标准适用范围
ISO 18115-2:2021 Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 2: Terms used in scanning-probe microscopy介绍标准的适用对象、有效版本、执行条件、关键步骤和结果用途。
ISO 18115-2
ISO 18115-2:2021在材料功函数与接触电势差、半导体表面电势与均匀性、涂层、氧化层与腐蚀电位分布、光照与气氛下功函数变化中落实标准规定的测量步骤与技术参数
材料功函数与接触电势差采用该标准统一开尔文探针力显微与表面电势测量术语。
半导体表面电势与均匀性采用该标准统一开尔文探针力显微与表面电势测量术语。
样品、现象、标准版本、已有数据和结果用途
ISO 18115-2:2021对应的代表性样品和指定测量位置
标准技术要求 + 检测条件记录
ISO 18115-2:2021方法实施信息与材料功函数与接触电势差、半导体表面电势与均匀性、涂层、氧化层与腐蚀电位分布、光照与气氛下功函数变化实测结果
项目技术要点
标准概况
ISO 18115-2:2021《Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 2: Terms used in scanning-probe microscopy》由国际标准化组织发布，本站将其用于材料功函数与接触电势差、半导体表面电势与均匀性、涂层、氧化层与腐蚀电位分布、光照与气氛下功函数变化的方法实施、数据记录和结果表达。
技术应用
- 材料功函数与接触电势差采用该标准统一开尔文探针力显微与表面电势测量术语。 - 半导体表面电势与均匀性采用该标准统一开尔文探针力显微与表面电势测量术语。 - 涂层、氧化层与腐蚀电位分布采用该标准统一开尔文探针力显微与表面电势测量术语。 - 光照与气氛下功函数变化采用该标准统一开尔文探针力显微与表面电势测量术语。
相关仪器项目
ISO 18115-2:2021关联以下仪器测试项目： - [材料功函数与接触电势差](/services/instrument-testing/surface-interface/kelvin-probe-and-work-function-measurement/material-work-function-and-contact-potential-difference) - [半导体表面电势与均匀性](/services/instrument-testing/surface-interface/kelvin-probe-and-work-function-measurement/semiconductor-surface-potential-and-uniformity) - [涂层、氧化层与腐蚀电位分布](/services/instrument-testing/surface-interface/kelvin-probe-and-work-function-measurement/coating-oxide-and-corrosion-potential-mapping) - [光照与气氛下功函数变化](/services/instrument-testing/surface-interface/kelvin-probe-and-work-function-measurement/work-function-change-under-light-and-atmosphere)
方法实施与记录
材料功函数与接触电势差、半导体表面电势与均匀性、涂层、氧化层与腐蚀电位分布、光照与气氛下功函数变化按ISO 18115-2:2021记录样品状态、仪器型号、测量程序、采集参数、校准核查、原始数据和计算结果。
项目执行内容
在材料功函数与接触电势差、半导体表面电势与均匀性、涂层、氧化层与腐蚀电位分布、光照与气氛下功函数变化相关项目中，ISO 18115-2:2021用于落实其适用的术语、样品要求、仪器条件、测量步骤、数据处理或质量控制条款。项目记录覆盖样品名称、批次、取样位置、前处理状态、仪器型号、附件配置、环境条件、程序参数和重复次数；原始曲线、图谱、图像或数值结果依照样品编号保存，计算表标明数据处理方法、统计口径和单位，技术报告列出实测条件、核心结果、图表和质量控制记录。
样品与项目信息
提供样品名称、材质、型号、批次、数量和取样位置；标明ISO 18115-2:2021对应的待测参数和样品状态；样品编号与前处理记录、测量位置和报告用途逐项对应。
适用对象与应用场景
ISO 18115-2:2021 Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 2: Terms used in scanning-probe microscopy适用于以下对象、测试目的和应用条件。
适用产品与技术问题
- 材料功函数与接触电势差采用该标准统一开尔文探针力显微与表面电势测量术语。
- 半导体表面电势与均匀性采用该标准统一开尔文探针力显微与表面电势测量术语。
- 涂层、氧化层与腐蚀电位分布采用该标准统一开尔文探针力显微与表面电势测量术语。
- 光照与气氛下功函数变化采用该标准统一开尔文探针力显微与表面电势测量术语。
- 材料功函数与接触电势差的标准方法实施
- 半导体表面电势与均匀性的标准方法实施
- 涂层、氧化层与腐蚀电位分布的标准方法实施
- 光照与气氛下功函数变化的标准方法实施
委托资料与样品要求
提交标准编号和版本、产品或材料信息、样品状态、判定依据及报告用途。
- 01
ISO 18115-2:2021对应的代表性样品和指定测量位置
- 02
材料功函数与接触电势差、半导体表面电势与均匀性、涂层、氧化层与腐蚀电位分布、光照与气氛下功函数变化对应的批次样品和对照样
ISO 18115-2:2021对应的代表性样品和指定测量位置。适用版本、产品要求、现象记录和已有数据用于匹配标准与验证方案。
ISO 18115-2:2021 Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 2: Terms used in scanning-probe microscopy项目列明技术问题、标准版本、样品量、执行条件与结果交付日期。
主要提供ISO 18115-2:2021方法实施信息与材料功函数与接触电势差、半导体表面电势与均匀性、涂层、氧化层与腐蚀电位分布、光照与气氛下功函数变化实测结果、样品信息、仪器条件、采集参数和质量控制记录，其他数据和附件在委托单中列明。
