检测范围
暴露电子器件和复合材料的埋藏失效位置，支持微区成像、成分与TEM分析，其中依据表面标记或失效坐标沉积保护层后开槽，暴露焊点、薄膜、颗粒或器件内部截面。聚合物和软材料控制束流热效应，金属/介质界面采用低电压终抛减少混层。
定点截面
依据表面标记或失效坐标沉积保护层后开槽，暴露焊点、薄膜、颗粒或器件内部截面，采集区域：切割窗口围绕焊点、互连、通孔或电极目标，坐标从整体图连续追踪到截面。
对象与条件
定点截面：依据表面标记或失效坐标沉积保护层后开槽，暴露焊点、薄膜、颗粒或器件内部截面，结果用于暴露电子器件和复合材料的埋藏失效位置，支持微区成像、成分与TEM分析 离子束抛光：采用由高到低的束流精修截面，降低帘幕、再沉积和表面损伤，测量位置按以下方式布置：切割窗口围绕焊点、互连、通孔或电极目标，坐标从整体图连续追踪到截面 检测对象：芯片、焊点、通孔、电极颗粒和复合界面中的定位目标 测量位置：切割窗口围绕焊点、互连、通孔或电极目标，坐标从整体图连续追踪到截面 数据判读：暴露电子器件和复合材料的埋藏失效位置，支持微区成像、成分与TEM分析
需要注意的限制
电子器件、电池与复合材料聚焦离子束 FIB-SEM结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行 电子器件、电池与复合材料聚焦离子束 FIB-SEM结果观察结果与实际取样位置和视场对应；三维结构采用三维方法评价，图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。 电子器件、电池与复合材料聚焦离子束 FIB-SEM结果对应实际收到的样品、采用的聚焦离子束 FIB-SEM条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 复核前序定位结果并在器件表面建立FIB导航标记；2. 沉积保护层后开槽，实时核对目标深度和切割方向；3. 用阶梯束流显露目标互连、界面或电极颗粒；4. 采集截面电子像和成分信息，必要时提取电子透明薄片；5. 交付从器件全貌到截面的坐标链、图像和制样参数
离子损伤
高能离子会造成非晶层、注入和材料混合，精细结构使用低电压终抛降低影响，样品资料：提供器件型号、层序、失效现象、前序定位图、目标深度和分析方向。
帘幕控制
表面起伏和材料溅射率差异会产生帘幕，保护层、摆动切割和低束流共同改善，测量位置：切割窗口围绕焊点、互连、通孔或电极目标，坐标从整体图连续追踪到截面。
再沉积
深槽和高深宽比结构容易再沉积，切割几何与清洁方向按目标界面调整，对照数据：以同器件正常结构或相邻正常位置作为截面对照，检查异常连接和材料变化。
坐标保真
目标点与最终截面的相对位置通过多倍率导航图、基准标记和切片序列保存，结果解释：聚合物和软材料控制束流热效应，金属/介质界面采用低电压终抛减少混层。
适用产品与样品
电子器件、电池与复合材料聚焦离子束 FIB-SEM适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 定点截面：依据表面标记或失效坐标沉积保护层后开槽，暴露焊点、薄膜、颗粒或器件内部截面，结果用于暴露电子器件和复合材料的埋藏失效位置，支持微区成像、成分与TEM分析
- 离子束抛光：采用由高到低的束流精修截面，降低帘幕、再沉积和表面损伤，测量位置按以下方式布置：切割窗口围绕焊点、互连、通孔或电极目标，坐标从整体图连续追踪到截面
- 检测对象：芯片、焊点、通孔、电极颗粒和复合界面中的定位目标
- 测量位置：切割窗口围绕焊点、互连、通孔或电极目标，坐标从整体图连续追踪到截面
- 数据判读：暴露电子器件和复合材料的埋藏失效位置，支持微区成像、成分与TEM分析
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：芯片、焊点、通孔、电极颗粒和复合界面中的定位目标
- 02
制样与装夹：将电性、声学或X射线坐标转移到FIB视场，保护目标后沿指定方向切开
- 03
随样资料：提供器件型号、层序、失效现象、前序定位图、目标深度和分析方向
- 04
对照样品：以同器件正常结构或相邻正常位置作为截面对照，检查异常连接和材料变化
- 05
位置记录：切割窗口围绕焊点、互连、通孔或电极目标，坐标从整体图连续追踪到截面
