检测范围
通过二次电子信号记录表面起伏、断裂特征、微裂纹和颗粒轮廓，其中以SE信号记录表面起伏、颗粒边缘、断口韧窝和微裂纹等精细形貌。充电、污染、边缘增强和倾斜造成的衬度变化通过重复成像与参数记录识别。
二次电子成像
以SE信号记录表面起伏、颗粒边缘、断口韧窝和微裂纹等精细形貌，采集区域：从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征。
对象与条件
二次电子成像：以SE信号记录表面起伏、颗粒边缘、断口韧窝和微裂纹等精细形貌，结果用于通过二次电子信号记录表面起伏、断裂特征、微裂纹和颗粒轮廓 背散射成像：通过BSE原子序数衬度区分不同成分区域、夹杂相、偏析和界面反应产物，测量位置按以下方式布置：从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征 检测对象：清洁干燥的材料表面、断口、颗粒固定样和保留目标区域的截面 测量位置：从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征 数据判读：通过二次电子信号记录表面起伏、断裂特征、微裂纹和颗粒轮廓
需要注意的限制
二次电子形貌成像 SE结果单个视场对应具体测区，整批和整体结构增加代表性测点；三维结构采用三维方法评价，并记录制样、真空、束流和图像阈值 二次电子形貌成像 SE结果观察结果与实际取样位置和视场对应；三维结构采用三维方法评价，图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。 二次电子形貌成像 SE结果对应实际收到的样品、采用的扫描电镜与能谱 SEM/EDS条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 拍摄样品全貌并把目标区域转换为电镜载台坐标；2. 完成导电固定、真空检查和SE探测器成像参数设置；3. 从低倍导航到高倍连续采集二次电子形貌图；4. 标注特征尺寸、断裂形貌和代表视场，必要位置辅以单点成分识别；5. 整理倍率链、SE原图、测量标注和成像条件
导电处理
非导电样品采用低真空或薄层导电镀膜，能谱分析记录镀层元素以免误判，样品资料：记录样品方向、断口来源、目标坐标、加速电压、工作距离、探测器和镀层材料。
作用体积
电子束在样品内具有有限作用体积，颗粒小于作用体积时能谱包含基体信号，测量位置：从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征。
几何一致
倾角、工作距离和探测器遮挡会影响X射线计数，批次比较采用一致装样几何，对照数据：使用相同倍率和成像条件比较代表区、异常区及相邻完整区域的表面形貌。
适用产品与样品
二次电子形貌成像 SE适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 二次电子成像：以SE信号记录表面起伏、颗粒边缘、断口韧窝和微裂纹等精细形貌，结果用于通过二次电子信号记录表面起伏、断裂特征、微裂纹和颗粒轮廓
- 背散射成像：通过BSE原子序数衬度区分不同成分区域、夹杂相、偏析和界面反应产物，测量位置按以下方式布置：从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征
- 检测对象：清洁干燥的材料表面、断口、颗粒固定样和保留目标区域的截面
- 测量位置：从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征
- 数据判读：通过二次电子信号记录表面起伏、断裂特征、微裂纹和颗粒轮廓
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：清洁干燥的材料表面、断口、颗粒固定样和保留目标区域的截面
- 02
制样与装夹：样品牢固导电连接，非导电表面采用低真空或记录导电镀层后再成像
- 03
随样资料：记录样品方向、断口来源、目标坐标、加速电压、工作距离、探测器和镀层材料
- 04
对照样品：使用相同倍率和成像条件比较代表区、异常区及相邻完整区域的表面形貌
- 05
位置记录：从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征
