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标准解读

IEC TS 62607-6-10:2021 Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 6-10: Graphene - Sheet resistance: Terahertz time-domain spectroscopy

IEC TS 62607-6-10:2021 Instrument Testing Standard

IEC TS 62607-6-10:2021 Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 6-10: Graphene - Sheet resistance: Terahertz time-domain spectroscopy规定太赫兹透射、反射与吸收中的介电基底石墨烯薄膜子项按该技术规范采用THz-TD相关。

检测内容
主要检测内容 · 质量控制
适用对象
太赫兹透射、反射与吸收中的介电基底石墨烯薄膜子项按该技术规范采用THz-TDS透射或反射波形测量方块电阻。 · 太赫兹透射、反射与吸收的适用试样与测量对象
方法标准
检测方法与执行标准
报告交付
保留参照与样品波形、有效频段、透射或反射响应、拟合参数、测点结果和重复测量离散性。方块电阻由复数频谱响应和所用导电模型求得,各测点结果与有效频率区间逐项对应。 · 报告列出石墨烯和基底信息、测量模式、频率范围、数据处理模型、各测点方块电阻及统计结果。同时提供代表性时域波形和频谱、模型参数及测点分布,方块电阻以单点值和统计量表达。
项目受理登记对象、检测目标和报告用途
样品登记登记数量、状态和制样要求
过程质控记录检测条件并审核原始数据
报告交付交付结果、附件和技术说明
01

标准适用范围

检测范围检测内容与适用对象

IEC TS 62607-6-10:2021 Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 6-10: Graphene - Sheet resistance: Terahertz time-domain spectroscopy介绍标准的适用对象、有效版本、执行条件、关键步骤和结果用途。

01主要技术要求

主要检测内容

太赫兹透射、反射与吸收中的介电基底石墨烯薄膜子项按该技术规范采用THz-TDS透射或反射波形测量方块电阻。

02适用对象与场景

太赫兹透射、反射与吸收中的介电基底石墨烯薄膜子项按该技术规范采用THz-TDS透射或反射波形测量方块电阻。

太赫兹透射、反射与吸收的适用试样与测量对象

03委托资料与样品

样品、现象、标准版本、已有数据和结果用途

石墨烯薄膜记录基底材料、薄膜制备方式、样品尺寸、有效区域和测点分布

04报告与交付内容

标准技术要求 + 检测条件记录

保留参照与样品波形、有效频段、透射或反射响应、拟合参数、测点结果和重复测量离散性。方块电阻由复数频谱响应和所用导电模型求得,各测点结果与有效频率区间逐项对应。

技术说明

项目技术要点

标准用途

国际电工委员会发布了IEC TS 62607-6-10:2021《Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 6-10: Graphene - Sheet resistance: Terahertz time-domain spectroscopy》。

适用项目与测量内容

- [太赫兹透射、反射与吸收](/services/instrument-testing/optical-electrical-magnetic/terahertz-and-time-resolved-spectroscopy/terahertz-transmission-reflection-and-absorption):太赫兹透射、反射与吸收中的介电基底石墨烯薄膜子项按该技术规范采用THz-TDS透射或反射波形测量方块电阻。

石墨烯太赫兹方块电阻测量

- 在相同光路和环境下依次采集空白基底与石墨烯样品的时域波形,经频域转换和模型计算得到方块电阻。样品波形与相邻时间取得的基底波形配对计算,时域截窗和频域变换对两组数据采用相同设置。

试样与设备

石墨烯薄膜记录基底材料、薄膜制备方式、样品尺寸、有效区域和测点分布,并配置同批次空白基底作为参照。空白基底和石墨烯样品采用相同尺寸与放置方向,测点避开褶皱、污染和基底边缘。

数据处理与结果

保留参照与样品波形、有效频段、透射或反射响应、拟合参数、测点结果和重复测量离散性。方块电阻由复数频谱响应和所用导电模型求得,各测点结果与有效频率区间逐项对应。

报告内容

报告列出石墨烯和基底信息、测量模式、频率范围、数据处理模型、各测点方块电阻及统计结果。同时提供代表性时域波形和频谱、模型参数及测点分布,方块电阻以单点值和统计量表达。

02

适用对象与应用场景

IEC TS 62607-6-10:2021 Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 6-10: Graphene - Sheet resistance: Terahertz time-domain spectroscopy适用于以下对象、测试目的和应用条件。