技术问题、适用标准和现有资料对应至检测项目，并完成结果复核。
主要技术要求
ISO 18115-2
ISO 18115-2:2021在材料功函数与接触电势差、半导体表面电势与均匀性、涂层、氧化层与腐蚀电位分布、光照与气氛下功函数变化中落实标准规定的测量步骤与技术参数
取样与样品处理
记录样品状态、仪器型号、测量程序和实际采集参数
质量控制
归档校准核查、原始数据、计算过程和结果表
补充质量控制
按ISO 18115-2:2021整理重复测量、数据处理与报告内容
标准实施要点
应用场景
ISO 18115-2:2021 Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 2: Terms used in scanning-probe microscopy覆盖研发、质量控制、验收、认证支持和争议核查。
标准版本
列明标准编号、年份、修订件、引用文件以及合同或产品规范要求。
对象与样品
ISO 18115-2:2021对应的代表性样品和指定测量位置
确定执行条件
把ISO 18115-2、取样与样品处理落实为设备、环境、步骤、参数、质量控制和记录要求。
完成检测与复核
按规定条件实施测试，复核原始数据、计算过程、异常记录和判定依据。
交付结果和说明
提供ISO 18115-2:2021方法实施信息与材料功函数与接触电势差、半导体表面电势与均匀性、涂层、氧化层与腐蚀电位分布、光照与气氛下功函数变化实测结果、样品信息、仪器条件、采集参数和质量控制记录、标准版本、测试条件和相关记录。
版本与关联标准
ISO 18115-2:2021《Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 2: Terms used in scanning-probe microscopy》由国际标准化组织发布。
标准编号：ISO 18115-2:2021；标准名称：Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 2: Terms used in scanning-probe microscopy；发布机构：国际标准化组织。
国际标准化组织报告与交付内容
报告列明实际样品、检测方法、测试条件、结果和约定附件。
报告同步提供质量控制、数据复核和判定依据等项目记录。
样品、批次、工况或标准发生变化时，按新条件开展补充检测。
报告支持CMA/CNAS标识、合格判定及英文版本，相关要求可在需求表中注明。标准应用常见问题
01ISO 18115-2:2021 Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 2: Terms used in scanning-probe microscopy包括哪些检测内容？
ISO 18115-2:2021 Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 2: Terms used in scanning-probe microscopy的主要内容包括ISO 18115-2:2021在材料功函数与接触电势差、半导体表面电势与均匀性、涂层、氧化层与腐蚀电位分布、光照与气氛下功函数变化中落实标准规定的测量步骤与技术参数。 ISO 18115-2:2021 Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 2: Terms used in scanning-probe microscopy项目表按样品形态、目标参数和报告用途列出测量项目、测试条件、重复次数、质量控制及数据处理要求。
02ISO 18115-2:2021 Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 2: Terms used in scanning-probe microscopy需要提供哪些样品和资料？
送样包括ISO 18115-2:2021对应的代表性样品和指定测量位置，并按批次、状态和取样位置分别编号。 ISO 18115-2:2021 Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 2: Terms used in scanning-probe microscopy样品清单标明名称、型号、批次、取样位置、数量、状态、保存条件和处理历史，对比项目同时提交正常样、异常样或不同批次样。
03ISO 18115-2:2021 Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 2: Terms used in scanning-probe microscopy采用什么标准和方法？
主要依据为ISO 18115-2:2021，检测方法包括ISO 18115-2:2021在材料功函数与接触电势差、半导体表面电势与均匀性、涂层、氧化层与腐蚀电位分布、光照与气氛下功函数变化中落实标准规定的测量步骤与技术参数。 ISO 18115-2:2021 Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 2: Terms used in scanning-probe microscopy委托项目单记录标准编号、版本、产品规范、样品条件和判定要求，多种方法联合使用时分别记录原始数据和质量控制。
04ISO 18115-2:2021 Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 2: Terms used in scanning-probe microscopy报告包含哪些内容？
主要交付ISO 18115-2:2021方法实施信息与材料功函数与接触电势差、半导体表面电势与均匀性、涂层、氧化层与腐蚀电位分布、光照与气氛下功函数变化实测结果，内容包含样品、方法、数据和判定依据。 ISO 18115-2:2021 Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 2: Terms used in scanning-probe microscopy报告列明样品、方法、条件、实测数据、计算结果和判定依据，可用于材料功函数与接触电势差、半导体表面电势与均匀性、涂层、氧化层与腐蚀电位分布、光照与气氛下功函数变化的方法实施记录，图谱、照片、原始数据或英文信息按委托要求附入。