检测范围
半导体表面电势与均匀性利用振动电容或扫描开尔文探针测量接触电势差，换算功函数并绘制表面电势分布，用于绘制半导体表面电势分布，评价图形、掺杂和制程的面内均匀性；全部参数与测量程序同步保存，报告包含表面电势成像与线性位置扫描的图表和参数。
表面电势成像
开尔文探针与功函数采用参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序，表面电势成像支撑功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价，对照条件为半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，按网格扫描生成二维电势分布，定位晶粒、涂层、腐蚀区或器件图形差异。
对象与条件
样品分组依据为半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，表面电势成像用于功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价，结果绘制半导体表面电势分布，评价图形、掺杂和制程的面内均匀性，表面电势成像：按网格扫描生成二维电势分布，定位晶粒、涂层、腐蚀区或器件图形差异。 线性位置扫描：沿界面、划痕、涂层边缘或器件通道采集电势随距离的变化，表面电势成像和线性位置扫描按照半导体表面电势与均匀性样品序号同步编排，原始资料包括点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线。 表面电势成像沿工作面坐标建立数据序列，测区编号对应表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，测量结果用于绘制半导体表面电势分布，评价图形、掺杂和制程的面内均匀性，开尔文探针与功函数适用于可稳定放置的金属、半导体、导电涂层、电极、腐蚀表面或光电功能薄膜。 表面电势成像测区安排：半导体表面电势与均匀性的位置记录包含工作面方向、批次状态、对照区域和异常坐标，半导体表面电势与均匀性的位置图标注表面电势成像测区、方向和编号，数据用于绘制半导体表面电势分布，评价图形、掺杂和制程的面内均匀性，报告提供接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化，半导体表面电势与均匀性结果按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置分组。 结果采用功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价进行分析，表面电势成像与线性位置扫描执行参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序，对照样按半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置设置。
需要注意的限制
半导体表面电势与均匀性结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行 半导体表面电势与均匀性结果报告列明各技术的信息深度和横向分辨率，并记录离子刻蚀、表面清洁、测试时间和模型拟合对结果的影响。 半导体表面电势与均匀性结果对应实际收到的样品、采用的开尔文探针与功函数条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 任务档案保存点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线，半导体表面电势与均匀性登记材料组成、表面处理、掺杂、涂层、腐蚀状态、工作气氛、光照波长和目标区域，分组信息采用表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，登记表面状态、接地位置、测区和环境程序；2. 使用参考材料校准探针功函数并稳定探针高度，半导体表面电势与均匀性样品保持表面洁净并记录空气暴露、气氛和光照历史，建立导电连接，标记扫描坐标与方向，表面电势成像保留制样状态，制样状态对应表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置；3. 半导体表面电势与均匀性的位置记录包含工作面方向、批次状态、对照区域和异常坐标，采集数据用于绘制半导体表面电势分布，评价图形、掺杂和制程的面内均匀性，采集位置按半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置设置，采集点测、线扫、面扫或光照气氛时间序列；4. 转换接触电势差并实施漂移与位置校正，复核记录关联点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线，表面电势成像和线性位置扫描按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置记录，对照组采用半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置；5. 半导体表面电势与均匀性报告提供接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化，表面电势成像和线性位置扫描结果按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置汇总，点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线随任务号归档，交付电势图、功函数、曲线、坐标和环境记录
参考探针
参考功函数在测量前后用稳定材料校准，漂移记录用于修正整组数据，半导体表面电势与均匀性执行参考探针控制，表面电势成像沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置比较，数据按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置分组。
探针高度
半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置形成线性位置扫描对照，各组执行参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序，对照关系采用半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，高度和振幅影响空间分辨与信号幅值，面扫使用稳定的距离控制。
环境影响
氧、水和有机吸附会改变表面电势，温湿度、气氛与暴露时间随结果保存，原始资料保存为点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线，半导体表面电势与均匀性的环境影响记录包含材料组成、表面处理、掺杂、涂层、腐蚀状态、工作气氛、光照波长和目标区域与点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线。
光照时间线
报告说明功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价，表面电势成像和线性位置扫描写入接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化，用途为功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价，光强、波长、照射时间和恢复间隔与每段电势曲线逐一对应。
适用产品与样品
