标准适用范围
IEC TS 62607-6-8:2023 Nanomanufacturing — Key control characteristics — Part 6-8: Graphene — Sheet resistance: In-line four-point probe介绍标准的适用对象、有效版本、执行条件、关键步骤和结果用途。
主要检测内容
薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率按IEC TS 62607-6-8:2023用在线四探针测量石墨烯薄膜方块电阻，记录探针布置、走样位置、电流和电压。
薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率按IEC TS 62607-6-8:2023用在线四探针测量石墨烯薄膜方块电阻，记录探针布置、走样位置、电流和电压。
薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率的适用试样与测量对象
样品、现象、标准版本、已有数据和结果用途
石墨烯薄膜记录基底、制备批次、膜层区域、尺寸和在线测点轨迹。
标准技术要求 + 检测条件记录
保存测点坐标、针压、电流、电压、修正系数、方块电阻和均匀性图。
项目技术要点
标准用途
IEC TS 62607-6-8:2023的正式名称为《Nanomanufacturing — Key control characteristics — Part 6-8: Graphene — Sheet resistance: In-line four-point probe》。
适用项目与测量内容
- [薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率](/services/instrument-testing/optical-electrical-magnetic/four-point-probe-and-resistivity/four-point-probe-and-resistivity-films-coatings-and-transparent-materials)：薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率按IEC TS 62607-6-8:2023用在线四探针测量石墨烯薄膜方块电阻，记录探针布置、走样位置、电流和电压。
试样、设备与测量步骤
- 探针沿规定轨迹连续或分点接触薄膜，采集电流电压并计算方块电阻。
试样与设备
石墨烯薄膜记录基底、制备批次、膜层区域、尺寸和在线测点轨迹。
数据处理与结果
保存测点坐标、针压、电流、电压、修正系数、方块电阻和均匀性图。
报告内容
报告列出薄膜基底、在线配置、扫描轨迹、各点方块电阻和面内分布。
适用对象与应用场景
IEC TS 62607-6-8:2023 Nanomanufacturing — Key control characteristics — Part 6-8: Graphene — Sheet resistance: In-line four-point probe适用于以下对象、测试目的和应用条件。
适用产品与技术问题
- 薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率按IEC TS 62607-6-8:2023用在线四探针测量石墨烯薄膜方块电阻，记录探针布置、走样位置、电流和电压。
- 薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率的适用试样与测量对象
- 该文件规定的实施过程为：探针沿规定轨迹连续或分点接触薄膜，采集电流电压并计算方块电阻。
- 探针沿规定轨迹连续或分点接触薄膜，采集电流电压并计算方块电阻。
- 保存测点坐标、针压、电流、电压、修正系数、方块电阻和均匀性图。
委托资料与样品要求
提交标准编号和版本、产品或材料信息、样品状态、判定依据及报告用途。
- 01
石墨烯薄膜记录基底、制备批次、膜层区域、尺寸和在线测点轨迹。
- 02
薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率项目的批次试样、测量位置和对照样
石墨烯薄膜记录基底、制备批次、膜层区域、尺寸和在线测点轨迹。适用版本、产品要求、现象记录和已有数据用于匹配标准与验证方案。
IEC TS 62607-6-8:2023 Nanomanufacturing — Key control characteristics — Part 6-8: Graphene — Sheet resistance: In-line four-point probe项目列明技术问题、标准版本、样品量、执行条件与结果交付日期。
主要提供保存测点坐标、针压、电流、电压、修正系数、方块电阻和均匀性图、报告列出薄膜基底、在线配置、扫描轨迹、各点方块电阻和面内分布。其他数据和附件在委托单中列明。
技术问题、适用标准和现有资料对应至检测项目，并完成结果复核。
主要技术要求
主要检测内容
薄膜、涂层与透明材料四探针方阻与体积电阻率按IEC TS 62607-6-8:2023用在线四探针测量石墨烯薄膜方块电阻，记录探针布置、走样位置、电流和电压。
探针沿规定轨迹连续或分点接触薄膜
探针沿规定轨迹连续或分点接触薄膜，采集电流电压并计算方块电阻。
保存测点坐标、针压、电流、电压、修正系数、方块电阻和均匀性图
保存测点坐标、针压、电流、电压、修正系数、方块电阻和均匀性图。
尺寸与表面测量
试样状态、形状、尺寸和数量
测点方向、位置和重复次数
测点方向、位置和重复次数
标准实施要点
应用场景
IEC TS 62607-6-8:2023 Nanomanufacturing — Key control characteristics — Part 6-8: Graphene — Sheet resistance: In-line four-point probe覆盖研发、质量控制、验收、认证支持和争议核查。
标准版本
列明标准编号、年份、修订件、引用文件以及合同或产品规范要求。
对象与样品
石墨烯薄膜记录基底、制备批次、膜层区域、尺寸和在线测点轨迹。
确定执行条件
把主要检测内容、探针沿规定轨迹连续或分点接触薄膜落实为设备、环境、步骤、参数、质量控制和记录要求。
完成检测与复核
按规定条件实施测试，复核原始数据、计算过程、异常记录和判定依据。
交付结果和说明
提供保存测点坐标、针压、电流、电压、修正系数、方块电阻和均匀性图、报告列出薄膜基底、在线配置、扫描轨迹、各点方块电阻和面内分布、标准版本、测试条件和相关记录。
版本与关联标准
IEC TS 62607-6-8:2023《Nanomanufacturing — Key control characteristics — Part 6-8: Graphene — Sheet resistance: In-line four-point probe》由国际电工委员会发布。
标准编号：IEC TS 62607-6-8:2023；标准名称：Nanomanufacturing — Key control characteristics — Part 6-8: Graphene — Sheet resistance: In-line four-point probe；发布机构：国际电工委员会。
国际电工委员会报告与交付内容
报告列明实际样品、检测方法、测试条件、结果和约定附件。
报告同步提供质量控制、数据复核和判定依据等项目记录。
样品、批次、工况或标准发生变化时，按新条件开展补充检测。
报告支持CMA/CNAS标识、合格判定及英文版本，相关要求可在需求表中注明。标准应用常见问题
01IEC TS 62607-6-8:2023适用于哪些测量对象？
该文件规定的实施过程为：探针沿规定轨迹连续或分点接触薄膜，采集电流电压并计算方块电阻。 石墨烯薄膜记录基底、制备批次、膜层区域、尺寸和在线测点轨迹。
02IEC TS 62607-6-8:2023如何准备试样和设备？
石墨烯薄膜记录基底、制备批次、膜层区域、尺寸和在线测点轨迹。 在线四探针系统记录探针间距、针压、扫描机构、电流源、电压通道和位置校准。
03IEC TS 62607-6-8:2023怎样实施测量和处理数据？
探针沿规定轨迹连续或分点接触薄膜，采集电流电压并计算方块电阻。 保存测点坐标、针压、电流、电压、修正系数、方块电阻和均匀性图。
04IEC TS 62607-6-8:2023报告包含哪些内容？
报告列出薄膜基底、在线配置、扫描轨迹、各点方块电阻和面内分布。 保存测点坐标、针压、电流、电压、修正系数、方块电阻和均匀性图。