检测范围
材料功函数与接触电势差利用振动电容或扫描开尔文探针测量接触电势差，换算功函数并绘制表面电势分布，用于测定材料功函数与接触电势差，比较表面处理、氧化和吸附造成的变化；图表能够追溯到具体样品与测区，报告包含接触电势差与表面电势成像的图表和参数。
接触电势差
测量样品与参考探针之间的电势差，结合参考功函数计算样品功函数，接触电势差支撑功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价，开尔文探针与功函数采用参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序，对照条件为材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置。
对象与条件
接触电势差：测量样品与参考探针之间的电势差，结合参考功函数计算样品功函数，样品分组依据为材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，接触电势差用于功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价，结果测定材料功函数与接触电势差，比较表面处理、氧化和吸附造成的变化。 原始资料包括点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线，材料功函数与接触电势差记录将接触电势差、表面电势成像与样品状态分别对应，表面电势成像：按网格扫描生成二维电势分布，定位晶粒、涂层、腐蚀区或器件图形差异。 开尔文探针与功函数适用于可稳定放置的金属、半导体、导电涂层、电极、腐蚀表面或光电功能薄膜，表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置与接触电势差数据关联，工作面位置和测区方向在图中标识，测量结果用于测定材料功函数与接触电势差，比较表面处理、氧化和吸附造成的变化。 材料功函数与接触电势差结果按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置分组，报告提供接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化，接触电势差测区安排：以材料功函数与接触电势差工作面为坐标基准，依次标记常规区、处理区和异常区的测量位置，材料功函数与接触电势差的位置图标注接触电势差测区、方向和编号，数据用于测定材料功函数与接触电势差，比较表面处理、氧化和吸附造成的变化。 对照样按材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置设置，结果采用功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价进行分析，接触电势差与表面电势成像执行参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序。
需要注意的限制
材料功函数与接触电势差结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行 材料功函数与接触电势差结果报告列明各技术的信息深度和横向分辨率，并记录离子刻蚀、表面清洁、测试时间和模型拟合对结果的影响。 材料功函数与接触电势差结果对应实际收到的样品、采用的开尔文探针与功函数条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 登记表面状态、接地位置、测区和环境程序，任务档案保存点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线，材料功函数与接触电势差登记材料组成、表面处理、掺杂、涂层、腐蚀状态、工作气氛、光照波长和目标区域，分组信息采用表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置；2. 制样状态对应表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，材料功函数与接触电势差样品保持表面洁净并记录空气暴露、气氛和光照历史，建立导电连接，标记扫描坐标与方向，接触电势差保留制样状态，使用参考材料校准探针功函数并稳定探针高度；3. 采集点测、线扫、面扫或光照气氛时间序列，以材料功函数与接触电势差工作面为坐标基准，依次标记常规区、处理区和异常区的测量位置，采集数据用于测定材料功函数与接触电势差，比较表面处理、氧化和吸附造成的变化，采集位置按材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置设置；4. 接触电势差和表面电势成像按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置记录，对照组采用材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，复核记录关联点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线，转换接触电势差并实施漂移与位置校正；5. 交付电势图、功函数、曲线、坐标和环境记录，材料功函数与接触电势差报告提供接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化，接触电势差和表面电势成像结果按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置汇总，点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线随任务号归档
参考探针
数据按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置分组，材料功函数与接触电势差执行参考探针控制，接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置比较，参考功函数在测量前后用稳定材料校准，漂移记录用于修正整组数据。
探针高度
高度和振幅影响空间分辨与信号幅值，面扫使用稳定的距离控制，材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置形成表面电势成像对照，各组执行参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序，对照关系采用材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置。
环境影响
材料功函数与接触电势差的环境影响记录包含材料组成、表面处理、掺杂、涂层、腐蚀状态、工作气氛、光照波长和目标区域与点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线，原始资料保存为点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线，氧、水和有机吸附会改变表面电势，温湿度、气氛与暴露时间随结果保存。
光照时间线
光强、波长、照射时间和恢复间隔与每段电势曲线逐一对应，报告说明功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价，接触电势差和表面电势成像写入接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化，用途为功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价。
适用产品与样品
