检测范围
无接触记录器件、电极和复合界面的三维高度、缺陷尺寸与局部体积变化，其中按基准面分割缺损或堆积区域，计算磨损体积、材料转移量和孔洞容积。透明封装、高反光金属和软胶界面分别优化照明，颜色与反射差异结合成分数据解释。
三维表面重建
沿Z轴采集光学切片并合成高度场，展示磨痕、孔洞、台阶和颗粒表面，采集区域：视场覆盖器件功能区、电极裂纹、胶接边缘和相邻完整区域，并与故障坐标配准。
对象与条件
面积与体积：按基准面分割缺损或堆积区域，计算磨损体积、材料转移量和孔洞容积，结果用于无接触记录器件、电极和复合界面的三维高度、缺陷尺寸与局部体积变化 三维表面重建：沿Z轴采集光学切片并合成高度场，展示磨痕、孔洞、台阶和颗粒表面，测量位置按以下方式布置：视场覆盖器件功能区、电极裂纹、胶接边缘和相邻完整区域，并与故障坐标配准 检测对象：器件外观面、芯片封装局部、电极涂层、复合材料断面和胶接界面 测量位置：视场覆盖器件功能区、电极裂纹、胶接边缘和相邻完整区域，并与故障坐标配准 数据判读：无接触记录器件、电极和复合界面的三维高度、缺陷尺寸与局部体积变化
需要注意的限制
电子器件、电池与复合材料激光共聚焦与三维显微镜结果单个视场对应具体测区，整批和整体结构增加代表性测点；三维结构采用三维方法评价，并记录制样、真空、束流和图像阈值 电子器件、电池与复合材料激光共聚焦与三维显微镜结果观察结果与实际取样位置和视场对应；三维结构采用三维方法评价，图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。 电子器件、电池与复合材料激光共聚焦与三维显微镜结果对应实际收到的样品、采用的激光共聚焦与三维显微镜条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
检测时需要注意什么
实施流程
1. 把电性或外观异常位置转换为可重复的光学测区坐标；2. 选择物镜、照明、Z步距和覆盖器件高度的扫描范围；3. 采集正常区与异常区的真彩、反射和三维图像；4. 测量台阶、翘曲、裂纹、缺损面积和材料转移体积；5. 将三维参数与器件层序、循环或载荷状态对应整理
光学可测性
高反光、透明或陡峭表面会产生缺失点，采用适合的照明与曝光组合提高有效数据比例，样品资料：记录器件型号、封装层序、电性现象、循环或载荷状态、测区方向和照明条件。
基准面
台阶和体积计算使用未磨损区或设计平面建立基准，选区轮廓保留在报告图中，测量位置：视场覆盖器件功能区、电极裂纹、胶接边缘和相邻完整区域，并与故障坐标配准。
滤波设置
粗糙度、波纹度和形状分量的分离依赖截止波长，批次比较采用相同滤波参数，对照数据：对照正常件、异常件及处理后复测件的台阶、翘曲、裂纹和缺损体积。
拼接误差
大视场拼接时检查重叠区高度连续性，统计区域采用连续有效高度点并标明边缘畸变与异常反射点，结果解释：透明封装、高反光金属和软胶界面分别优化照明，颜色与反射差异结合成分数据解释。
适用产品与样品
电子器件、电池与复合材料激光共聚焦与三维显微镜适用于以下产品、样品及技术问题。
适用产品和常见问题
- 面积与体积：按基准面分割缺损或堆积区域，计算磨损体积、材料转移量和孔洞容积，结果用于无接触记录器件、电极和复合界面的三维高度、缺陷尺寸与局部体积变化
- 三维表面重建：沿Z轴采集光学切片并合成高度场，展示磨痕、孔洞、台阶和颗粒表面，测量位置按以下方式布置：视场覆盖器件功能区、电极裂纹、胶接边缘和相邻完整区域，并与故障坐标配准
- 检测对象：器件外观面、芯片封装局部、电极涂层、复合材料断面和胶接界面
- 测量位置：视场覆盖器件功能区、电极裂纹、胶接边缘和相邻完整区域，并与故障坐标配准
- 数据判读：无接触记录器件、电极和复合界面的三维高度、缺陷尺寸与局部体积变化
送样前需要准备什么
送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。
- 01
样品形式：器件外观面、芯片封装局部、电极涂层、复合材料断面和胶接界面
- 02
制样与装夹：按故障坐标固定器件或截面，清除浮尘并保留原始裂纹、压痕和脱粘边缘
- 03
随样资料：记录器件型号、封装层序、电性现象、循环或载荷状态、测区方向和照明条件
- 04
对照样品：对照正常件、异常件及处理后复测件的台阶、翘曲、裂纹和缺损体积
- 05
位置记录：视场覆盖器件功能区、电极裂纹、胶接边缘和相邻完整区域，并与故障坐标配准
