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标准解读

GB/T 4326-2025 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T 4326-2025 Instrument Testing Standard

全国标准信息公共服务平台发布了GB/T 4326-2025《非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法》。

发布机构:浙江中见检测有限公司更新日期:

文章要点
主要检测内容 · 在规定电流和磁场下进行电流、磁场换向测量
适用对象
半导体与光电材料霍尔效应与载流子参数按GB/T 4326-2025利用霍尔效应测量非本征半导体单晶的霍尔系数和霍尔迁移率,记录磁场、电流、厚度和电压。 · 半导体与光电材料霍尔效应与载流子参数的适用试样与测量对象
参考依据
见本页技术说明
结果解释
计算霍尔系数、载流子类型与浓度、迁移率和电阻率,并保留换向读数。 · 报告列出试样几何与电极、温度、电流、磁场、换向数据及霍尔参数。
01

本页说明

全国标准信息公共服务平台发布了GB/T 4326-2025《非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法》。

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适用对象与条件

  • 半导体与光电材料霍尔效应与载流子参数按GB/T 4326-2025利用霍尔效应测量非本征半导体单晶的霍尔系数和霍尔迁移率,记录磁场、电流、厚度和电压。
  • 半导体与光电材料霍尔效应与载流子参数的适用试样与测量对象
  • 该文件规定的实施过程为:在规定电流和磁场下进行电流、磁场换向测量,消除偏置后求霍尔电压。
  • 在规定电流和磁场下进行电流、磁场换向测量,消除偏置后求霍尔电压。
  • 计算霍尔系数、载流子类型与浓度、迁移率和电阻率,并保留换向读数。
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主要要求与方法

主要检测内容

半导体与光电材料霍尔效应与载流子参数按GB/T 4326-2025利用霍尔效应测量非本征半导体单晶的霍尔系数和霍尔迁移率,记录磁场、电流、厚度和电压。

在规定电流和磁场下进行电流、磁场换向测量

在规定电流和磁场下进行电流、磁场换向测量,消除偏置后求霍尔电压。

计算霍尔系数、载流子类型与浓度、迁移率和电阻率

计算霍尔系数、载流子类型与浓度、迁移率和电阻率,并保留换向读数。

尺寸与表面测量

试样状态、形状、尺寸和数量

测点方向、位置和重复次数

测点方向、位置和重复次数

技术说明

方法、条件与注意事项

标准用途

全国标准信息公共服务平台发布了GB/T 4326-2025《非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法》。 该文件规定的实施过程为:在规定电流和磁场下进行电流、磁场换向测量,消除偏置后求霍尔电压。

适用项目与测量内容

- [半导体与光电材料霍尔效应与载流子参数](/services/instrument-testing/optical-electrical-magnetic/hall-effect-and-carrier-properties/hall-effect-and-carrier-properties-semiconductor-and-optoelectronic-material):半导体与光电材料霍尔效应与载流子参数按GB/T 4326-2025利用霍尔效应测量非本征半导体单晶的霍尔系数和霍尔迁移率,记录磁场、电流、厚度和电压。

试样、设备与测量步骤

- 在规定电流和磁场下进行电流、磁场换向测量,消除偏置后求霍尔电压。

试样与设备

非本征半导体单晶试样记录材料、掺杂类型、晶向、厚度、几何尺寸和电极位置。 霍尔系统记录磁场源、恒流源、电压通道、换向开关、样品台和温度传感器。

数据处理与结果

计算霍尔系数、载流子类型与浓度、迁移率和电阻率,并保留换向读数。

报告内容

报告列出试样几何与电极、温度、电流、磁场、换向数据及霍尔参数。

官方来源

全国标准信息公共服务平台发布了GB/T 4326-2025《非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法》,[查看官方发布记录](https://openstd.samr.gov.cn/bzgk/std/newGbInfo?hcno=DF46BCFE044C0317C1D6FEBA962BB1B9)。

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需要结合哪些资料

  • 非本征半导体单晶试样记录材料、掺杂类型、晶向、厚度、几何尺寸和电极位置;半导体与光电材料霍尔效应与载流子参数项目的批次试样、测量位置和对照样
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参考依据与来源

资料来源标准和方法来源
发布或实施日期 2026-05-01

GB/T 4326-2025《非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法》由全国标准信息公共服务平台发布。

标准编号:GB/T 4326-2025;标准名称:非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法;发布机构:全国标准信息公共服务平台。

全国标准信息公共服务平台
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结果怎样使用

  • 计算霍尔系数、载流子类型与浓度、迁移率和电阻率,并保留换向读数。
  • 报告列出试样几何与电极、温度、电流、磁场、换向数据及霍尔参数。
  • 半导体与光电材料霍尔效应与载流子参数的原始记录、计算表、曲线、图谱和结果表

使用结果时需要结合的事项

  • 半导体与光电材料霍尔效应与载流子参数研发与设计;半导体与光电材料霍尔效应与载流子参数批次、材料或工艺比较;半导体与光电材料霍尔效应与载流子参数质量控制和技术报告
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标准使用常见问题

01GB/T 4326-2025适用于哪些测量对象?

该文件规定的实施过程为:在规定电流和磁场下进行电流、磁场换向测量,消除偏置后求霍尔电压。 非本征半导体单晶试样记录材料、掺杂类型、晶向、厚度、几何尺寸和电极位置。

02GB/T 4326-2025如何准备试样和设备?

非本征半导体单晶试样记录材料、掺杂类型、晶向、厚度、几何尺寸和电极位置。 霍尔系统记录磁场源、恒流源、电压通道、换向开关、样品台和温度传感器。

03GB/T 4326-2025怎样实施测量和处理数据?

在规定电流和磁场下进行电流、磁场换向测量,消除偏置后求霍尔电压。 计算霍尔系数、载流子类型与浓度、迁移率和电阻率,并保留换向读数。

04GB/T 4326-2025报告包含哪些内容?

报告列出试样几何与电极、温度、电流、磁场、换向数据及霍尔参数。 计算霍尔系数、载流子类型与浓度、迁移率和电阻率,并保留换向读数。