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标准解读

IEC 62047-30:2017 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 30: Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of MEMS piezoelectric thin film

IEC 62047-30:2017 Instrument Testing Standard

IEC 62047-30:2017 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 30: Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of MEMS piezoelectric thin film用于半导。

检测内容
半导体与光电材料压电、铁电与功能响应按IEC 62047-30 · 测试方法与条件
适用对象
半导体与光电材料压电、铁电与功能响应按IEC 62047-30:2017测量MEMS压电薄膜机电转换特性,记录器件结构、激励、电响应和位移。 · 薄膜、涂层与透明材料压电、铁电与功能响应按IEC 62047-30:2017测量MEMS压电薄膜机电转换特性,记录器件结构、激励、电响应和位移。
方法标准
检测方法与执行标准
报告交付
保留激励频率幅值、力与位移、电荷电压、相位和转换系数。 · 报告给出器件几何、薄膜电极、激励与测量方向、响应曲线和机电参数。
项目受理登记对象、检测目标和报告用途
样品登记登记数量、状态和制样要求
过程质控记录检测条件并审核原始数据
报告交付交付结果、附件和技术说明
01

标准适用范围

检测范围检测内容与适用对象

IEC 62047-30:2017 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 30: Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of MEMS piezoelectric thin film介绍标准的适用对象、有效版本、执行条件、关键步骤和结果用途。

01主要技术要求

半导体与光电材料压电、铁电与功能响应按IEC 62047-30

半导体与光电材料压电、铁电与功能响应按IEC 62047-30:2017测量MEMS压电薄膜机电转换特性,记录器件结构、激励、电响应和位移。

02适用对象与场景

半导体与光电材料压电、铁电与功能响应按IEC 62047-30:2017测量MEMS压电薄膜机电转换特性,记录器件结构、激励、电响应和位移。

薄膜、涂层与透明材料压电、铁电与功能响应按IEC 62047-30:2017测量MEMS压电薄膜机电转换特性,记录器件结构、激励、电响应和位移。

03委托资料与样品

样品、现象、标准版本、已有数据和结果用途

MEMS压电薄膜器件记录薄膜材料、厚度、梁或膜结构、电极和测量方向。

04报告与交付内容

标准技术要求 + 检测条件记录

保留激励频率幅值、力与位移、电荷电压、相位和转换系数。

技术说明

项目技术要点

标准用途

IEC 62047-30:2017《Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 30: Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of MEMS piezoelectric thin film》由国际电工委员会发布。

适用项目与测量内容

- [半导体与光电材料压电、铁电与功能响应](/services/instrument-testing/optical-electrical-magnetic/piezoelectric-ferroelectric-and-functional-response/piezoelectric-ferroelectric-and-functional-response-semiconductor-and-optoel):半导体与光电材料压电、铁电与功能响应按IEC 62047-30:2017测量MEMS压电薄膜机电转换特性,记录器件结构、激励、电响应和位移。 - [薄膜、涂层与透明材料压电、铁电与功能响应](/services/instrument-testing/optical-electrical-magnetic/piezoelectric-ferroelectric-and-functional-response/piezoelectric-ferroelectric-and-functional-response-films-coatings-and-trans):薄膜、涂层与透明材料压电、铁电与功能响应按IEC 62047-30:2017测量MEMS压电薄膜机电转换特性,记录器件结构、激励、电响应和位移。

试样、设备与测量步骤

- 按规定机械或电激励驱动器件,同步采集输入与输出响应并确定转换特性。

试样与设备

MEMS压电薄膜器件记录薄膜材料、厚度、梁或膜结构、电极和测量方向。

数据处理与结果

保留激励频率幅值、力与位移、电荷电压、相位和转换系数。

报告内容

报告给出器件几何、薄膜电极、激励与测量方向、响应曲线和机电参数。

02

适用对象与应用场景

IEC 62047-30:2017 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 30: Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of MEMS piezoelectric thin film适用于以下对象、测试目的和应用条件。

适用产品与技术问题

  • 半导体与光电材料压电、铁电与功能响应按IEC 62047-30:2017测量MEMS压电薄膜机电转换特性,记录器件结构、激励、电响应和位移。
  • 薄膜、涂层与透明材料压电、铁电与功能响应按IEC 62047-30:2017测量MEMS压电薄膜机电转换特性,记录器件结构、激励、电响应和位移。
  • 半导体与光电材料压电、铁电与功能响应的适用试样与测量对象
  • 薄膜、涂层与透明材料压电、铁电与功能响应的适用试样与测量对象
  • 该文件规定的实施过程为:按规定机械或电激励驱动器件,同步采集输入与输出响应并确定转换特性。
  • 按规定机械或电激励驱动器件,同步采集输入与输出响应并确定转换特性。
  • 保留激励频率幅值、力与位移、电荷电压、相位和转换系数。
03

委托资料与样品要求

提交标准编号和版本、产品或材料信息、样品状态、判定依据及报告用途。

  1. 01

    MEMS压电薄膜器件记录薄膜材料、厚度、梁或膜结构、电极和测量方向。

  2. 02

    半导体与光电材料压电、铁电与功能响应、薄膜、涂层与透明材料压电、铁电与功能响应项目的批次试样、测量位置和对照样

所需资料与样品资料与样品要求

MEMS压电薄膜器件记录薄膜材料、厚度、梁或膜结构、电极和测量方向。适用版本、产品要求、现象记录和已有数据用于匹配标准与验证方案。

实施安排技术问题与检测方案

IEC 62047-30:2017 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 30: Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of MEMS piezoelectric thin film项目列明技术问题、标准版本、样品量、执行条件与结果交付日期。