材料功函数与接触电势差适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 接触电势差：测量样品与参考探针之间的电势差，结合参考功函数计算样品功函数，样品分组依据为材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，接触电势差用于功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价，结果测定材料功函数与接触电势差，比较表面处理、氧化和吸附造成的变化。
- 原始资料包括点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线，材料功函数与接触电势差记录将接触电势差、表面电势成像与样品状态分别对应，表面电势成像：按网格扫描生成二维电势分布，定位晶粒、涂层、腐蚀区或器件图形差异。
- 开尔文探针与功函数适用于可稳定放置的金属、半导体、导电涂层、电极、腐蚀表面或光电功能薄膜，表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置与接触电势差数据关联，工作面位置和测区方向在图中标识，测量结果用于测定材料功函数与接触电势差，比较表面处理、氧化和吸附造成的变化。
- 材料功函数与接触电势差结果按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置分组，报告提供接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化，接触电势差测区安排：以材料功函数与接触电势差工作面为坐标基准，依次标记常规区、处理区和异常区的测量位置，材料功函数与接触电势差的位置图标注接触电势差测区、方向和编号，数据用于测定材料功函数与接触电势差，比较表面处理、氧化和吸附造成的变化。
- 对照样按材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置设置，结果采用功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价进行分析，接触电势差与表面电势成像执行参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序。
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品记录包含材料组成、表面处理、掺杂、涂层、腐蚀状态、工作气氛、光照波长和目标区域，材料功函数与接触电势差登记表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，接触电势差作为主数据项，开尔文探针与功函数接收可稳定放置的金属、半导体、导电涂层、电极、腐蚀表面或光电功能薄膜。
- 02
材料功函数与接触电势差保持表面洁净并记录空气暴露、气氛和光照历史，建立导电连接，标记扫描坐标与方向，接触电势差数据保存材料功函数与接触电势差的装样方向和表面状态，测区位置按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置编号，材料功函数与接触电势差制样状态与材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置逐组对应。
- 03
表面电势成像数据连同点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线归档，结果文件包含接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化，材料功函数与接触电势差随样资料包括材料组成、表面处理、掺杂、涂层、腐蚀状态、工作气氛、光照波长和目标区域。
- 04
比较样包括材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，样品按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置编号，接触电势差与表面电势成像按照参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序测量。
- 05
复核资料归入点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线，材料功函数与接触电势差结果服务于测定材料功函数与接触电势差，比较表面处理、氧化和吸附造成的变化，以材料功函数与接触电势差工作面为坐标基准，依次标记常规区、处理区和异常区的测量位置，表面电势成像保留独立原始数据。
样品记录包含材料组成、表面处理、掺杂、涂层、腐蚀状态、工作气氛、光照波长和目标区域，材料功函数与接触电势差登记表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，接触电势差作为主数据项，开尔文探针与功函数接收可稳定放置的金属、半导体、导电涂层、电极、腐蚀表面或光电功能薄膜。 材料功函数与接触电势差保持表面洁净并记录空气暴露、气氛和光照历史，建立导电连接，标记扫描坐标与方向，接触电势差数据保存材料功函数与接触电势差的装样方向和表面状态，测区位置按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置编号，材料功函数与接触电势差制样状态与材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置逐组对应。 表面电势成像数据连同点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线归档，结果文件包含接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化，材料功函数与接触电势差随样资料包括材料组成、表面处理、掺杂、涂层、腐蚀状态、工作气氛、光照波长和目标区域。 比较样包括材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，样品按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置编号，接触电势差与表面电势成像按照参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序测量。 复核资料归入点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线，材料功函数与接触电势差结果服务于测定材料功函数与接触电势差，比较表面处理、氧化和吸附造成的变化，以材料功函数与接触电势差工作面为坐标基准，依次标记常规区、处理区和异常区的测量位置，表面电势成像保留独立原始数据。
材料功函数与接触电势差技术报告列出接触电势差、表面电势成像和样品间差异，报告用于测定材料功函数与接触电势差，比较表面处理、氧化和吸附造成的变化，结论说明功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价所反映的状态变化。 文件按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置分组，点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线归入材料功函数与接触电势差任务档案，材料功函数与接触电势差数据附件包括接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化。 接触电势差保留原始响应和处理参数，表面电势成像单列数据表，统计字段采用表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，对照关系采用材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置。 方法记录列明参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序，复核资料包括点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线，材料功函数与接触电势差条件表记录表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置。 对照图按材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置编排，图表说明功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价，点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线对应接触电势差和表面电势成像的原始记录。