样品形式：器件外观面、芯片封装局部、电极涂层、复合材料断面和胶接界面 制样与装夹：按故障坐标固定器件或截面，清除浮尘并保留原始裂纹、压痕和脱粘边缘 随样资料：记录器件型号、封装层序、电性现象、循环或载荷状态、测区方向和照明条件 对照样品：对照正常件、异常件及处理后复测件的台阶、翘曲、裂纹和缺损体积 位置记录：视场覆盖器件功能区、电极裂纹、胶接边缘和相邻完整区域，并与故障坐标配准
电子器件、电池与复合材料激光共聚焦与三维显微镜技术报告及主要结论 交付器件或电极三维图、缺陷尺寸、局部面积体积、坐标图和对照结果 原始资料：面积与体积数据；记录器件型号、封装层序、电性现象、循环或载荷状态、测区方向和照明条件 位置资料：视场覆盖器件功能区、电极裂纹、胶接边缘和相邻完整区域，并与故障坐标配准 对照资料：对照正常件、异常件及处理后复测件的台阶、翘曲、裂纹和缺损体积
检测项目
三维表面重建
沿Z轴采集光学切片并合成高度场，展示磨痕、孔洞、台阶和颗粒表面，采集区域：视场覆盖器件功能区、电极裂纹、胶接边缘和相邻完整区域，并与故障坐标配准。
高度与深度
提取指定截面测量台阶、沟槽、凹坑、凸起和涂层局部高度，对照组合：对照正常件、异常件及处理后复测件的台阶、翘曲、裂纹和缺损体积。
面积与体积
按基准面分割缺损或堆积区域，计算磨损体积、材料转移量和孔洞容积，样品资料：记录器件型号、封装层序、电性现象、循环或载荷状态、测区方向和照明条件。
真彩与反射图
同步保存彩色显微图和反射强度图，关联表面颜色、污染与高度变化，数据判读：透明封装、高反光金属和软胶界面分别优化照明，颜色与反射差异结合成分数据解释。
多测区比较
按统一物镜、像素和处理参数比较不同位置、工艺或批次的三维参数，应用方向：无接触记录器件、电极和复合界面的三维高度、缺陷尺寸与局部体积变化。
检测方法和流程
检测标准和方法
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 1 项
报告和检测数据
电子器件、电池与复合材料激光共聚焦与三维显微镜结果单个视场对应具体测区，整批和整体结构增加代表性测点；三维结构采用三维方法评价，并记录制样、真空、束流和图像阈值
电子器件、电池与复合材料激光共聚焦与三维显微镜结果观察结果与实际取样位置和视场对应；三维结构采用三维方法评价，图像统计同步记录阈值及束流、真空、切割和抛光条件。
电子器件、电池与复合材料激光共聚焦与三维显微镜结果对应实际收到的样品、采用的激光共聚焦与三维显微镜条件和数据处理方法；样品或参数改变后按新条件复核可比性
仪器测试交付测量数据和技术说明；整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施
常见问题
01电子器件、电池与复合材料的面积与体积能得到哪些参数？
按基准面分割缺损或堆积区域，计算磨损体积、材料转移量和孔洞容积，无接触记录器件、电极和复合界面的三维高度、缺陷尺寸与局部体积变化。
02电子器件、电池与复合材料的面积与体积常见送样形态有哪些？
器件外观面、芯片封装局部、电极涂层、复合材料断面和胶接界面，按故障坐标固定器件或截面，清除浮尘并保留原始裂纹、压痕和脱粘边缘。
03电子器件、电池与复合材料的面积与体积制样时要准备什么？
按故障坐标固定器件或截面，清除浮尘并保留原始裂纹、压痕和脱粘边缘，记录器件型号、封装层序、电性现象、循环或载荷状态、测区方向和照明条件。
04电子器件、电池与复合材料的面积与体积参照组怎样设置？
对照正常件、异常件及处理后复测件的台阶、翘曲、裂纹和缺损体积，物镜、Z步距、曝光、滤波和选区规则保持一致。
05电子器件、电池与复合材料的面积与体积测区如何选择？
视场覆盖器件功能区、电极裂纹、胶接边缘和相邻完整区域，并与故障坐标配准，按故障坐标固定器件或截面，清除浮尘并保留原始裂纹、压痕和脱粘边缘。
06电子器件、电池与复合材料的面积与体积数据质量如何保证？
透明封装、高反光金属和软胶界面分别优化照明，颜色与反射差异结合成分数据解释，物镜、Z步距、曝光、滤波和选区规则保持一致。
07电子器件、电池与复合材料的面积与体积原始数据文件有哪些？
交付器件或电极三维图、缺陷尺寸、局部面积体积、坐标图和对照结果，记录器件型号、封装层序、电性现象、循环或载荷状态、测区方向和照明条件。
08电子器件、电池与复合材料的面积与体积怎样支持工艺判断？
无接触记录器件、电极和复合界面的三维高度、缺陷尺寸与局部体积变化，对照正常件、异常件及处理后复测件的台阶、翘曲、裂纹和缺损体积。