂相、填料、界面与污染斑，异常坐标和相邻基准区同图记录 检测对象：聚合物表面、胶黏剂、复合界面和含添加剂或污染斑的功能层 测量位置：表面成像覆盖树脂相、填料、界面与污染斑，异常坐标和相邻基准区同图记录 数据判读：识别高分子与复合界面的分子碎片、添加剂迁移和局部污染分布
需要注意的限制
高分子、胶黏剂与复合界面二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行 高分子、胶黏剂与复合界面二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS结果报告列明各技术的信息深度和横向分辨率，并记录离子刻蚀、表面清洁、测试时间和模型拟合对结果的影响。 高分子、胶黏剂与复合界面二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS结果对应实际收到的样品、采用的二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 依据失效图选定聚合物表面、界面和对照区域；2. 选择有利于分子碎片识别的离子模式和质量分辨；3. 在静态剂量下采集全谱并确定特征碎片；4. 生成添加剂、树脂片段或污染离子的二维分布；5. 输出原始质谱、峰归属、化学图和测区位置
基质效应
二次离子产额受基体和化学环境影响，信号强度用于同基体对比或经标准样校准的定量，样品资料：提供树脂或胶体系、固化与老化条件、添加剂、粘接基材、异常位置和包装历史。
质量分辨
同量异位离子和分子碎片通过高质量分辨、同位素模式与候选峰联合识别，测量位置：表面成像覆盖树脂相、填料、界面与污染斑，异常坐标和相邻基准区同图记录。
静态剂量
表面分子信息采用低一次离子剂量，深度分析则记录溅射束、循环和分析束剂量，对照数据：比较不同配方、固化或老化状态，或良好区与失效区的分子碎片和离子分布。
深度换算
溅射时间通过台阶深度或参考层厚换算，层间溅射率差和粗糙化影响写入曲线说明，结果解释：聚合物使用静态低剂量采集分子信息，束流损伤通过重复短时谱检查。
适用产品与样品
高分子、胶黏剂与复合界面二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 化学成像：选择目标离子峰生成二维分布图，定位微量污染、添加剂、腐蚀产物和相区，结果用于识别高分子与复合界面的分子碎片、添加剂迁移和局部污染分布
- 表面质谱：按飞行时间分离二次离子并采集正、负离子全谱，识别元素、同位素、分子碎片及特征簇离子，测量位置按以下方式布置：表面成像覆盖树脂相、填料、界面与污染斑，异常坐标和相邻基准区同图记录
- 检测对象：聚合物表面、胶黏剂、复合界面和含添加剂或污染斑的功能层
- 测量位置：表面成像覆盖树脂相、填料、界面与污染斑，异常坐标和相邻基准区同图记录
- 数据判读：识别高分子与复合界面的分子碎片、添加剂迁移和局部污染分布
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：聚合物表面、胶黏剂、复合界面和含添加剂或污染斑的功能层
- 02
制样与装夹：减少清洗和触碰，按原始状态固定样品；截面任务保持界面层序
- 03
随样资料：提供树脂或胶体系、固化与老化条件、添加剂、粘接基材、异常位置和包装历史
- 04
对照样品：比较不同配方、固化或老化状态，或良好区与失效区的分子碎片和离子分布
- 05
位置记录：表面成像覆盖树脂相、填料、界面与污染斑，异常坐标和相邻基准区同图记录
样品形式：聚合物表面、胶黏剂、复合界面和含添加剂或污染斑的功能层 制样与装夹：减少清洗和触碰，按原始状态固定样品；截面任务保持界面层序 随样资料：提供树脂或胶体系、固化与老化条件、添加剂、粘接基材、异常位置和包装历史 对照样品：比较不同配方、固化或老化状态，或良好区与失效区的分子碎片和离子分布 位置记录：表面成像覆盖树脂相、填料、界面与污染斑，异常坐标和相邻基准区同图记录