检测项目
接触电势差
测量样品与参考探针之间的电势差，结合参考功函数计算样品功函数，接触电势差支撑功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价，开尔文探针与功函数采用参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序，对照条件为材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置。
表面电势成像
线性位置扫描写入点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线，表面电势成像沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置比较样品差异，结果按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置分组，按网格扫描生成二维电势分布，定位晶粒、涂层、腐蚀区或器件图形差异。
线性位置扫描
沿界面、划痕、涂层边缘或器件通道采集电势随距离的变化，样品记录包含材料组成、表面处理、掺杂、涂层、腐蚀状态、工作气氛、光照波长和目标区域，线性位置扫描用于测定材料功函数与接触电势差，比较表面处理、氧化和吸附造成的变化，材料功函数与接触电势差保留材料功函数与接触电势差的位置图、方向与区域编号。
光照响应
前处理保持表面洁净并记录空气暴露、气氛和光照历史，建立导电连接，标记扫描坐标与方向，气氛与湿度响应由接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化呈现，光照响应给出功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价，记录暗态、照明和恢复阶段的表面光电压或功函数变化。
气氛与湿度响应
在受控气氛或湿度程序中追踪吸附、氧化和表面反应引起的电势变化，气氛与湿度响应反映材料功函数与接触电势差的测量状态，点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线支持结果复核，交付文件包括接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化。
位置均匀性
开尔文探针与功函数记录表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，位置均匀性与接触电势差共同解释材料功函数与接触电势差，原始资料归入点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线，在晶圆、涂层或电极的中心与边缘重复测量，形成面内统计。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 3 项
报告和检测数据
材料功函数与接触电势差结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行
材料功函数与接触电势差结果报告列明各技术的信息深度和横向分辨率，并记录离子刻蚀、表面清洁、测试时间和模型拟合对结果的影响。
材料功函数与接触电势差结果对应实际收到的样品、采用的开尔文探针与功函数条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01材料功函数与接触电势差报告有哪些数据？
报告用于测定材料功函数与接触电势差，比较表面处理、氧化和吸附造成的变化，接触电势差呈现核心量值，表面电势成像展示样品差异，材料功函数与接触电势差报告提供接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化。
02材料功函数与接触电势差检测对象包括哪些样品？
开尔文探针与功函数适用于可稳定放置的金属、半导体、导电涂层、电极、腐蚀表面或光电功能薄膜，材料功函数与接触电势差按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置登记批次与状态，随样资料包括材料组成、表面处理、掺杂、涂层、腐蚀状态、工作气氛、光照波长和目标区域。
03材料功函数与接触电势差制样信息如何记录？
材料组成、表面处理、掺杂、涂层、腐蚀状态、工作气氛、光照波长和目标区域以及开尔文探针与功函数的工作面、测区编号和测量方向按照材料功函数与接触电势差样品顺序保存，以材料功函数与接触电势差工作面为坐标基准，依次标记常规区、处理区和异常区的测量位置，开尔文探针与功函数制样保持表面洁净并记录空气暴露、气氛和光照历史，建立导电连接，标记扫描坐标与方向。
04材料功函数与接触电势差样品组怎样设计对照？
参照样和目标样按材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置编组，对照数据用于功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价，接触电势差和表面电势成像执行参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序。
05材料功函数与接触电势差异常区域测点怎样布置？
原始资料归入点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线，表面电势成像按样品编号和表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置进入计算表，以材料功函数与接触电势差工作面为坐标基准，依次标记常规区、处理区和异常区的测量位置。
06材料功函数与接触电势差测量条件怎样管理？
开尔文探针与功函数检查接触电势差的独立重复和表面电势成像原始响应，质量记录列明参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序，结果文件包含接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化。
07材料功函数与接触电势差数据文件包括什么？
接触电势差原始数据、表面电势成像处理参数和点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线按编号关联，交付内容服务于测定材料功函数与接触电势差，比较表面处理、氧化和吸附造成的变化，材料功函数与接触电势差交付接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化。
08材料功函数与接触电势差结果如何指导优化？
材料功函数与接触电势差结果用于功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价，样品差异按材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置解释，材料功函数与接触电势差沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置比较批次或状态。