检测范围
综合晶格常数、RSM和摇摆展宽评价应变状态、弛豫路径与外延完整性，其中测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽。组分、应变和弛豫联立求解，马赛克展宽与成分梯度不混作同一来源。
对称反射扫描
测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，采集区域：围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射。
对象与条件
对称反射扫描：测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，结果用于综合晶格常数、RSM和摇摆展宽评价应变状态、弛豫路径与外延完整性 非对称反射扫描：结合面内与面外倒易矢量分量计算面内晶格常数、组分和应变状态，测量位置按以下方式布置：围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射 检测对象：部分弛豫外延层、失配异质结、缓冲层结构和退火前后的单晶薄膜 测量位置：围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射 数据判读：综合晶格常数、RSM和摇摆展宽评价应变状态、弛豫路径与外延完整性
需要注意的限制
应变、弛豫与外延质量结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行 应变、弛豫与外延质量结果物相分析同步记录含量、结晶度、峰重叠、择优取向、荧光背景、样品尺寸和模型；无定形相与低含量相结合互补方法复核。 应变、弛豫与外延质量结果对应实际收到的样品、采用的高分辨XRD与倒易空间图 HRXRD/RSM条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 依据外延关系确定面内外晶格求解所需反射组合；2. 完成基底峰定位、方位校准和分辨率函数记录；3. 采集对称高分辨曲线、非对称RSM与摇摆曲线；4. 求解面内外晶格参数并分析弛豫线和峰展宽分量；5. 将应变、弛豫、马赛克和工艺条件汇总为外延质量图
仪器分辨
单色器与分析器的分辨函数写入峰宽评价，避免把仪器展宽解释为晶体缺陷，样品资料：记录材料体系、基底晶格、设计组分、缓冲层、层厚、温度和退火时间。
反射选择
对称反射主要表征面外方向，非对称反射提供面内分量，两者联合完成应变分解，测量位置：围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射。
材料模型
组分计算采用对应材料体系的晶格常数与弹性常数，温度和掺杂影响纳入参数记录，对照数据：以同基底未退火样和工艺调整样比较面内晶格、弛豫度与峰展宽。
峰形处理
基底峰、层峰与卫星峰分别标注，分峰区间和背景函数随报告一并保存，结果解释：组分、应变和弛豫联立求解，马赛克展宽与成分梯度不混作同一来源。
适用产品与样品
应变、弛豫与外延质量适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 对称反射扫描：测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，结果用于综合晶格常数、RSM和摇摆展宽评价应变状态、弛豫路径与外延完整性
- 非对称反射扫描：结合面内与面外倒易矢量分量计算面内晶格常数、组分和应变状态，测量位置按以下方式布置：围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射
- 检测对象：部分弛豫外延层、失配异质结、缓冲层结构和退火前后的单晶薄膜
- 测量位置：围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射
- 数据判读：综合晶格常数、RSM和摇摆展宽评价应变状态、弛豫路径与外延完整性
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：部分弛豫外延层、失配异质结、缓冲层结构和退火前后的单晶薄膜
- 02
制样与装夹：保留生长方位与层序，样片固定后使目标非对称反射位于同一衍射平面
- 03
随样资料：记录材料体系、基底晶格、设计组分、缓冲层、层厚、温度和退火时间
- 04
对照样品：以同基底未退火样和工艺调整样比较面内晶格、弛豫度与峰展宽
- 05
位置记录：围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射