高分子、胶黏剂与复合界面二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS技术报告及主要结论 高分子TOF-SIMS分子质谱、添加剂或污染离子图及界面位置 原始资料：化学成像数据；提供树脂或胶体系、固化与老化条件、添加剂、粘接基材、异常位置和包装历史 位置资料：表面成像覆盖树脂相、填料、界面与污染斑，异常坐标和相邻基准区同图记录 对照资料：比较不同配方、固化或老化状态，或良好区与失效区的分子碎片和离子分布
检测项目
表面质谱
按飞行时间分离二次离子并采集正、负离子全谱，识别元素、同位素、分子碎片及特征簇离子，采集区域：表面成像覆盖树脂相、填料、界面与污染斑，异常坐标和相邻基准区同图记录。
化学成像
选择目标离子峰生成二维分布图，定位微量污染、添加剂、腐蚀产物和相区，对照组合：比较不同配方、固化或老化状态，或良好区与失效区的分子碎片和离子分布。
三维化学重构
将连续深度图堆叠为三维离子分布，显示污染、孔隙和界面的空间关系，样品资料：提供树脂或胶体系、固化与老化条件、添加剂、粘接基材、异常位置和包装历史。
正常异常对照
在未失效区和异常区使用一致剂量、质量范围和视场，比较特征离子峰及分布，数据判读：聚合物使用静态低剂量采集分子信息，束流损伤通过重复短时谱检查。
基质效应
二次离子产额受基体和化学环境影响，信号强度用于同基体对比或经标准样校准的定量，并结合聚合物使用静态低剂量采集分子信息，束流损伤通过重复短时谱检查。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 1 项
报告和检测数据
高分子、胶黏剂与复合界面二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行
高分子、胶黏剂与复合界面二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS结果报告列明各技术的信息深度和横向分辨率，并记录离子刻蚀、表面清洁、测试时间和模型拟合对结果的影响。
高分子、胶黏剂与复合界面二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS结果对应实际收到的样品、采用的二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01高分子、胶黏剂与复合界面的化学成像能得到哪些参数？
选择目标离子峰生成二维分布图，定位微量污染、添加剂、腐蚀产物和相区，识别高分子与复合界面的分子碎片、添加剂迁移和局部污染分布。
02高分子、胶黏剂与复合界面的化学成像常见送样形态有哪些？
聚合物表面、胶黏剂、复合界面和含添加剂或污染斑的功能层，减少清洗和触碰，按原始状态固定样品；截面任务保持界面层序。
03高分子、胶黏剂与复合界面的化学成像制样时要准备什么？
减少清洗和触碰，按原始状态固定样品；截面任务保持界面层序，提供树脂或胶体系、固化与老化条件、添加剂、粘接基材、异常位置和包装历史。
04高分子、胶黏剂与复合界面的化学成像参照组怎样设置？
比较不同配方、固化或老化状态，或良好区与失效区的分子碎片和离子分布，一次离子、剂量、极性、质量范围、视场和溅射循环保持一致。
05高分子、胶黏剂与复合界面的化学成像测区如何选择？
表面成像覆盖树脂相、填料、界面与污染斑，异常坐标和相邻基准区同图记录，减少清洗和触碰，按原始状态固定样品；截面任务保持界面层序。
06高分子、胶黏剂与复合界面的化学成像数据质量如何保证？
聚合物使用静态低剂量采集分子信息，束流损伤通过重复短时谱检查，一次离子、剂量、极性、质量范围、视场和溅射循环保持一致。
07高分子、胶黏剂与复合界面的化学成像原始数据文件有哪些？
高分子TOF-SIMS分子质谱、添加剂或污染离子图及界面位置，提供树脂或胶体系、固化与老化条件、添加剂、粘接基材、异常位置和包装历史。
08高分子、胶黏剂与复合界面的化学成像怎样支持工艺判断？
识别高分子与复合界面的分子碎片、添加剂迁移和局部污染分布，比较不同配方、固化或老化状态，或良好区与失效区的分子碎片和离子分布。