样品形式：芯片、焊点、通孔、电极颗粒和复合界面中的定位目标 制样与装夹：将电性、声学或X射线坐标转移到FIB视场，保护目标后沿指定方向切开 随样资料：提供器件型号、层序、失效现象、前序定位图、目标深度和分析方向 对照样品：以同器件正常结构或相邻正常位置作为截面对照，检查异常连接和材料变化 位置记录：切割窗口围绕焊点、互连、通孔或电极目标，坐标从整体图连续追踪到截面
电子器件、电池与复合材料聚焦离子束 FIB-SEM技术报告及主要结论 器件定位链、目标截面像、层序与成分标注及可选TEM薄片记录 原始资料：定点截面数据；提供器件型号、层序、失效现象、前序定位图、目标深度和分析方向 位置资料：切割窗口围绕焊点、互连、通孔或电极目标，坐标从整体图连续追踪到截面 对照资料：以同器件正常结构或相邻正常位置作为截面对照，检查异常连接和材料变化
检测项目
定点截面
依据表面标记或失效坐标沉积保护层后开槽，暴露焊点、薄膜、颗粒或器件内部截面，采集区域：切割窗口围绕焊点、互连、通孔或电极目标，坐标从整体图连续追踪到截面。
离子束抛光
采用由高到低的束流精修截面，降低帘幕、再沉积和表面损伤，对照组合：以同器件正常结构或相邻正常位置作为截面对照，检查异常连接和材料变化。
截面成分
在新鲜截面联用BSE或EDS记录层序、元素分布和局部反应产物，样品资料：提供器件型号、层序、失效现象、前序定位图、目标深度和分析方向。
失效定位
将电性、声学、光学或表面异常坐标转移到FIB视场，逐层追踪缺陷源，数据判读：聚合物和软材料控制束流热效应，金属/介质界面采用低电压终抛减少混层。
TEM薄片
完成提取、转移、焊接和低电压终减薄，制备包含目标界面的电子透明薄片，应用方向：暴露电子器件和复合材料的埋藏失效位置，支持微区成像、成分与TEM分析。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 1 项
报告和检测数据
电子器件、电池与复合材料聚焦离子束 FIB-SEM结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件；整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行
电子器件、电池与复合材料聚焦离子束 FIB-SEM结果观察结果与实际取样位置和视场对应；三维结构采用三维方法评价，图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。
电子器件、电池与复合材料聚焦离子束 FIB-SEM结果对应实际收到的样品、采用的聚焦离子束 FIB-SEM条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01电子器件、电池与复合材料的定点截面能获得哪些结果？
依据表面标记或失效坐标沉积保护层后开槽，暴露焊点、薄膜、颗粒或器件内部截面，暴露电子器件和复合材料的埋藏失效位置，支持微区成像、成分与TEM分析。
02电子器件、电池与复合材料的定点截面可接收哪些样品？
芯片、焊点、通孔、电极颗粒和复合界面中的定位目标，将电性、声学或X射线坐标转移到FIB视场，保护目标后沿指定方向切开。
03电子器件、电池与复合材料的定点截面送样前需要记录什么？
将电性、声学或X射线坐标转移到FIB视场，保护目标后沿指定方向切开，提供器件型号、层序、失效现象、前序定位图、目标深度和分析方向。
04电子器件、电池与复合材料的定点截面参照条件如何保持？
以同器件正常结构或相邻正常位置作为截面对照，检查异常连接和材料变化，保护、束流阶梯、切片间距和低电压终抛保持一致。
05电子器件、电池与复合材料的定点截面重复测量选哪些位置？
切割窗口围绕焊点、互连、通孔或电极目标，坐标从整体图连续追踪到截面，将电性、声学或X射线坐标转移到FIB视场，保护目标后沿指定方向切开。
06电子器件、电池与复合材料的定点截面数据质量如何检查？
聚合物和软材料控制束流热效应，金属/介质界面采用低电压终抛减少混层，保护、束流阶梯、切片间距和低电压终抛保持一致。
07电子器件、电池与复合材料的定点截面结果文件有哪些？
器件定位链、目标截面像、层序与成分标注及可选TEM薄片记录，提供器件型号、层序、失效现象、前序定位图、目标深度和分析方向。
08电子器件、电池与复合材料的定点截面结果可用于哪些应用？
暴露电子器件和复合材料的埋藏失效位置，支持微区成像、成分与TEM分析，以同器件正常结构或相邻正常位置作为截面对照，检查异常连接和材料变化。