样品形式：部分弛豫外延层、失配异质结、缓冲层结构和退火前后的单晶薄膜 制样与装夹：保留生长方位与层序，样片固定后使目标非对称反射位于同一衍射平面 随样资料：记录材料体系、基底晶格、设计组分、缓冲层、层厚、温度和退火时间 对照样品：以同基底未退火样和工艺调整样比较面内晶格、弛豫度与峰展宽 位置记录：围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射
应变、弛豫与外延质量技术报告及主要结论 交付晶格参数、应变与弛豫度、RSM、摇摆展宽和外延质量对照 原始资料：对称反射扫描数据；记录材料体系、基底晶格、设计组分、缓冲层、层厚、温度和退火时间 位置资料：围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射 对照资料：以同基底未退火样和工艺调整样比较面内晶格、弛豫度与峰展宽
检测项目
对称反射扫描
测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，采集区域：围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射。
非对称反射扫描
结合面内与面外倒易矢量分量计算面内晶格常数、组分和应变状态，对照组合：以同基底未退火样和工艺调整样比较面内晶格、弛豫度与峰展宽。
倒易空间图
在Qx-Qz空间分离基底、外延层、缓冲层和卫星峰，展示弛豫及马赛克展宽方向，样品资料：记录材料体系、基底晶格、设计组分、缓冲层、层厚、温度和退火时间。
组分与应变计算
按材料体系的无应变晶格关系计算合金组分、双轴应变和弛豫度，数据判读：组分、应变和弛豫联立求解，马赛克展宽与成分梯度不混作同一来源。
摇摆与径向展宽
分别分析ω方向和ω-2θ方向半峰宽，区分倾斜、扭转、厚度和微应变贡献，应用方向：综合晶格常数、RSM和摇摆展宽评价应变状态、弛豫路径与外延完整性。
晶圆位置对比
在中心、边缘和方位点使用相同反射与步长，形成外延均匀性数据，批次控制：同一反射、单色光学、样品方位和倒易坐标换算。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 1 项
报告和检测数据
应变、弛豫与外延质量结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行
应变、弛豫与外延质量结果物相分析同步记录含量、结晶度、峰重叠、择优取向、荧光背景、样品尺寸和模型；无定形相与低含量相结合互补方法复核。
应变、弛豫与外延质量结果对应实际收到的样品、采用的高分辨XRD与倒易空间图 HRXRD/RSM条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01应变、弛豫与外延质量的对称反射扫描能得到哪些参数？
测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，综合晶格常数、RSM和摇摆展宽评价应变状态、弛豫路径与外延完整性。
02应变、弛豫与外延质量的对称反射扫描常见送样形态有哪些？
部分弛豫外延层、失配异质结、缓冲层结构和退火前后的单晶薄膜，保留生长方位与层序，样片固定后使目标非对称反射位于同一衍射平面。
03应变、弛豫与外延质量的对称反射扫描制样时要准备什么？
保留生长方位与层序，样片固定后使目标非对称反射位于同一衍射平面，记录材料体系、基底晶格、设计组分、缓冲层、层厚、温度和退火时间。
04应变、弛豫与外延质量的对称反射扫描参照组怎样设置？
以同基底未退火样和工艺调整样比较面内晶格、弛豫度与峰展宽，反射、单色光学、样品方位和倒易坐标换算保持一致。
05应变、弛豫与外延质量的对称反射扫描测区如何选择？
围绕基底峰和层峰采集对称扫描及非对称RSM，跨晶圆位置保持同一反射，保留生长方位与层序，样片固定后使目标非对称反射位于同一衍射平面。
06应变、弛豫与外延质量的对称反射扫描数据质量如何保证？
组分、应变和弛豫联立求解，马赛克展宽与成分梯度不混作同一来源，反射、单色光学、样品方位和倒易坐标换算保持一致。
07应变、弛豫与外延质量的对称反射扫描原始数据文件有哪些？
交付晶格参数、应变与弛豫度、RSM、摇摆展宽和外延质量对照，记录材料体系、基底晶格、设计组分、缓冲层、层厚、温度和退火时间。
08应变、弛豫与外延质量的对称反射扫描怎样支持工艺判断？
综合晶格常数、RSM和摇摆展宽评价应变状态、弛豫路径与外延完整性，以同基底未退火样和工艺调整样比较面内晶格、弛豫度与峰展宽。