GB/T 30447-2013 纳米薄膜接触角测量方法
依据GB/T 30447-2013 纳米薄膜接触角测量方法开展仪器测试时,适用对象包括GB/T 30447-2013用于半导体,实施内容包括GB/T 30447-2013在半导体、薄膜与电子材料接触角与表面能中落实标准规定的,交付GB/T 30447-2013方法实施信息与半导体。
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依据GB/T 30447-2013 纳米薄膜接触角测量方法开展仪器测试时,适用对象包括GB/T 30447-2013用于半导体,实施内容包括GB/T 30447-2013在半导体、薄膜与电子材料接触角与表面能中落实标准规定的,交付GB/T 30447-2013方法实施信息与半导体。
查看完整内容依据GB/T 30693-2014 塑料薄膜与水接触角的测量开展仪器测试时,适用对象包括GB/T 30693-2014用于高分子,实施内容包括GB/T 30693-2014在高分子、胶黏剂与复合界面接触角与表面能中落实标准规定,交付GB/T 30693-2014方法实施信息与高分子。
查看完整内容GB/T 31057.2-2018 颗粒材料 物理性能测试 第2部分:振实密度的测量适用于GB/T 31057.2-2018用于粉体与颗粒材料真密度。仪器测试按该标准执行GB/T 31057.2-2018在粉体与颗粒材料真密度、堆积密度与振实密度、多孔,形成GB/T 31057.2-2018方法实施信息与粉体与颗粒材料真密度。
查看完整内容GB/T 3139-2005 纤维增强塑料导热系数试验方法规定GB/T 3139-2005用于塑料、橡胶与复合材料导热相关的实施要求,内容包括GB/T 3139-2005在塑料、橡胶与复合材料导热;项目交付GB/T 3139-2005方法实施信息与塑料、橡胶与复合材料导热。
查看完整内容GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法适用于GB/T 32188-2015用于金属、陶瓷与晶体材料织构。仪器测试按该标准执行GB/T 32188-2015《氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法》在,形成GB/T 32188-2015《氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半。
查看完整内容GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法用于GB/T 32189-2015用于电子器件的仪器测试,项目按标准完成GB/T 32189-2015《氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法》在电子并形成GB/T 32189-2015《氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微。
查看完整内容GB/T 32361-2015 分离膜孔径测试方法 泡点和平均流量法用于GB/T 32361-2015用于泡点与最大孔径的泡点、平均流量孔径的仪器测试,项目按标准完成GB/T 32361-2015在泡点与最大孔径、毛细流动孔径分布并形成GB/T 32361-2015方法实施信息与泡点与最大孔径。
查看完整内容GB/T 33826-2017 玻璃衬底上纳米薄膜厚度测量 触针式轮廓仪法适用于GB/T 33826-2017用于半导体。仪器测试按该标准执行GB/T 33826-2017在半导体、薄膜与电子材料台阶仪与表面轮廓中落实标准规定,形成GB/T 33826-2017方法实施信息与半导体。
查看完整内容GB/T 3389-2008 压电陶瓷材料性能测试方法 性能参数的测试用于磁性、铁电与功能器件压电、铁电与功能响应按GB/T 3389-2008测量压的仪器测试,项目按标准完成磁性、铁电与功能器件压电、铁电与功能响应按GB/T 3389-2008测量压电陶瓷材并形成保存频率响应、阻抗或导纳曲线、介电读数、压电读数和参数计算表。
查看完整内容依据GB/T 34612-2017 蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法开展仪器测试时,适用对象包括GB/T 34612-2017用于金属、陶瓷与晶体材料织构,实施内容包括GB/T 34612-2017《蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法》在金属,交付GB/T 34612-2017《蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量。
查看完整内容依据GB/T 36053-2018 X射线反射法测量薄膜的厚度、密度和界面宽度 仪器要求、准直和定位、数据采集、数据分析和报告开展仪器测试时,适用对象包括GB/T 36053-2018用于薄膜厚度、密度与粗糙度的薄膜厚度、密度,实施内容包括GB/T 36053-2018《X射线反射法测量薄膜的厚度,交付GB/T 36053-2018《X射线反射法测量薄膜的厚度。
查看完整内容GB/T 36165-2018 金属平均晶粒度的测定 电子背散射衍射(EBSD)法适用于GB/T 36165-2018用于金属组织。仪器测试按该标准执行GB/T 36165-2018《金属平均晶粒度的测定 电子背散射衍射(EBSD)法》,形成GB/T 36165-2018《金属平均晶粒度的测定 电子背散射衍射。
查看完整内容GB/T 37166-2018 无损检测 复合材料工业计算机层析成像(CT)检测方法适用于GB/T 37166-2018用于复合材料。仪器测试按该标准执行GB/T 37166-2018《无损检测 复合材料工业计算机层析成像(CT)检测方法,形成GB/T 37166-2018《无损检测 复合材料工业计算机层析成像。
查看完整内容GB/T 38200-2019 太阳电池量子效率测试方法规定半导体与光电材料太阳能电池EQE与光谱响应中的太阳电池和光伏器件子项按GB/相关的实施要求,内容包括半导体与光电材料太阳能电池EQE与光谱响应中的太阳电池和光伏器件子项按GB/T 38;项目交付保存波长、参考光功率、光生电流、EQE曲线和积分电流。
查看完整内容GB/T 38398-2019 纺织品 过滤性能 最易穿透粒径的测定规定GB/T 38398-2019用于滤材分级效率与穿透粒径的气溶胶粒径分布相关的实施要求,内容包括GB/T 38398-2019在滤材分级效率与穿透粒径中落实标准规定的测量步骤与技术;项目交付GB/T 38398-2019方法实施信息与滤材分级效率与穿透粒径实。
查看完整内容依据GB/T 38535-2020 纤维增强树脂基复合材料工业计算机层析成像(CT)检测方法开展仪器测试时,适用对象包括GB/T 38535-2020用于复合材料,实施内容包括GB/T 38535-2020《纤维增强树脂基复合材料工业计算机层析成像(CT)检测,交付GB/T 38535-2020《纤维增强树脂基复合材料工业计算机层析。
查看完整内容GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法规定GB/T 39144-2020用于半导体相关的实施要求,内容包括GB/T 39144-2020《氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法》在半导体;项目交付GB/T 39144-2020《氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质。
查看完整内容GB/T 39978-2021 纳米技术 碳纳米管粉体电阻率 四探针法规定电池、电极与电子材料四探针方阻与体积电阻率按GB/T 39978-2021用相关的实施要求,内容包括电池、电极与电子材料四探针方阻与体积电阻率按GB/T 39978-2021用四探针法;项目交付根据试样截面积、压实高度、电流和电压计算体积电阻率。
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