适用产品与技术问题

  • 太赫兹透射、反射与吸收中的介电基底石墨烯薄膜子项按该技术规范采用THz-TDS透射或反射波形测量方块电阻。
  • 太赫兹透射、反射与吸收的适用试样与测量对象
  • 本技术规范利用太赫兹时域光谱测量介电基底上石墨烯薄膜的方块电阻,适用于透射或反射方式取得的太赫兹波形。
  • 在相同光路和环境下依次采集空白基底与石墨烯样品的时域波形,经频域转换和模型计算得到方块电阻。样品波形与相邻时间取得的基底波形配对计算,时域截窗和频域变换对两组数据采用相同设置。
  • 保留参照与样品波形、有效频段、透射或反射响应、拟合参数、测点结果和重复测量离散性。方块电阻由复数频谱响应和所用导电模型求得,各测点结果与有效频率区间逐项对应。
03

委托资料与样品要求

提交标准编号和版本、产品或材料信息、样品状态、判定依据及报告用途。

  1. 01

    石墨烯薄膜记录基底材料、薄膜制备方式、样品尺寸、有效区域和测点分布

  2. 02

    并配置同批次空白基底作为参照。空白基底和石墨烯样品采用相同尺寸与放置方向

  3. 03

    测点避开褶皱、污染和基底边缘。

  4. 04

    太赫兹透射、反射与吸收项目的批次试样、测量位置和对照样

所需资料与样品资料与样品要求

石墨烯薄膜记录基底材料、薄膜制备方式、样品尺寸、有效区域和测点分布。适用版本、产品要求、现象记录和已有数据用于匹配标准与验证方案。

实施安排技术问题与检测方案

IEC TS 62607-6-10:2021 Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 6-10: Graphene - Sheet resistance: Terahertz time-domain spectroscopy项目列明技术问题、标准版本、样品量、执行条件与结果交付日期。

可形成的结果标准技术要求 · 检测条件记录 · 检测报告与原始记录

主要提供保留参照与样品波形、有效频段、透射或反射响应、拟合参数、测点结果和重复测量离散性。方块电阻由复数频谱响应和所用导电模型求得,各测点结果与有效频率区间逐项对应、报告列出石墨烯和基底信息、测量模式、频率范围、数据处理模型、各测点方块电阻及统计结果。同时提供代表性时域波形和频谱、模型参数及测点分布,方块电阻以单点值和统计量表达。其他数据和附件在委托单中列明。

实施方式标准解读与检测执行支持

技术问题、适用标准和现有资料对应至检测项目,并完成结果复核。

04

主要技术要求

01

主要检测内容

太赫兹透射、反射与吸收中的介电基底石墨烯薄膜子项按该技术规范采用THz-TDS透射或反射波形测量方块电阻。

02

质量控制

在相同光路和环境下依次采集空白基底与石墨烯样品的时域波形,经频域转换和模型计算得到方块电阻。样品波形与相邻时间取得的基底波形配对计算,时域截窗和频域变换对两组数据采用相同设置。

03

取样与样品处理

保留参照与样品波形、有效频段、透射或反射响应、拟合参数、测点结果和重复测量离散性。方块电阻由复数频谱响应和所用导电模型求得,各测点结果与有效频率区间逐项对应。

04

适用材料、器件和测量子项

适用材料、器件和测量子项

05

术语、符号和参数名称

术语、符号和参数名称

05

标准实施要点

现有设备和检测能力IEC TS 62607-6-10:2021 Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 6-10: Graphene - Sheet resistance: Terahertz time-domain spectroscopy列明标准版本、样品条件和检测方法,并提供主要检测内容、质量控制等实测数据。
01

应用场景

IEC TS 62607-6-10:2021 Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 6-10: Graphene - Sheet resistance: Terahertz time-domain spectroscopy覆盖研发、质量控制、验收、认证支持和争议核查。

