检测范围
定点暴露金属内部缺陷和界面，为截面成像、成分分析或TEM制样提供样品，其中依据表面标记或失效坐标沉积保护层后开槽，暴露焊点、薄膜、颗粒或器件内部截面。高能离子可能形成非晶层和再沉积，最终用低电压小束流清洁观察面。
定点截面
依据表面标记或失效坐标沉积保护层后开槽，暴露焊点、薄膜、颗粒或器件内部截面，采集区域：切割窗口围绕已确认目标坐标展开，并通过多倍率图保存位置链。
对象与条件
定点截面：依据表面标记或失效坐标沉积保护层后开槽，暴露焊点、薄膜、颗粒或器件内部截面，结果用于定点暴露金属内部缺陷和界面，为截面成像、成分分析或TEM制样提供样品 离子束抛光：采用由高到低的束流精修截面，降低帘幕、再沉积和表面损伤，测量位置按以下方式布置：切割窗口围绕已确认目标坐标展开，并通过多倍率图保存位置链 检测对象：带裂纹源、夹杂、界面或局部缺陷坐标的金属实体和精抛截面 测量位置：切割窗口围绕已确认目标坐标展开，并通过多倍率图保存位置链 数据判读：定点暴露金属内部缺陷和界面，为截面成像、成分分析或TEM制样提供样品
需要注意的限制
金属组织、断口与缺陷聚焦离子束 FIB-SEM结果单个视场对应具体测区，整批和整体结构增加代表性测点；三维结构采用三维方法评价，并记录制样、真空、束流和图像阈值 金属组织、断口与缺陷聚焦离子束 FIB-SEM结果观察结果与实际取样位置和视场对应；三维结构采用三维方法评价，图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。 金属组织、断口与缺陷聚焦离子束 FIB-SEM结果对应实际收到的样品、采用的聚焦离子束 FIB-SEM条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 核对失效定位图，在样品表面建立可追溯的FIB坐标；2. 沉积保护层并开设观察槽，确认截面穿过目标结构；3. 按阶梯束流完成粗切、精修和低电压终抛；4. 采集新鲜截面的电子像并按任务开展EDS或薄片提取；5. 交付定位链、切割记录、截面图和制样参数
离子损伤
高能离子会造成非晶层、注入和材料混合，精细结构使用低电压终抛降低影响，样品资料：注明牌号、热处理、失效现象、目标坐标、期望截面方向和后续分析用途。
帘幕控制
表面起伏和材料溅射率差异会产生帘幕，保护层、摆动切割和低束流共同改善，测量位置：切割窗口围绕已确认目标坐标展开，并通过多倍率图保存位置链。
再沉积
深槽和高深宽比结构容易再沉积，切割几何与清洁方向按目标界面调整，对照数据：在缺陷中心和相邻基体制备对应截面，比较裂纹路径、夹杂和组织界面。
坐标保真
目标点与最终截面的相对位置通过多倍率导航图、基准标记和切片序列保存，结果解释：高能离子可能形成非晶层和再沉积，最终用低电压小束流清洁观察面。
适用产品与样品
金属组织、断口与缺陷聚焦离子束 FIB-SEM适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 定点截面：依据表面标记或失效坐标沉积保护层后开槽，暴露焊点、薄膜、颗粒或器件内部截面，结果用于定点暴露金属内部缺陷和界面，为截面成像、成分分析或TEM制样提供样品
- 离子束抛光：采用由高到低的束流精修截面，降低帘幕、再沉积和表面损伤，测量位置按以下方式布置：切割窗口围绕已确认目标坐标展开，并通过多倍率图保存位置链
- 检测对象：带裂纹源、夹杂、界面或局部缺陷坐标的金属实体和精抛截面
- 测量位置：切割窗口围绕已确认目标坐标展开，并通过多倍率图保存位置链
- 数据判读：定点暴露金属内部缺陷和界面，为截面成像、成分分析或TEM制样提供样品
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：带裂纹源、夹杂、界面或局部缺陷坐标的金属实体和精抛截面
- 02
制样与装夹：由光学或电镜导航图转移目标点，沉积保护层后按观察方向开槽
- 03
随样资料：注明牌号、热处理、失效现象、目标坐标、期望截面方向和后续分析用途
- 04
对照样品：在缺陷中心和相邻基体制备对应截面，比较裂纹路径、夹杂和组织界面
- 05
位置记录：切割窗口围绕已确认目标坐标展开，并通过多倍率图保存位置链
