本页说明
GB/T 24578-2024规定全反射X射线荧光光谱法测定半导体晶片表面金属沾污，内容包括适用样品、设备配置、实施步骤、原始记录、数据处理和报告字段，并链接国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会标准详情页。
适用对象与条件
- 硅及适用半导体晶片表面痕量金属元素面密度技术项目
- 采用无金属污染工具取放的半导体晶片、过程空白和校准晶片或加标样
- 依据GB/T 24578-2024以洁净方式装载晶片，设置掠入射角和采集位置，完成能量及灵敏度校准，采集空白与晶片能谱并按元素特征线定量
- 晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限
主要要求与方法
质量控制
依据GB/T 24578-2024以洁净方式装载晶片，设置掠入射角和采集位置，完成能量及灵敏度校准，采集空白与晶片能谱并按元素特征线定量
测试方法与条件
晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限
样品处理
晶片类型与测点、洁净操作、仪器几何和采集条件、空白与校准、元素能谱、面密度及检出限
方法、条件与注意事项
标准用途
GB/T 24578-2024《半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法》用于全反射X射线荧光光谱法测定半导体晶片表面金属沾污。标准在分析服务中对应硅及适用半导体晶片表面痕量金属元素面密度技术项目，方法记录直接关联样品编号、设备参数、原始数据和报告结果。
关联分析项目
- [电子材料、电池材料与功能材料选型](/services/analysis/research-appraisal/material-selection-and-substitution-evaluation/electronic-battery-and-functional-material-selection)：电子材料、电池材料与功能材料选型采用GB/T 24578-2024《半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法》开展全反射X射线荧光光谱法测定半导体晶片表面金属沾污，作为关联技术方法记录晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限。
适用样品
采用无金属污染工具取放的半导体晶片、过程空白和校准晶片或加标样。样品登记包含名称、材料或基质、型号、批次、取样位置、数量、状态和保存条件；对比分析将正常样、异常样、来源样和留样分别编号。
设备与配置
全反射X射线荧光光谱仪、掠入射X射线光学系统、能谱探测器、无污染晶片台和元素校准样。设备记录包含主机、关键附件、校准材料、方法程序和数据系统版本，测量条件与原始文件使用同一项目编号。
实施步骤
依据GB/T 24578-2024以洁净方式装载晶片，设置掠入射角和采集位置，完成能量及灵敏度校准，采集空白与晶片能谱并按元素特征线定量。实施顺序写入项目记录，样品前处理、测量位置、重复次数和质量控制样与对应数据逐项关联。
原始记录
原始记录包括晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限。数据文件保留采集时间、设备状态、方法参数、样品顺序和处理过程；图谱、曲线、图像和计算表通过样品编号相互对应。
数据处理
晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限用于形成结果表、曲线或图谱。处理记录列出基线、峰识别、校准、拟合、校正、统计或判定步骤，处理前数据与最终结果同时归档。
质量控制
GB/T 24578-2024项目按方法配置空白、校准样、参考样、平行样、加标样或对照样。质量控制记录列出接受结果、异常处理和复测数据，保证样品、原始记录和报告字段一致。
报告内容
晶片类型与测点、洁净操作、仪器几何和采集条件、空白与校准、元素能谱、面密度及检出限。报告同时列出执行标准、样品信息、前处理、仪器和方法条件、质量控制、结果单位以及关联的图谱、曲线或照片。
官方来源
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会发布了GB/T 24578-2024《半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法》，[查看官方标准详情](https://std.samr.gov.cn/gb/search/gbDetailed?id=1E5A13A77F5CBC8DE06397BE0A0A87E8)。
需要结合哪些资料
- 采用无金属污染工具取放的半导体晶片、过程空白和校准晶片或加标样；电子材料、电池材料与功能材料选型所涉及的代表性样品、对照样和质量控制样
参考依据与来源
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会发布GB/T 24578-2024《半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法》。
标准编号：GB/T 24578-2024；标准名称：半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法；发布机构：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会；状态：现行。
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会标准详情页GB/T 24578-2024规定的技术项目和记录内容。
技术项目：全反射X射线荧光光谱法测定半导体晶片表面金属沾污；适用对象：硅及适用半导体晶片表面痕量金属元素面密度技术项目；数据记录：晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限。
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会标准详情页结果怎样使用
- 晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限
- 晶片类型与测点、洁净操作、仪器几何和采集条件、空白与校准、元素能谱、面密度及检出限
- GB/T 24578-2024官方标准详情页与关联分析项目
使用结果时需要结合的事项
- 电子材料、电池材料与功能材料选型的方法实施；研发和材料比较；质量数据和技术报告
哪些判断还不能确定
- GB/T 24578-2024标准正文列明适用对象、试样规格和技术步骤
- 结果表同步记录产品限值、判定值和对应产品规范
标准使用常见问题
01GB/T 24578-2024规定什么内容？
GB/T 24578-2024用于全反射X射线荧光光谱法测定半导体晶片表面金属沾污，技术内容包括样品、设备、实施步骤、数据处理和报告记录。 依据GB/T 24578-2024以洁净方式装载晶片，设置掠入射角和采集位置，完成能量及灵敏度校准，采集空白与晶片能谱并按元素特征线定量
02GB/T 24578-2024适用哪些样品？
采用无金属污染工具取放的半导体晶片、过程空白和校准晶片或加标样，样品编号与前处理、测量位置和原始数据逐项对应。 试样和设备配置为全反射X射线荧光光谱仪、掠入射X射线光学系统、能谱探测器、无污染晶片台和元素校准样。
03GB/T 24578-2024记录哪些数据？
项目记录晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限，并保留采集参数、质量控制结果和数据处理过程。 实施过程为依据GB/T 24578-2024以洁净方式装载晶片，设置掠入射角和采集位置，完成能量及灵敏度校准，采集空白与晶片能谱并按元素特征线定量。
04GB/T 24578-2024报告包含哪些内容？
报告包含晶片类型与测点、洁净操作、仪器几何和采集条件、空白与校准、元素能谱、面密度及检出限，结果表与样品编号、方法条件及原始记录相互对应。 报告将晶片位置、掠入射角、采集时间、能谱与背景、元素特征线强度、灵敏度因子、表面金属面密度和检出限与样品编号、方法条件和质量控制记录对应。