02

标准版本

列明标准编号、年份、修订件、引用文件以及合同或产品规范要求。

03

对象与样品

石墨烯薄膜记录基底材料、薄膜制备方式、样品尺寸、有效区域和测点分布

04

确定执行条件

把主要检测内容、质量控制落实为设备、环境、步骤、参数、质量控制和记录要求。

05

完成检测与复核

按规定条件实施测试,复核原始数据、计算过程、异常记录和判定依据。

06

交付结果和说明

提供保留参照与样品波形、有效频段、透射或反射响应、拟合参数、测点结果和重复测量离散性。方块电阻由复数频谱响应和所用导电模型求得,各测点结果与有效频率区间逐项对应、报告列出石墨烯和基底信息、测量模式、频率范围、数据处理模型、各测点方块电阻及统计结果。同时提供代表性时域波形和频谱、模型参数及测点分布,方块电阻以单点值和统计量表达、标准版本、测试条件和相关记录。

06

版本与关联标准

资料来源标准发布与方法来源
来源资料

IEC TS 62607-6-10:2021《Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 6-10: Graphene - Sheet resistance: Terahertz time-domain spectroscopy》由国际电工委员会发布。

标准编号:IEC TS 62607-6-10:2021;标准名称:Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 6-10: Graphene - Sheet resistance: Terahertz time-domain spectroscopy;发布机构:国际电工委员会。

国际电工委员会
07

报告与交付内容

标准技术要求检测条件记录检测报告与原始记录版本与引用文件清单
保留参照与样品波形、有效频段、透射或反射响应、拟合参数、测点结果和重复测量离散性。方块电阻由复数频谱响应和所用导电模型求得,各测点结果与有效频率区间逐项对应。
报告列出石墨烯和基底信息、测量模式、频率范围、数据处理模型、各测点方块电阻及统计结果。同时提供代表性时域波形和频谱、模型参数及测点分布,方块电阻以单点值和统计量表达。
太赫兹透射、反射与吸收的原始记录、计算表、曲线、图谱和结果表
常见报告用途
太赫兹透射、反射与吸收研发与设计太赫兹透射、反射与吸收批次、材料或工艺比较太赫兹透射、反射与吸收质量控制和技术报告
报告与结果说明

报告列明实际样品、检测方法、测试条件、结果和约定附件。

报告同步提供质量控制、数据复核和判定依据等项目记录。

样品、批次、工况或标准发生变化时,按新条件开展补充检测。

报告支持CMA/CNAS标识、合格判定及英文版本,相关要求可在需求表中注明。
08

标准应用常见问题

01IEC TS 62607-6-10:2021适用于哪些测量对象?

本技术规范利用太赫兹时域光谱测量介电基底上石墨烯薄膜的方块电阻,适用于透射或反射方式取得的太赫兹波形。 石墨烯薄膜记录基底材料、薄膜制备方式、样品尺寸、有效区域和测点分布,并配置同批次空白基底作为参照。空白基底和石墨烯样品采用相同尺寸与放置方向,测点避开褶皱、污染和基底边缘。

02IEC TS 62607-6-10:2021如何准备试样和设备?

石墨烯薄膜记录基底材料、薄膜制备方式、样品尺寸、有效区域和测点分布,并配置同批次空白基底作为参照。空白基底和石墨烯样品采用相同尺寸与放置方向,测点避开褶皱、污染和基底边缘。 太赫兹时域光谱系统记录发射与探测组件、光路模式、频率范围、光斑尺寸、样品架和环境控制条件。系统时延、参考波形和有效动态范围在样品测量前检查,透射与反射配置分别保留光路参数。

03IEC TS 62607-6-10:2021怎样实施测量和处理数据?

在相同光路和环境下依次采集空白基底与石墨烯样品的时域波形,经频域转换和模型计算得到方块电阻。样品波形与相邻时间取得的基底波形配对计算,时域截窗和频域变换对两组数据采用相同设置。 保留参照与样品波形、有效频段、透射或反射响应、拟合参数、测点结果和重复测量离散性。方块电阻由复数频谱响应和所用导电模型求得,各测点结果与有效频率区间逐项对应。

04IEC TS 62607-6-10:2021报告包含哪些内容?

报告列出石墨烯和基底信息、测量模式、频率范围、数据处理模型、各测点方块电阻及统计结果。同时提供代表性时域波形和频谱、模型参数及测点分布,方块电阻以单点值和统计量表达。 保留参照与样品波形、有效频段、透射或反射响应、拟合参数、测点结果和重复测量离散性。方块电阻由复数频谱响应和所用导电模型求得,各测点结果与有效频率区间逐项对应。