半导体表面电势与均匀性适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 样品分组依据为半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，表面电势成像用于功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价，结果绘制半导体表面电势分布，评价图形、掺杂和制程的面内均匀性，表面电势成像：按网格扫描生成二维电势分布，定位晶粒、涂层、腐蚀区或器件图形差异。
- 线性位置扫描：沿界面、划痕、涂层边缘或器件通道采集电势随距离的变化，表面电势成像和线性位置扫描按照半导体表面电势与均匀性样品序号同步编排，原始资料包括点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线。
- 表面电势成像沿工作面坐标建立数据序列，测区编号对应表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，测量结果用于绘制半导体表面电势分布，评价图形、掺杂和制程的面内均匀性，开尔文探针与功函数适用于可稳定放置的金属、半导体、导电涂层、电极、腐蚀表面或光电功能薄膜。
- 表面电势成像测区安排：半导体表面电势与均匀性的位置记录包含工作面方向、批次状态、对照区域和异常坐标，半导体表面电势与均匀性的位置图标注表面电势成像测区、方向和编号，数据用于绘制半导体表面电势分布，评价图形、掺杂和制程的面内均匀性，报告提供接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化，半导体表面电势与均匀性结果按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置分组。
- 结果采用功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价进行分析，表面电势成像与线性位置扫描执行参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序，对照样按半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置设置。
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
开尔文探针与功函数接收可稳定放置的金属、半导体、导电涂层、电极、腐蚀表面或光电功能薄膜，半导体表面电势与均匀性登记表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，表面电势成像作为主数据项，样品记录包含材料组成、表面处理、掺杂、涂层、腐蚀状态、工作气氛、光照波长和目标区域。
- 02
表面电势成像数据保存半导体表面电势与均匀性的装样方向和表面状态，测区位置按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置编号，半导体表面电势与均匀性制样状态与半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置逐组对应，半导体表面电势与均匀性保持表面洁净并记录空气暴露、气氛和光照历史，建立导电连接，标记扫描坐标与方向。
- 03
半导体表面电势与均匀性随样资料包括材料组成、表面处理、掺杂、涂层、腐蚀状态、工作气氛、光照波长和目标区域，结果文件包含接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化，线性位置扫描数据连同点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线归档。
- 04
样品按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置编号，表面电势成像与线性位置扫描按照参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序测量，比较样包括半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置。
- 05
半导体表面电势与均匀性的位置记录包含工作面方向、批次状态、对照区域和异常坐标，线性位置扫描保留独立原始数据，半导体表面电势与均匀性结果服务于绘制半导体表面电势分布，评价图形、掺杂和制程的面内均匀性，复核资料归入点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线。
开尔文探针与功函数接收可稳定放置的金属、半导体、导电涂层、电极、腐蚀表面或光电功能薄膜，半导体表面电势与均匀性登记表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，表面电势成像作为主数据项，样品记录包含材料组成、表面处理、掺杂、涂层、腐蚀状态、工作气氛、光照波长和目标区域。 表面电势成像数据保存半导体表面电势与均匀性的装样方向和表面状态，测区位置按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置编号，半导体表面电势与均匀性制样状态与半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置逐组对应，半导体表面电势与均匀性保持表面洁净并记录空气暴露、气氛和光照历史，建立导电连接，标记扫描坐标与方向。 半导体表面电势与均匀性随样资料包括材料组成、表面处理、掺杂、涂层、腐蚀状态、工作气氛、光照波长和目标区域，结果文件包含接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化，线性位置扫描数据连同点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线归档。 样品按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置编号，表面电势成像与线性位置扫描按照参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序测量，比较样包括半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置。 半导体表面电势与均匀性的位置记录包含工作面方向、批次状态、对照区域和异常坐标，线性位置扫描保留独立原始数据，半导体表面电势与均匀性结果服务于绘制半导体表面电势分布，评价图形、掺杂和制程的面内均匀性，复核资料归入点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线。
