标准适用范围
GB/T 24578-2024 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法介绍标准的适用对象、有效版本、执行条件、关键步骤和结果用途。
质量控制
依据GB/T 24578-2024以洁净方式装载晶片，设置掠入射角和采集位置，完成能量及灵敏度校准，采集空白与晶片能谱并按元素特征线定量
硅及适用半导体晶片表面痕量金属元素面密度技术项目
采用无金属污染工具取放的半导体晶片、过程空白和校准晶片或加标样
样品、现象、标准版本、已有数据和结果用途
采用无金属污染工具取放的半导体晶片、过程空白和校准晶片或加标样
标准技术要求 + 检测条件记录
晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限
项目技术要点
标准用途
GB/T 24578-2024《半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法》用于全反射X射线荧光光谱法测定半导体晶片表面金属沾污。标准在分析服务中对应硅及适用半导体晶片表面痕量金属元素面密度技术项目，方法记录直接关联样品编号、设备参数、原始数据和报告结果。
关联分析项目
- [电子材料、电池材料与功能材料选型](/services/analysis/research-appraisal/material-selection-and-substitution-evaluation/electronic-battery-and-functional-material-selection)：电子材料、电池材料与功能材料选型采用GB/T 24578-2024《半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法》开展全反射X射线荧光光谱法测定半导体晶片表面金属沾污，作为关联技术方法记录晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限。
适用样品
采用无金属污染工具取放的半导体晶片、过程空白和校准晶片或加标样。样品登记包含名称、材料或基质、型号、批次、取样位置、数量、状态和保存条件；对比分析将正常样、异常样、来源样和留样分别编号。
设备与配置
全反射X射线荧光光谱仪、掠入射X射线光学系统、能谱探测器、无污染晶片台和元素校准样。设备记录包含主机、关键附件、校准材料、方法程序和数据系统版本，测量条件与原始文件使用同一项目编号。
实施步骤
依据GB/T 24578-2024以洁净方式装载晶片，设置掠入射角和采集位置，完成能量及灵敏度校准，采集空白与晶片能谱并按元素特征线定量。实施顺序写入项目记录，样品前处理、测量位置、重复次数和质量控制样与对应数据逐项关联。
原始记录
原始记录包括晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限。数据文件保留采集时间、设备状态、方法参数、样品顺序和处理过程；图谱、曲线、图像和计算表通过样品编号相互对应。
适用对象与应用场景
GB/T 24578-2024 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法适用于以下对象、测试目的和应用条件。
适用产品与技术问题
- 硅及适用半导体晶片表面痕量金属元素面密度技术项目
- 采用无金属污染工具取放的半导体晶片、过程空白和校准晶片或加标样
- 依据GB/T 24578-2024以洁净方式装载晶片，设置掠入射角和采集位置，完成能量及灵敏度校准，采集空白与晶片能谱并按元素特征线定量
- 晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限
委托资料与样品要求
提交标准编号和版本、产品或材料信息、样品状态、判定依据及报告用途。
- 01
采用无金属污染工具取放的半导体晶片、过程空白和校准晶片或加标样
- 02
电子材料、电池材料与功能材料选型所涉及的代表性样品、对照样和质量控制样
采用无金属污染工具取放的半导体晶片、过程空白和校准晶片或加标样。适用版本、产品要求、现象记录和已有数据用于匹配标准与验证方案。
GB/T 24578-2024 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法项目列明技术问题、标准版本、样品量、执行条件与结果交付日期。
主要提供晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限、晶片类型与测点、洁净操作、仪器几何和采集条件、空白与校准、元素能谱、面密度及检出限，其他数据和附件在委托单中列明。
技术问题、适用标准和现有资料对应至检测项目，并完成结果复核。
主要技术要求
质量控制
依据GB/T 24578-2024以洁净方式装载晶片，设置掠入射角和采集位置，完成能量及灵敏度校准，采集空白与晶片能谱并按元素特征线定量
测试方法与条件
晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限
样品处理
晶片类型与测点、洁净操作、仪器几何和采集条件、空白与校准、元素能谱、面密度及检出限
标准实施要点
应用场景
GB/T 24578-2024 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法覆盖研发、质量控制、验收、认证支持和争议核查。
标准版本
列明标准编号、年份、修订件、引用文件以及合同或产品规范要求。
对象与样品
采用无金属污染工具取放的半导体晶片、过程空白和校准晶片或加标样
确定执行条件
把质量控制、测试方法与条件落实为设备、环境、步骤、参数、质量控制和记录要求。
完成检测与复核
按规定条件实施测试，复核原始数据、计算过程、异常记录和判定依据。
交付结果和说明
提供晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限、晶片类型与测点、洁净操作、仪器几何和采集条件、空白与校准、元素能谱、面密度及检出限、标准版本、测试条件和相关记录。
版本与关联标准
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会发布GB/T 24578-2024《半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法》。
标准编号：GB/T 24578-2024；标准名称：半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法；发布机构：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会；状态：现行。
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会标准详情页GB/T 24578-2024规定的技术项目和记录内容。
技术项目：全反射X射线荧光光谱法测定半导体晶片表面金属沾污；适用对象：硅及适用半导体晶片表面痕量金属元素面密度技术项目；数据记录：晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限。
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会标准详情页报告与交付内容
报告列明实际样品、检测方法、测试条件、结果和约定附件。
报告同步提供质量控制、数据复核和判定依据等项目记录。
样品、批次、工况或标准发生变化时，按新条件开展补充检测。
报告支持CMA/CNAS标识、合格判定及英文版本，相关要求可在需求表中注明。标准应用常见问题
01GB/T 24578-2024规定什么内容？
GB/T 24578-2024用于全反射X射线荧光光谱法测定半导体晶片表面金属沾污，技术内容包括样品、设备、实施步骤、数据处理和报告记录。 依据GB/T 24578-2024以洁净方式装载晶片，设置掠入射角和采集位置，完成能量及灵敏度校准，采集空白与晶片能谱并按元素特征线定量
02GB/T 24578-2024适用哪些样品？
采用无金属污染工具取放的半导体晶片、过程空白和校准晶片或加标样，样品编号与前处理、测量位置和原始数据逐项对应。 试样和设备配置为全反射X射线荧光光谱仪、掠入射X射线光学系统、能谱探测器、无污染晶片台和元素校准样。
03GB/T 24578-2024记录哪些数据？
项目记录晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限，并保留采集参数、质量控制结果和数据处理过程。 实施过程为依据GB/T 24578-2024以洁净方式装载晶片，设置掠入射角和采集位置，完成能量及灵敏度校准，采集空白与晶片能谱并按元素特征线定量。
04GB/T 24578-2024报告包含哪些内容？
报告包含晶片类型与测点、洁净操作、仪器几何和采集条件、空白与校准、元素能谱、面密度及检出限，结果表与样品编号、方法条件及原始记录相互对应。 报告将晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限与样品编号、方法条件和质量控制记录对应。