标准适用范围
GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法介绍标准的适用对象、有效版本、执行条件、关键步骤和结果用途。
主要检测内容
GB/T 41153-2021《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》在半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS中按具体对象落实方法步骤和技术参数
GB/T 41153-2021用于半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS的碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法项目实施与数据记录。
半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS的标准方法实施与数据记录
样品、现象、标准版本、已有数据和结果用途
GB/T 41153-2021对应的代表性样品、批次样品和指定测量位置
标准技术要求 + 检测条件记录
GB/T 41153-2021《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》实施信息与半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS实测结果
项目技术要点
标准概况
GB/T 41153-2021《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》由全国标准信息公共服务平台发布，适用于半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS，标准关系覆盖样品信息、仪器条件、数据处理和结果记录。
技术应用
- GB/T 41153-2021用于半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS的碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法项目实施与数据记录。
相关仪器项目
GB/T 41153-2021关联以下仪器测试项目： - [半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS](/services/instrument-testing/surface-interface/sims-tof-sims/sims-tof-sims-semiconductors-films-and-electronic-materials)
方法实施与原始记录
半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS按GB/T 41153-2021记录样品与制样信息、仪器型号、测量程序、实际采集参数、校准核查、原始数据和计算结果。
样品与项目信息
提交样品名称、材质或组成、型号、批次、数量、取样位置和报告用途；标明GB/T 41153-2021项目的待测参数、样品状态和已有技术资料；按碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法对应对象完成样品包装、标识、保存和运输；将样品编号与批次、取样位置、前处理记录和报告用途逐项对应。样品编号与测量位置、前处理过程、批次和原始记录保持对应。
数据与质量控制
碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法的数据质量控制围绕半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS展开：光谱、图像、曲线或数值结果分别归档，并按GB/T 41153-2021关联仪器状态、校准核查、标准样、平行样、重复结果和项目原始数据。
适用对象与应用场景
GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法适用于以下对象、测试目的和应用条件。
适用产品与技术问题
- GB/T 41153-2021用于半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS的碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法项目实施与数据记录。
- 半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS的标准方法实施与数据记录
- GB/T 41153-2021对应的样品类型、制样过程与测量条件
- GB/T 41153-2021规定的仪器校准、标准样或对照样质量控制
- GB/T 41153-2021项目形成的原始图谱、图像、曲线与计算结果
- GB/T 41153-2021报告中的方法条件、实测数据和结果记录
- GB/T 41153-2021对应样品、仪器条件、原始数据和计算结果的完整记录
委托资料与样品要求
提交标准编号和版本、产品或材料信息、样品状态、判定依据及报告用途。
- 01
GB/T 41153-2021对应的代表性样品、批次样品和指定测量位置
- 02
半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS对应的代表性样品、平行样、对照样和项目资料
GB/T 41153-2021对应的代表性样品、批次样品和指定测量位置。适用版本、产品要求、现象记录和已有数据用于匹配标准与验证方案。
GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法项目列明技术问题、标准版本、样品量、执行条件与结果交付日期。
主要提供GB/T 41153-2021《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》实施信息与半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS实测结果、样品信息、仪器条件、测量参数和质量控制记录，其他数据和附件在委托单中列明。
技术问题、适用标准和现有资料对应至检测项目，并完成结果复核。
主要技术要求
主要检测内容
GB/T 41153-2021《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》在半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS中按具体对象落实方法步骤和技术参数
取样与样品处理
登记样品、制样过程、仪器型号、测量程序和实际采集参数
质量控制
关联校准核查、标准样或对照样、原始图谱、图像、曲线及计算过程
补充质量控制
按GB/T 41153-2021整理质量控制、重复结果、数据处理过程和报告记录
标准实施要点
应用场景
GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法覆盖研发、质量控制、验收、认证支持和争议核查。
标准版本
列明标准编号、年份、修订件、引用文件以及合同或产品规范要求。
对象与样品
GB/T 41153-2021对应的代表性样品、批次样品和指定测量位置
确定执行条件
把主要检测内容、取样与样品处理落实为设备、环境、步骤、参数、质量控制和记录要求。
完成检测与复核
按规定条件实施测试，复核原始数据、计算过程、异常记录和判定依据。
交付结果和说明
提供GB/T 41153-2021《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》实施信息与半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS实测结果、样品信息、仪器条件、测量参数和质量控制记录、标准版本、测试条件和相关记录。
版本与关联标准
GB/T 41153-2021《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》由全国标准信息公共服务平台发布。
标准编号：GB/T 41153-2021；标准名称：碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法；发布机构：全国标准信息公共服务平台。
全国标准信息公共服务平台报告与交付内容
报告列明实际样品、检测方法、测试条件、结果和约定附件。
报告同步提供质量控制、数据复核和判定依据等项目记录。
样品、批次、工况或标准发生变化时，按新条件开展补充检测。
报告支持CMA/CNAS标识、合格判定及英文版本，相关要求可在需求表中注明。标准应用常见问题
01GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法包括哪些检测内容？
GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法的主要内容包括GB/T 41153-2021《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》在半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS中按具体对象落实方法步骤和技术参数。 GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法项目表按样品形态、目标参数和报告用途列出测量项目、测试条件、重复次数、质量控制及数据处理要求。
02GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法需要提供哪些样品和资料？
送样包括GB/T 41153-2021对应的代表性样品、批次样品和指定测量位置，并按批次、状态和取样位置分别编号。 GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法样品清单标明名称、型号、批次、取样位置、数量、状态、保存条件和处理历史，对比项目同时提交正常样、异常样或不同批次样。
03GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法采用什么标准和方法？
主要依据为GB/T 41153-2021，检测方法包括GB/T 41153-2021《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》在半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS中按具体对象落实方法步骤和技术参数。 GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法委托项目单记录标准编号、版本、产品规范、样品条件和判定要求，多种方法联合使用时分别记录原始数据和质量控制。
04GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法报告包含哪些内容？
主要交付GB/T 41153-2021《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》实施信息与半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS实测结果，内容包含样品、方法、数据和判定依据。 GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法报告列明样品、方法、条件、实测数据、计算结果和判定依据，可用于半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS的方法实施记录，图谱、照片、原始数据或英文信息按委托要求附入。