报告用于绘制半导体表面电势分布，评价图形、掺杂和制程的面内均匀性，结论说明功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价所反映的状态变化，半导体表面电势与均匀性技术报告列出表面电势成像、线性位置扫描和样品间差异。 半导体表面电势与均匀性数据附件包括接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化，点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线归入半导体表面电势与均匀性任务档案，文件按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置分组。 线性位置扫描单列数据表，统计字段采用表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，对照关系采用半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，表面电势成像保留原始响应和处理参数。 半导体表面电势与均匀性条件表记录表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，复核资料包括点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线，方法记录列明参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序。 图表说明功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价，点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线对应表面电势成像和线性位置扫描的原始记录，对照图按半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置编排。
检测项目
表面电势成像
开尔文探针与功函数采用参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序，表面电势成像支撑功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价，对照条件为半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置，按网格扫描生成二维电势分布，定位晶粒、涂层、腐蚀区或器件图形差异。
线性位置扫描
沿界面、划痕、涂层边缘或器件通道采集电势随距离的变化，结果按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置分组，线性位置扫描沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置比较样品差异，光照响应写入点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线。
光照响应
样品记录包含材料组成、表面处理、掺杂、涂层、腐蚀状态、工作气氛、光照波长和目标区域，半导体表面电势与均匀性保留半导体表面电势与均匀性的位置图、方向与区域编号，光照响应用于绘制半导体表面电势分布，评价图形、掺杂和制程的面内均匀性，记录暗态、照明和恢复阶段的表面光电压或功函数变化。
气氛与湿度响应
在受控气氛或湿度程序中追踪吸附、氧化和表面反应引起的电势变化，气氛与湿度响应给出功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价，位置均匀性由接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化呈现，前处理保持表面洁净并记录空气暴露、气氛和光照历史，建立导电连接，标记扫描坐标与方向。
位置均匀性
点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线支持结果复核，位置均匀性反映半导体表面电势与均匀性的测量状态，交付文件包括接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化，在晶圆、涂层或电极的中心与边缘重复测量，形成面内统计。
接触电势差
测量样品与参考探针之间的电势差，结合参考功函数计算样品功函数，原始资料归入点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线，接触电势差与表面电势成像共同解释半导体表面电势与均匀性，开尔文探针与功函数记录表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 3 项
报告和检测数据
半导体表面电势与均匀性结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行
半导体表面电势与均匀性结果报告列明各技术的信息深度和横向分辨率，并记录离子刻蚀、表面清洁、测试时间和模型拟合对结果的影响。
半导体表面电势与均匀性结果对应实际收到的样品、采用的开尔文探针与功函数条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01半导体表面电势与均匀性最终输出哪些结果？
半导体表面电势与均匀性报告提供接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化，表面电势成像呈现核心量值，线性位置扫描展示样品差异，报告用于绘制半导体表面电势分布，评价图形、掺杂和制程的面内均匀性。
02半导体表面电势与均匀性适用样品材料有哪些？
半导体表面电势与均匀性按表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置登记批次与状态，随样资料包括材料组成、表面处理、掺杂、涂层、腐蚀状态、工作气氛、光照波长和目标区域，开尔文探针与功函数适用于可稳定放置的金属、半导体、导电涂层、电极、腐蚀表面或光电功能薄膜。
03半导体表面电势与均匀性装样前怎样处理？
开尔文探针与功函数制样保持表面洁净并记录空气暴露、气氛和光照历史，建立导电连接，标记扫描坐标与方向，半导体表面电势与均匀性的位置记录包含工作面方向、批次状态、对照区域和异常坐标，半导体表面电势与均匀性报告附件收录材料组成、表面处理、掺杂、涂层、腐蚀状态、工作气氛、光照波长和目标区域以及开尔文探针与功函数的工作面、测区编号和测量方向。
04半导体表面电势与均匀性对照测量如何安排？
对照数据用于功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价，表面电势成像和线性位置扫描执行参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序，参照样和目标样按半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置编组。
05半导体表面电势与均匀性代表位置如何选择？
半导体表面电势与均匀性的位置记录包含工作面方向、批次状态、对照区域和异常坐标，线性位置扫描按样品编号和表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置进入计算表，原始资料归入点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线。
06半导体表面电势与均匀性结果质量怎样评价？
质量记录列明参考探针功函数、探针高度、振幅、扫描步距、环境温湿度、气氛和光照时序，结果文件包含接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化，开尔文探针与功函数检查表面电势成像的独立重复和线性位置扫描原始响应。
07半导体表面电势与均匀性交付内容有哪些？
半导体表面电势与均匀性交付接触电势差、功函数、表面电势二维图、线扫、时间响应以及光照或气氛前后变化，交付内容服务于绘制半导体表面电势分布，评价图形、掺杂和制程的面内均匀性，表面电势成像原始数据、线性位置扫描处理参数和点测曲线、电势图、探针标定和环境时间线按编号关联。
08半导体表面电势与均匀性能支持哪些分析？
样品差异按半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置解释，半导体表面电势与均匀性沿表面处理、光照阶段、气氛条件和扫描位置比较批次或状态，半导体表面电势与均匀性结果用于功函数、接触电势差与表面电势均匀性评价。