检测范围
芯片去层与层级定位：按失效定位目标逐层暴露封装、芯片、互连和缺陷区域，为电学、显微和成分分析制备可观察表面。芯片去层、层级定位和FIB定点截面的联合结果用于失效定位、互连观察和微区结构分析，测区、程序和数据处理参数随结果一并记录。
芯片去层
芯片去层与层级定位中，芯片去层按以下内容记录：通过研磨、抛光、等离子或湿法逐层暴露互连。数据表同步记录静电防护、局部温升、化学腐蚀、键合线保护、层级终点、再沉积、目标偏移和过程照片中的相关参数，并把芯片去层结果与层级定位按样品、测点和程序节点排列。
对象与条件
芯片去层与层级定位采用的技术原理为：按失效定位目标逐层暴露封装、芯片、互连和缺陷区域，为电学、显微和成分分析制备可观察表面。通过研磨、抛光、等离子或湿法逐层暴露互连，利用结构特征和过程图核对当前层与目标坐标。 芯片去层与层级定位适用样品包括集成电路、封装器件、功率模块、MEMS、传感器、线路板和微电子组件。按器件方向、层级、热点或缺陷坐标安排制样；记录器件方向和外观，结合X射线、SAM、电测或热点坐标设计开封与去层路线，测区和方向与芯片去层数据对应。 芯片去层与层级定位的主要测量内容包括芯片去层、层级定位和FIB定点截面；染色与缺陷显现、化学开封与激光开封补充过程、空间或质量信息。 芯片去层与层级定位围绕微电子与定点制样，按照统一的样品状态、测量程序和数据处理参数建立对照。在缺陷或互连位置制备高精度截面或TEM薄片，结果可解释位置、批次和工况变化。 芯片去层与层级定位交付开封与去层过程图、暴露层级、目标坐标、制样参数、缺陷显现图和可分析器件。原始文件、测量条件、处理参数和结果图表使用同一试样编号。
需要注意的限制
芯片去层与层级定位结果破坏性制样记录残留、应力和形貌变化；样品尺寸、目标位置及原始状态与后续结果逐项对应 芯片去层与层级定位结果制样报告记录表面或结构变化，数据处理保留模型假设和参数；原始文件、采集条件及代表性取样信息随结果归档。 芯片去层与层级定位结果对应实际收到的样品、采用的芯片开封、去层与失效定位制样条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 芯片去层与层级定位方案设计：依据器件型号、封装材料、目标芯片、缺陷坐标、层级结构、化学品、激光、研磨或FIB参数设计化学开封与激光开封的测量组合；2. 芯片去层与层级定位样品制备：记录器件方向和外观，结合X射线、SAM、电测或热点坐标设计开封与去层路线，并为芯片去层标记试样方向、测区和对照位置；3. 芯片去层与层级定位系统检查：检查静电防护、局部温升、化学腐蚀、键合线保护、层级终点、再沉积、目标偏移和过程照片，建立化学开封的设备状态与质量控制记录；4. 芯片去层与层级定位程序执行：执行选择酸体系与温度去除模塑料并保留芯片和键合结构；随后完成按扫描路径和能量逐层去除封装材料和通过研磨、抛光、等离子或湿法逐层暴露互连；5. 芯片去层与层级定位数据复核：复核原始数据、处理参数和重复测量，整理开封与去层过程图、暴露层级、目标坐标、制样参数、缺陷显现图和可分析器件
芯片去层与层级定位：样品状态
芯片去层与层级定位的样品状态控制包括集成电路、封装器件、功率模块、MEMS、传感器、线路板和微电子组件按批次、方向、位置和处理历史编号；记录器件方向和外观，结合X射线、SAM、电测或热点坐标设计开封与去层路线。通过研磨、抛光、等离子或湿法逐层暴露互连；该项记录与芯片去层原始数据、处理参数和结果图表使用相同样品编号。
芯片去层与层级定位：设备条件
芯片去层与层级定位的设备条件控制包括静电防护、局部温升、化学腐蚀、键合线保护、层级终点、再沉积、目标偏移和过程照片写入设备条件表，并与原始文件使用相同样品编号。利用结构特征和过程图核对当前层与目标坐标；该项记录与层级定位原始数据、处理参数和结果图表使用相同样品编号。
芯片去层与层级定位：数据处理
芯片去层与层级定位的数据处理控制包括利用结构特征和过程图核对当前层与目标坐标，处理前后文件、参数和结果分别保存。在缺陷或互连位置制备高精度截面或TEM薄片；该项记录与FIB定点截面原始数据、处理参数和结果图表使用相同样品编号。
芯片去层与层级定位：结果复核
芯片去层与层级定位的结果复核控制包括在缺陷或互连位置制备高精度截面或TEM薄片；使用适配染色、装饰或探针方法增强缺陷对比，用于检查测点与组间差异。使用适配染色、装饰或探针方法增强缺陷对比；该项记录与染色与缺陷显现原始数据、处理参数和结果图表使用相同样品编号。