样品形式：清洁干燥的材料表面、断口、颗粒固定样和保留目标区域的截面 制样与装夹：样品牢固导电连接，非导电表面采用低真空或记录导电镀层后再成像 随样资料：记录样品方向、断口来源、目标坐标、加速电压、工作距离、探测器和镀层材料 对照样品：使用相同倍率和成像条件比较代表区、异常区及相邻完整区域的表面形貌 位置记录：从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征
二次电子形貌成像 SE技术报告及主要结论 交付二次电子低倍定位图、高倍形貌图、尺寸标注、测区坐标和成像参数 原始资料：二次电子成像数据；记录样品方向、断口来源、目标坐标、加速电压、工作距离、探测器和镀层材料 位置资料：从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征 对照资料：使用相同倍率和成像条件比较代表区、异常区及相邻完整区域的表面形貌
检测项目
二次电子成像
以SE信号记录表面起伏、颗粒边缘、断口韧窝和微裂纹等精细形貌，采集区域：从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征。
背散射成像
通过BSE原子序数衬度区分不同成分区域、夹杂相、偏析和界面反应产物，对照组合：使用相同倍率和成像条件比较代表区、异常区及相邻完整区域的表面形貌。
失效位置关联
将宏观失效位置、截面层序、SEM形貌和EDS成分按同一坐标链路对应，样品资料：记录样品方向、断口来源、目标坐标、加速电压、工作距离、探测器和镀层材料。
EDS点分析
对指定颗粒或相区采集能谱，给出检出元素与半定量质量分数或原子分数，数据判读：充电、污染、边缘增强和倾斜造成的衬度变化通过重复成像与参数记录识别。
导电处理
非导电样品采用低真空或薄层导电镀膜，能谱分析记录镀层元素以免误判，并结合充电、污染、边缘增强和倾斜造成的衬度变化通过重复成像与参数记录识别。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 1 项
报告和检测数据
二次电子形貌成像 SE结果单个视场对应具体测区，整批和整体结构增加代表性测点；三维结构采用三维方法评价，并记录制样、真空、束流和图像阈值
二次电子形貌成像 SE结果观察结果与实际取样位置和视场对应；三维结构采用三维方法评价，图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。
二次电子形貌成像 SE结果对应实际收到的样品、采用的扫描电镜与能谱 SEM/EDS条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01二次电子形貌成像 SE的二次电子成像结果项有哪些？
以SE信号记录表面起伏、颗粒边缘、断口韧窝和微裂纹等精细形貌，通过二次电子信号记录表面起伏、断裂特征、微裂纹和颗粒轮廓。
02二次电子形貌成像 SE的二次电子成像检测对象包括哪些样品？
清洁干燥的材料表面、断口、颗粒固定样和保留目标区域的截面，样品牢固导电连接，非导电表面采用低真空或记录导电镀层后再成像。
03二次电子形貌成像 SE的二次电子成像样品状态怎样处理？
样品牢固导电连接，非导电表面采用低真空或记录导电镀层后再成像，记录样品方向、断口来源、目标坐标、加速电压、工作距离、探测器和镀层材料。
04二次电子形貌成像 SE的二次电子成像样品间怎样做对比？
使用相同倍率和成像条件比较代表区、异常区及相邻完整区域的表面形貌，加速电压、工作距离、探测器和能谱采集条件保持一致。
05二次电子形貌成像 SE的二次电子成像测区范围怎样记录？
从宏观定位图逐级进入裂纹源、颗粒边缘、孔洞和表面起伏特征，样品牢固导电连接，非导电表面采用低真空或记录导电镀层后再成像。
06二次电子形貌成像 SE的二次电子成像测量质量怎样评价？
充电、污染、边缘增强和倾斜造成的衬度变化通过重复成像与参数记录识别，加速电压、工作距离、探测器和能谱采集条件保持一致。
07二次电子形貌成像 SE的二次电子成像报告附件包含什么？
交付二次电子低倍定位图、高倍形貌图、尺寸标注、测区坐标和成像参数，记录样品方向、断口来源、目标坐标、加速电压、工作距离、探测器和镀层材料。
08二次电子形貌成像 SE的二次电子成像如何用于产品评价？
通过二次电子信号记录表面起伏、断裂特征、微裂纹和颗粒轮廓，使用相同倍率和成像条件比较代表区、异常区及相邻完整区域的表面形貌。