本页说明
GB/T 24580-2009《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》由全国标准信息公共服务平台发布，适用于半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS，标准关系覆盖样品信息、仪器条件、数据处理和结果记录。
适用对象与条件
- GB/T 24580-2009用于半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS的重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法项目实施与数据记录。
- 半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS的标准方法实施与数据记录
- GB/T 24580-2009对应的样品类型、制样过程与测量条件
- GB/T 24580-2009规定的仪器校准、标准样或对照样质量控制
- GB/T 24580-2009项目形成的原始图谱、图像、曲线与计算结果
- GB/T 24580-2009报告中的方法条件、实测数据和结果记录
- GB/T 24580-2009对应样品、仪器条件、原始数据和计算结果的完整记录
主要要求与方法
主要检测内容
GB/T 24580-2009《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》在半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS中按具体对象落实方法步骤和技术参数
取样与样品处理
登记样品、制样过程、仪器型号、测量程序和实际采集参数
质量控制
关联校准核查、标准样或对照样、原始图谱、图像、曲线及计算过程
补充质量控制
按GB/T 24580-2009整理质量控制、重复结果、数据处理过程和报告记录
方法、条件与注意事项
标准概况
GB/T 24580-2009《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》由全国标准信息公共服务平台发布，适用于半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS，标准关系覆盖样品信息、仪器条件、数据处理和结果记录。
技术应用
- GB/T 24580-2009用于半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS的重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法项目实施与数据记录。
相关仪器项目
GB/T 24580-2009关联以下仪器测试项目： - [半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS](/services/instrument-testing/surface-interface/sims-tof-sims/sims-tof-sims-semiconductors-films-and-electronic-materials)
方法实施与原始记录
半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS按GB/T 24580-2009记录样品与制样信息、仪器型号、测量程序、实际采集参数、校准核查、原始数据和计算结果。
样品与项目信息
提交样品名称、材质或组成、型号、批次、数量、取样位置和报告用途；标明GB/T 24580-2009项目的待测参数、样品状态和已有技术资料；按重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法对应对象完成样品包装、标识、保存和运输；将样品编号与批次、取样位置、前处理记录和报告用途逐项对应。样品编号与测量位置、前处理过程、批次和原始记录保持对应。
数据与质量控制
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法的数据质量控制围绕半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS展开：光谱、图像、曲线或数值结果分别归档，并按GB/T 24580-2009关联仪器状态、校准核查、标准样、平行样、重复结果和项目原始数据。
报告与交付
GB/T 24580-2009《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》实施信息与半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS实测结果；样品信息、仪器条件、测量参数和质量控制记录；原始光谱、图像、曲线或数值结果及报告结论；GB/T 24580-2009项目的数据处理、重复结果和标准应用记录。报告标明GB/T 24580-2009《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》、实际仪器项目、样品信息、方法条件和实测结果。
官方来源
全国标准信息公共服务平台发布了GB/T 24580-2009《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》，[查看该标准的官方发布记录](https://openstd.samr.gov.cn/bzgk/std/newGbInfo?hcno=1819C9569AFBA668A3A2DD73ACBBB61B)。
需要结合哪些资料
- GB/T 24580-2009对应的代表性样品、批次样品和指定测量位置；半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS对应的代表性样品、平行样、对照样和项目资料
参考依据与来源
GB/T 24580-2009《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》由全国标准信息公共服务平台发布。
标准编号：GB/T 24580-2009；标准名称：重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法；发布机构：全国标准信息公共服务平台。
全国标准信息公共服务平台结果怎样使用
- GB/T 24580-2009《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》实施信息与半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS实测结果
- 样品信息、仪器条件、测量参数和质量控制记录
- 原始光谱、图像、曲线或数值结果及报告结论
- GB/T 24580-2009项目的数据处理、重复结果和标准应用记录
使用结果时需要结合的事项
- 半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS的方法实施记录；重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法对应的研发与质量控制；GB/T 24580-2009项目的批次比较与结果复核
标准使用常见问题
01GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法包括哪些检测内容？
GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法的主要内容包括GB/T 24580-2009《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》在半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS中按具体对象落实方法步骤和技术参数。 GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法项目表按样品形态、目标参数和报告用途列出测量项目、测试条件、重复次数、质量控制及数据处理要求。
02GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法需要提供哪些样品和资料？
送样包括GB/T 24580-2009对应的代表性样品、批次样品和指定测量位置，并按批次、状态和取样位置分别编号。 GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法样品清单标明名称、型号、批次、取样位置、数量、状态、保存条件和处理历史，对比项目同时提交正常样、异常样或不同批次样。
03GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法采用什么标准和方法？
主要依据为GB/T 24580-2009，检测方法包括GB/T 24580-2009《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》在半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS中按具体对象落实方法步骤和技术参数。 GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法委托确认单记录标准编号、版本、产品规范、样品条件和判定要求，多种方法联合使用时分别记录原始数据和质量控制。
04GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法报告包含哪些内容？
主要交付GB/T 24580-2009《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》实施信息与半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS实测结果，内容包含样品、方法、数据和判定依据。 GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法报告列明样品、方法、条件、实测数据、计算结果和判定依据，可用于半导体、薄膜与电子材料二次离子质谱 SIMS/TOF-SIMS的方法实施记录，图谱、照片、原始数据或英文信息按委托要求附入。