适用产品与样品
芯片去层与层级定位适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 芯片去层与层级定位采用的技术原理为：按失效定位目标逐层暴露封装、芯片、互连和缺陷区域，为电学、显微和成分分析制备可观察表面。通过研磨、抛光、等离子或湿法逐层暴露互连，利用结构特征和过程图核对当前层与目标坐标。
- 芯片去层与层级定位适用样品包括集成电路、封装器件、功率模块、MEMS、传感器、线路板和微电子组件。按器件方向、层级、热点或缺陷坐标安排制样；记录器件方向和外观，结合X射线、SAM、电测或热点坐标设计开封与去层路线，测区和方向与芯片去层数据对应。
- 芯片去层与层级定位的主要测量内容包括芯片去层、层级定位和FIB定点截面；染色与缺陷显现、化学开封与激光开封补充过程、空间或质量信息。
- 芯片去层与层级定位围绕微电子与定点制样，按照统一的样品状态、测量程序和数据处理参数建立对照。在缺陷或互连位置制备高精度截面或TEM薄片，结果可解释位置、批次和工况变化。
- 芯片去层与层级定位交付开封与去层过程图、暴露层级、目标坐标、制样参数、缺陷显现图和可分析器件。原始文件、测量条件、处理参数和结果图表使用同一试样编号。
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
芯片去层与层级定位样品范围：集成电路、封装器件、功率模块、MEMS、传感器、线路板和微电子组件。样品名称、批次、数量、状态和目标位置分别登记。
- 02
芯片去层与层级定位制样执行以下内容：记录器件方向和外观，结合X射线、SAM、电测或热点坐标设计开封与去层路线。芯片去层与层级定位测区使用清晰的位置或方向标记。
- 03
芯片去层与层级定位把器件型号、封装材料、目标芯片、缺陷坐标、层级结构、化学品、激光、研磨或FIB参数写入样品与程序清单；按器件方向、层级、热点或缺陷坐标安排制样。
- 04
芯片去层与层级定位对照样围绕微电子与定点制样的批次、位置或处理状态设置，平行样采用相同制备和测量条件。
- 05
芯片去层与层级定位样品处理中，选择酸体系与温度去除模塑料并保留芯片和键合结构。相关环境、转移、保存或前处理时间写入记录，便于解释化学开封差异。
芯片去层与层级定位样品范围：集成电路、封装器件、功率模块、MEMS、传感器、线路板和微电子组件。样品名称、批次、数量、状态和目标位置分别登记。 芯片去层与层级定位制样执行以下内容：记录器件方向和外观，结合X射线、SAM、电测或热点坐标设计开封与去层路线。芯片去层与层级定位测区使用清晰的位置或方向标记。 芯片去层与层级定位把器件型号、封装材料、目标芯片、缺陷坐标、层级结构、化学品、激光、研磨或FIB参数写入样品与程序清单；按器件方向、层级、热点或缺陷坐标安排制样。 芯片去层与层级定位对照样围绕微电子与定点制样的批次、位置或处理状态设置，平行样采用相同制备和测量条件。 芯片去层与层级定位样品处理中，选择酸体系与温度去除模塑料并保留芯片和键合结构。相关环境、转移、保存或前处理时间写入记录，便于解释化学开封差异。
芯片去层与层级定位技术报告列出开封与去层过程图、暴露层级、目标坐标、制样参数、缺陷显现图和可分析器件，并说明芯片去层和层级定位的测量条件与结果。 芯片去层与层级定位的芯片去层交付原始信号、处理后数据、计算表和结果图；通过研磨、抛光、等离子或湿法逐层暴露互连。 芯片去层与层级定位的层级定位按样品与测点提供单次值、统计值或图谱，利用结构特征和过程图核对当前层与目标坐标。 芯片去层与层级定位条件表记录静电防护、局部温升、化学腐蚀、键合线保护、层级终点、再沉积、目标偏移和过程照片，并附设备状态、质量控制及异常数据复核信息。 芯片去层与层级定位数据包收录原始文件、通用格式、图片、处理参数和文件目录，可用于后续复算及跨方法对照。
检测项目
芯片去层
芯片去层与层级定位中，芯片去层按以下内容记录：通过研磨、抛光、等离子或湿法逐层暴露互连。数据表同步记录静电防护、局部温升、化学腐蚀、键合线保护、层级终点、再沉积、目标偏移和过程照片中的相关参数，并把芯片去层结果与层级定位按样品、测点和程序节点排列。
层级定位
芯片去层与层级定位中，层级定位按以下内容记录：利用结构特征和过程图核对当前层与目标坐标。数据表同步记录静电防护、局部温升、化学腐蚀、键合线保护、层级终点、再沉积、目标偏移和过程照片中的相关参数，并把层级定位结果与FIB定点截面按样品、测点和程序节点排列。