可形成的结果标准技术要求 · 检测条件记录 · 检测报告与原始记录

主要提供保留激励频率幅值、力与位移、电荷电压、相位和转换系数、报告给出器件几何、薄膜电极、激励与测量方向、响应曲线和机电参数。其他数据和附件在委托单中列明。

实施方式标准解读与检测执行支持

技术问题、适用标准和现有资料对应至检测项目,并完成结果复核。

04

主要技术要求

01

半导体与光电材料压电、铁电与功能响应按IEC 62047-30

半导体与光电材料压电、铁电与功能响应按IEC 62047-30:2017测量MEMS压电薄膜机电转换特性,记录器件结构、激励、电响应和位移。

02

测试方法与条件

薄膜、涂层与透明材料压电、铁电与功能响应按IEC 62047-30:2017测量MEMS压电薄膜机电转换特性,记录器件结构、激励、电响应和位移。

03

规定机械或电激励驱动器件

按规定机械或电激励驱动器件,同步采集输入与输出响应并确定转换特性。

04

保留激励频率幅值、力与位移、电荷电压、相位和转换系数

保留激励频率幅值、力与位移、电荷电压、相位和转换系数。

05

尺寸与表面测量

试样状态、形状、尺寸和数量

06

测点方向、位置和重复次数

测点方向、位置和重复次数

05

标准实施要点

现有设备和检测能力IEC 62047-30:2017 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 30: Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of MEMS piezoelectric thin film列明标准版本、样品条件和检测方法,并提供半导体与光电材料压电、铁电与功能响应按IEC 62047-30、测试方法与条件等实测数据。
01

应用场景

IEC 62047-30:2017 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 30: Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of MEMS piezoelectric thin film覆盖研发、质量控制、验收、认证支持和争议核查。

02

标准版本

列明标准编号、年份、修订件、引用文件以及合同或产品规范要求。

03

对象与样品

MEMS压电薄膜器件记录薄膜材料、厚度、梁或膜结构、电极和测量方向。

04

确定执行条件

把半导体与光电材料压电、铁电与功能响应按IEC 62047-30、测试方法与条件落实为设备、环境、步骤、参数、质量控制和记录要求。

05

完成检测与复核

按规定条件实施测试,复核原始数据、计算过程、异常记录和判定依据。

06

交付结果和说明

提供保留激励频率幅值、力与位移、电荷电压、相位和转换系数、报告给出器件几何、薄膜电极、激励与测量方向、响应曲线和机电参数、标准版本、测试条件和相关记录。

06

版本与关联标准

资料来源标准发布与方法来源
来源资料

IEC 62047-30:2017《Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 30: Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of MEMS piezoelectric thin film》由国际电工委员会发布。

标准编号:IEC 62047-30:2017;标准名称:Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 30: Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of MEMS piezoelectric thin film;发布机构:国际电工委员会。

国际电工委员会
07

报告与交付内容

标准技术要求检测条件记录检测报告与原始记录版本与引用文件清单
保留激励频率幅值、力与位移、电荷电压、相位和转换系数。
报告给出器件几何、薄膜电极、激励与测量方向、响应曲线和机电参数。
半导体与光电材料压电、铁电与功能响应、薄膜、涂层与透明材料压电、铁电与功能响应的原始记录、计算表、曲线、图谱和结果表
常见报告用途
半导体与光电材料压电、铁电与功能响应、薄膜、涂层与透明材料压电、铁电与功能响应研发与设计半导体与光电材料压电、铁电与功能响应、薄膜、涂层与透明材料压电、铁电与功能响应批次、材料或工艺比较半导体与光电材料压电、铁电与功能响应、薄膜、涂层与透明材料压电、铁电与功能响应质量控制和技术报告
报告与结果说明

报告列明实际样品、检测方法、测试条件、结果和约定附件。

报告同步提供质量控制、数据复核和判定依据等项目记录。

样品、批次、工况或标准发生变化时,按新条件开展补充检测。

报告支持CMA/CNAS标识、合格判定及英文版本,相关要求可在需求表中注明。
08

标准应用常见问题

01IEC 62047-30:2017适用于哪些测量对象?

该文件规定的实施过程为:按规定机械或电激励驱动器件,同步采集输入与输出响应并确定转换特性。 MEMS压电薄膜器件记录薄膜材料、厚度、梁或膜结构、电极和测量方向。

02IEC 62047-30:2017如何准备试样和设备?

MEMS压电薄膜器件记录薄膜材料、厚度、梁或膜结构、电极和测量方向。 机电转换系统记录激励电源、力或位移检测、振动测量、电荷电压采集和显微定位。

03IEC 62047-30:2017怎样实施测量和处理数据?

按规定机械或电激励驱动器件,同步采集输入与输出响应并确定转换特性。 保留激励频率幅值、力与位移、电荷电压、相位和转换系数。

04IEC 62047-30:2017报告包含哪些内容?

报告给出器件几何、薄膜电极、激励与测量方向、响应曲线和机电参数。 保留激励频率幅值、力与位移、电荷电压、相位和转换系数。