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标准解读

IEC TS 62607-6-8:2023 Nanomanufacturing — Key control characteristics — Part 6-8: Graphene — Sheet resistance: In-line four-point probe

IEC TS 62607-6-8:2023 Instrument Testing Standard

IEC TS 62607-6-8:2023的正式名称为《Nanomanufacturing — Key control characteristics — Part 6-8: Graphene — Sheet resistance: In-line four-point probe》。

发布机构：浙江中见检测有限公司更新日期：

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文章要点
主要检测内容 · 探针沿规定轨迹连续或分点接触薄膜
适用对象
薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率按IEC TS 62607-6-8:2023用在线四探针测量石墨烯薄膜方块电阻，记录探针布置、走样位置、电流和电压。 · 薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率的适用试样与测量对象
参考依据
见本页技术说明
结果解释
保存测点坐标、针压、电流、电压、修正系数、方块电阻和均匀性图。 · 报告列出薄膜基底、在线配置、扫描轨迹、各点方块电阻和面内分布。
01

本页说明

IEC TS 62607-6-8:2023的正式名称为《Nanomanufacturing — Key control characteristics — Part 6-8: Graphene — Sheet resistance: In-line four-point probe》。

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适用对象与条件

  • 薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率按IEC TS 62607-6-8:2023用在线四探针测量石墨烯薄膜方块电阻，记录探针布置、走样位置、电流和电压。
  • 薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率的适用试样与测量对象
  • 该文件规定的实施过程为：探针沿规定轨迹连续或分点接触薄膜，采集电流电压并计算方块电阻。
  • 探针沿规定轨迹连续或分点接触薄膜，采集电流电压并计算方块电阻。
  • 保存测点坐标、针压、电流、电压、修正系数、方块电阻和均匀性图。
03

主要要求与方法

主要检测内容

薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率按IEC TS 62607-6-8:2023用在线四探针测量石墨烯薄膜方块电阻，记录探针布置、走样位置、电流和电压。

探针沿规定轨迹连续或分点接触薄膜

探针沿规定轨迹连续或分点接触薄膜，采集电流电压并计算方块电阻。

保存测点坐标、针压、电流、电压、修正系数、方块电阻和均匀性图

保存测点坐标、针压、电流、电压、修正系数、方块电阻和均匀性图。

尺寸与表面测量

试样状态、形状、尺寸和数量

测点方向、位置和重复次数

测点方向、位置和重复次数

技术说明

方法、条件与注意事项

标准用途

IEC TS 62607-6-8:2023的正式名称为《Nanomanufacturing — Key control characteristics — Part 6-8: Graphene — Sheet resistance: In-line four-point probe》。 该文件规定的实施过程为：探针沿规定轨迹连续或分点接触薄膜，采集电流电压并计算方块电阻。

适用项目与测量内容

- [薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率](/services/instrument-testing/optical-electrical-magnetic/four-point-probe-and-resistivity/four-point-probe-and-resistivity-films-coatings-and-transparent-materials)：薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率按IEC TS 62607-6-8:2023用在线四探针测量石墨烯薄膜方块电阻，记录探针布置、走样位置、电流和电压。

试样、设备与测量步骤

- 探针沿规定轨迹连续或分点接触薄膜，采集电流电压并计算方块电阻。

试样与设备

石墨烯薄膜记录基底、制备批次、膜层区域、尺寸和在线测点轨迹。 在线四探针系统记录探针间距、针压、扫描机构、电流源、电压通道和位置校准。

数据处理与结果

保存测点坐标、针压、电流、电压、修正系数、方块电阻和均匀性图。

报告内容

报告列出薄膜基底、在线配置、扫描轨迹、各点方块电阻和面内分布。

官方来源

国际电工委员会发布了IEC TS 62607-6-8:2023《Nanomanufacturing — Key control characteristics — Part 6-8: Graphene — Sheet resistance: In-line four-point probe》，[查看官方发布记录](https://webstore.iec.ch/en/publication/32302)。

04

需要结合哪些资料

  • 石墨烯薄膜记录基底、制备批次、膜层区域、尺寸和在线测点轨迹；薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率项目的批次试样、测量位置和对照样
05

参考依据与来源

资料来源标准和方法来源
来源资料

IEC TS 62607-6-8:2023《Nanomanufacturing — Key control characteristics — Part 6-8: Graphene — Sheet resistance: In-line four-point probe》由国际电工委员会发布。

标准编号：IEC TS 62607-6-8:2023；标准名称：Nanomanufacturing — Key control characteristics — Part 6-8: Graphene — Sheet resistance: In-line four-point probe；发布机构：国际电工委员会。

国际电工委员会
06

结果怎样使用

  • 保存测点坐标、针压、电流、电压、修正系数、方块电阻和均匀性图。
  • 报告列出薄膜基底、在线配置、扫描轨迹、各点方块电阻和面内分布。
  • 薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率的原始记录、计算表、曲线、图谱和结果表

使用结果时需要结合的事项

  • 薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率研发与设计；薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率批次、材料或工艺比较；薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率质量控制和技术报告
08

标准使用常见问题

01IEC TS 62607-6-8:2023适用于哪些测量对象？

该文件规定的实施过程为：探针沿规定轨迹连续或分点接触薄膜，采集电流电压并计算方块电阻。 石墨烯薄膜记录基底、制备批次、膜层区域、尺寸和在线测点轨迹。

02IEC TS 62607-6-8:2023如何准备试样和设备？

石墨烯薄膜记录基底、制备批次、膜层区域、尺寸和在线测点轨迹。 在线四探针系统记录探针间距、针压、扫描机构、电流源、电压通道和位置校准。

03IEC TS 62607-6-8:2023怎样实施测量和处理数据？

探针沿规定轨迹连续或分点接触薄膜，采集电流电压并计算方块电阻。 保存测点坐标、针压、电流、电压、修正系数、方块电阻和均匀性图。

04IEC TS 62607-6-8:2023报告包含哪些内容？

报告列出薄膜基底、在线配置、扫描轨迹、各点方块电阻和面内分布。 保存测点坐标、针压、电流、电压、修正系数、方块电阻和均匀性图。

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