样品形式：带裂纹源、夹杂、界面或局部缺陷坐标的金属实体和精抛截面 制样与装夹：由光学或电镜导航图转移目标点，沉积保护层后按观察方向开槽 随样资料：注明牌号、热处理、失效现象、目标坐标、期望截面方向和后续分析用途 对照样品：在缺陷中心和相邻基体制备对应截面，比较裂纹路径、夹杂和组织界面 位置记录：切割窗口围绕已确认目标坐标展开，并通过多倍率图保存位置链
金属组织、断口与缺陷聚焦离子束 FIB-SEM技术报告及主要结论 目标定位图、金属缺陷截面像、切割参数及选定的EDS或薄片记录 原始资料：定点截面数据；注明牌号、热处理、失效现象、目标坐标、期望截面方向和后续分析用途 位置资料：切割窗口围绕已确认目标坐标展开，并通过多倍率图保存位置链 对照资料：在缺陷中心和相邻基体制备对应截面，比较裂纹路径、夹杂和组织界面
检测项目
定点截面
依据表面标记或失效坐标沉积保护层后开槽，暴露焊点、薄膜、颗粒或器件内部截面，采集区域：切割窗口围绕已确认目标坐标展开，并通过多倍率图保存位置链。
离子束抛光
采用由高到低的束流精修截面，降低帘幕、再沉积和表面损伤，对照组合：在缺陷中心和相邻基体制备对应截面，比较裂纹路径、夹杂和组织界面。
失效定位
将电性、声学、光学或表面异常坐标转移到FIB视场，逐层追踪缺陷源，样品资料：注明牌号、热处理、失效现象、目标坐标、期望截面方向和后续分析用途。
截面成分
在新鲜截面联用BSE或EDS记录层序、元素分布和局部反应产物，数据判读：高能离子可能形成非晶层和再沉积，最终用低电压小束流清洁观察面。
TEM薄片
完成提取、转移、焊接和低电压终减薄，制备包含目标界面的电子透明薄片，应用方向：定点暴露金属内部缺陷和界面，为截面成像、成分分析或TEM制样提供样品。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 1 项
报告和检测数据
金属组织、断口与缺陷聚焦离子束 FIB-SEM结果单个视场对应具体测区，整批和整体结构增加代表性测点；三维结构采用三维方法评价，并记录制样、真空、束流和图像阈值
金属组织、断口与缺陷聚焦离子束 FIB-SEM结果观察结果与实际取样位置和视场对应；三维结构采用三维方法评价，图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。
金属组织、断口与缺陷聚焦离子束 FIB-SEM结果对应实际收到的样品、采用的聚焦离子束 FIB-SEM条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01金属组织、断口与缺陷的定点截面结果图包含什么？
依据表面标记或失效坐标沉积保护层后开槽，暴露焊点、薄膜、颗粒或器件内部截面，定点暴露金属内部缺陷和界面，为截面成像、成分分析或TEM制样提供样品。
02金属组织、断口与缺陷的定点截面适用哪些送样形式？
带裂纹源、夹杂、界面或局部缺陷坐标的金属实体和精抛截面，由光学或电镜导航图转移目标点，沉积保护层后按观察方向开槽。
03金属组织、断口与缺陷的定点截面制样信息怎样记录？
由光学或电镜导航图转移目标点，沉积保护层后按观察方向开槽，注明牌号、热处理、失效现象、目标坐标、期望截面方向和后续分析用途。
04金属组织、断口与缺陷的定点截面对照基准样怎样设置？
在缺陷中心和相邻基体制备对应截面，比较裂纹路径、夹杂和组织界面，保护、束流阶梯、切片间距和低电压终抛保持一致。
05金属组织、断口与缺陷的定点截面重点位置如何选择？
切割窗口围绕已确认目标坐标展开，并通过多倍率图保存位置链，由光学或电镜导航图转移目标点，沉积保护层后按观察方向开槽。
06金属组织、断口与缺陷的定点截面参数怎样形成记录？
高能离子可能形成非晶层和再沉积，最终用低电压小束流清洁观察面，保护、束流阶梯、切片间距和低电压终抛保持一致。
07金属组织、断口与缺陷的定点截面会提供哪些数据文件？
目标定位图、金属缺陷截面像、切割参数及选定的EDS或薄片记录，注明牌号、热处理、失效现象、目标坐标、期望截面方向和后续分析用途。
08金属组织、断口与缺陷的定点截面结果如何用于改进？
定点暴露金属内部缺陷和界面，为截面成像、成分分析或TEM制样提供样品，在缺陷中心和相邻基体制备对应截面，比较裂纹路径、夹杂和组织界面。