FIB定点截面
芯片去层与层级定位中，FIB定点截面按以下内容记录：在缺陷或互连位置制备高精度截面或TEM薄片。数据表同步记录静电防护、局部温升、化学腐蚀、键合线保护、层级终点、再沉积、目标偏移和过程照片中的相关参数，并把FIB定点截面结果与染色与缺陷显现按样品、测点和程序节点排列。
染色与缺陷显现
芯片去层与层级定位中，染色与缺陷显现按以下内容记录：使用适配染色、装饰或探针方法增强缺陷对比。数据表同步记录静电防护、局部温升、化学腐蚀、键合线保护、层级终点、再沉积、目标偏移和过程照片中的相关参数，并把染色与缺陷显现结果与化学开封按样品、测点和程序节点排列。
化学开封
芯片去层与层级定位中，化学开封按以下内容记录：选择酸体系与温度去除模塑料并保留芯片和键合结构。数据表同步记录静电防护、局部温升、化学腐蚀、键合线保护、层级终点、再沉积、目标偏移和过程照片中的相关参数，并把化学开封结果与激光开封按样品、测点和程序节点排列。
激光开封
芯片去层与层级定位中，激光开封按以下内容记录：按扫描路径和能量逐层去除封装材料。数据表同步记录静电防护、局部温升、化学腐蚀、键合线保护、层级终点、再沉积、目标偏移和过程照片中的相关参数，并把激光开封结果与芯片去层按样品、测点和程序节点排列。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 1 项
谱图检索和未知物判断应保留采集条件、峰表、候选匹配与人工复核过程，不能只交付一个软件给出的名称。
NIST Chemistry WebBook公开提供质谱、红外、紫外可见及色谱保留等经整理的参考数据，可用于谱图与物性信息核对。
NIST Chemistry WebBook报告和检测数据
芯片去层与层级定位结果破坏性制样记录残留、应力和形貌变化；样品尺寸、目标位置及原始状态与后续结果逐项对应
芯片去层与层级定位结果制样报告记录表面或结构变化，数据处理保留模型假设和参数；原始文件、采集条件及代表性取样信息随结果归档。
芯片去层与层级定位结果对应实际收到的样品、采用的芯片开封、去层与失效定位制样条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01芯片去层与层级定位测哪些数据？
芯片去层与层级定位测量芯片去层、层级定位、FIB定点截面，并分析染色与缺陷显现、化学开封、激光开封。报告同时提供开封与去层过程图、暴露层级、目标坐标、制样参数、缺陷显现图和可分析器件。
02芯片去层与层级定位适用什么样品？
芯片去层与层级定位适用于集成电路、封装器件、功率模块、MEMS、传感器、线路板和微电子组件。按器件方向、层级、热点或缺陷坐标安排制样；记录器件方向和外观，结合X射线、SAM、电测或热点坐标设计开封与去层路线，样品批次、状态、方向和目标位置分别编号。
03芯片去层与层级定位怎样准备样品？
芯片去层与层级定位样品按以下步骤制备：记录器件方向和外观，结合X射线、SAM、电测或热点坐标设计开封与去层路线。按器件方向、层级、热点或缺陷坐标安排制样，并保留制样或装样记录。
04芯片去层与层级定位记录哪些条件？
芯片去层与层级定位记录静电防护、局部温升、化学腐蚀、键合线保护、层级终点、再沉积、目标偏移和过程照片。这些字段与芯片去层原始文件、层级定位处理结果和报告图表逐一对应。
05芯片去层与层级定位怎样设置对照？
芯片去层与层级定位围绕微电子与定点制样的批次、位置、处理或程序节点设置对照。各组使用相同制样、设备和处理参数，直接比较FIB定点截面与染色与缺陷显现。
06芯片去层与层级定位怎样检查重复性？
芯片去层与层级定位对芯片去层安排同条件平行测量，并核对层级定位响应。报告列出单次值、平均结果和离散统计，同时保留设备与样品状态。
07芯片去层与层级定位报告包含什么？
芯片去层与层级定位报告包含开封与去层过程图、暴露层级、目标坐标、制样参数、缺陷显现图和可分析器件，附静电防护、局部温升、化学腐蚀、键合线保护、层级终点、再沉积、目标偏移和过程照片及质量控制记录；原始数据、处理文件和高清图表归入同一数据包。
08芯片去层与层级定位结果怎样使用？
芯片去层与层级定位结果说明：芯片去层、层级定位和FIB定点截面的联合结果能够支持失效定位、互连观察和微区结构分析。数据包保留原始文件、处理参数和结果图，使FIB定点截面的差异能够回到对应样品与测量位置。