检测范围
计算外延层面内与面外晶格常数、合金组分、双轴应变和弛豫度，其中测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽。组分计算采用对应材料体系的晶格关系，基底峰与层峰分离后再进行应变求解。
对称反射扫描
测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，采集区域：在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标。
对象与条件
对称反射扫描：测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，结果用于计算外延层面内与面外晶格常数、合金组分、双轴应变和弛豫度 非对称反射扫描：结合面内与面外倒易矢量分量计算面内晶格常数、组分和应变状态，测量位置按以下方式布置：在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标 检测对象：晶向明确的单晶外延片、组分系列外延层和带同体系参考样的晶圆切片 测量位置：在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标 数据判读：计算外延层面内与面外晶格常数、合金组分、双轴应变和弛豫度
需要注意的限制
外延层晶格常数与组分结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行 外延层晶格常数与组分结果物相分析同步记录含量、结晶度、峰重叠、择优取向、荧光背景、样品尺寸和模型；无定形相与低含量相结合互补方法复核。 外延层晶格常数与组分结果对应实际收到的样品、采用的高分辨XRD与倒易空间图 HRXRD/RSM条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 依据基底晶向和外延关系选定对称及非对称反射；2. 完成单色光学、样品方位和峰位基准校准；3. 采集高分辨ω-2θ扫描与目标反射倒易空间图；4. 将Qx、Qz转换为晶格常数并联立求解组分和弛豫；5. 汇总各测点层峰、组分、应变、弛豫度和计算关系
仪器分辨
单色器与分析器的分辨函数写入峰宽评价，避免把仪器展宽解释为晶体缺陷，样品资料：记录基底晶格常数、材料体系、标称组分、层厚、生长条件和退火状态。
反射选择
对称反射主要表征面外方向，非对称反射提供面内分量，两者联合完成应变分解，测量位置：在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标。
材料模型
组分计算采用对应材料体系的晶格常数与弹性常数，温度和掺杂影响纳入参数记录，对照数据：对照基底峰、已知组分参考层和不同生长条件外延层的晶格参数。
峰形处理
基底峰、层峰与卫星峰分别标注，分峰区间和背景函数随报告一并保存，结果解释：组分计算采用对应材料体系的晶格关系，基底峰与层峰分离后再进行应变求解。
适用产品与样品
外延层晶格常数与组分适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 对称反射扫描：测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，结果用于计算外延层面内与面外晶格常数、合金组分、双轴应变和弛豫度
- 非对称反射扫描：结合面内与面外倒易矢量分量计算面内晶格常数、组分和应变状态，测量位置按以下方式布置：在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标
- 检测对象：晶向明确的单晶外延片、组分系列外延层和带同体系参考样的晶圆切片
- 测量位置：在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标
- 数据判读：计算外延层面内与面外晶格常数、合金组分、双轴应变和弛豫度
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：晶向明确的单晶外延片、组分系列外延层和带同体系参考样的晶圆切片
- 02
制样与装夹：标记晶圆缺口与外延面，保持样片平整并避开崩边和表面颗粒
- 03
随样资料：记录基底晶格常数、材料体系、标称组分、层厚、生长条件和退火状态
- 04
对照样品：对照基底峰、已知组分参考层和不同生长条件外延层的晶格参数
- 05
位置记录：在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标
样品形式：晶向明确的单晶外延片、组分系列外延层和带同体系参考样的晶圆切片 制样与装夹：标记晶圆缺口与外延面，保持样片平整并避开崩边和表面颗粒 随样资料：记录基底晶格常数、材料体系、标称组分、层厚、生长条件和退火状态 对照样品：对照基底峰、已知组分参考层和不同生长条件外延层的晶格参数 位置记录：在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标
外延层晶格常数与组分技术报告及主要结论 交付高分辨扫描、RSM、晶格常数、组分、面内外应变和弛豫度结果 原始资料：对称反射扫描数据；记录基底晶格常数、材料体系、标称组分、层厚、生长条件和退火状态 位置资料：在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标 对照资料：对照基底峰、已知组分参考层和不同生长条件外延层的晶格参数
检测项目
对称反射扫描
测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，采集区域：在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标。
非对称反射扫描
结合面内与面外倒易矢量分量计算面内晶格常数、组分和应变状态，对照组合：对照基底峰、已知组分参考层和不同生长条件外延层的晶格参数。
倒易空间图
在Qx-Qz空间分离基底、外延层、缓冲层和卫星峰，展示弛豫及马赛克展宽方向，样品资料：记录基底晶格常数、材料体系、标称组分、层厚、生长条件和退火状态。
组分与应变计算
按材料体系的无应变晶格关系计算合金组分、双轴应变和弛豫度，数据判读：组分计算采用对应材料体系的晶格关系，基底峰与层峰分离后再进行应变求解。
摇摆与径向展宽
分别分析ω方向和ω-2θ方向半峰宽，区分倾斜、扭转、厚度和微应变贡献，应用方向：计算外延层面内与面外晶格常数、合金组分、双轴应变和弛豫度。
晶圆位置对比
在中心、边缘和方位点使用相同反射与步长，形成外延均匀性数据，批次控制：同一反射、单色光学、样品方位和倒易坐标换算。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 1 项
报告和检测数据
外延层晶格常数与组分结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行
外延层晶格常数与组分结果物相分析同步记录含量、结晶度、峰重叠、择优取向、荧光背景、样品尺寸和模型；无定形相与低含量相结合互补方法复核。
外延层晶格常数与组分结果对应实际收到的样品、采用的高分辨XRD与倒易空间图 HRXRD/RSM条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01外延层晶格常数与组分的对称反射扫描结果项有哪些？
测量生长方向晶格间距与外延峰位置，获得面外晶格常数和层峰展宽，计算外延层面内与面外晶格常数、合金组分、双轴应变和弛豫度。
02外延层晶格常数与组分的对称反射扫描检测对象包括哪些样品？
晶向明确的单晶外延片、组分系列外延层和带同体系参考样的晶圆切片，标记晶圆缺口与外延面，保持样片平整并避开崩边和表面颗粒。
03外延层晶格常数与组分的对称反射扫描样品状态怎样处理？
标记晶圆缺口与外延面，保持样片平整并避开崩边和表面颗粒，记录基底晶格常数、材料体系、标称组分、层厚、生长条件和退火状态。
04外延层晶格常数与组分的对称反射扫描样品间怎样做对比？
对照基底峰、已知组分参考层和不同生长条件外延层的晶格参数，反射、单色光学、样品方位和倒易坐标换算保持一致。
05外延层晶格常数与组分的对称反射扫描测区范围怎样记录？
在晶圆中心及选定边缘方位测量对称和非对称反射，位置使用统一坐标，标记晶圆缺口与外延面，保持样片平整并避开崩边和表面颗粒。
06外延层晶格常数与组分的对称反射扫描测量质量怎样评价？
组分计算采用对应材料体系的晶格关系，基底峰与层峰分离后再进行应变求解，反射、单色光学、样品方位和倒易坐标换算保持一致。
07外延层晶格常数与组分的对称反射扫描报告附件包含什么？
交付高分辨扫描、RSM、晶格常数、组分、面内外应变和弛豫度结果，记录基底晶格常数、材料体系、标称组分、层厚、生长条件和退火状态。
08外延层晶格常数与组分的对称反射扫描如何用于产品评价？
计算外延层面内与面外晶格常数、合金组分、双轴应变和弛豫度，对照基底峰、已知组分参考层和不同生长条件外延层的晶格参数。