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仪器分析

电池、电子与高纯材料激光诱导击穿光谱 LIBS

Laser-induced Breakdown Spectroscopy (LIBS) — Battery, Electronic & High-purity Materials

面向正负极粉体、涂布极片、电池回收黑粉、电子元件截面和高纯材料的元素识别及微区分布。粉末压片、极片平整固定、元件截面精细制备后,激光逐点采集等离子体发射谱,可展示配方元素、涂布均匀性、基材穿透和异物颗粒组成。

检测内容
正极配方元素光谱 · 极片涂层二维均匀性
适用对象
适用于正极粉、负极粉、电池回收黑粉、涂布极片、集流体、隔膜沉积物、电子封装截面和高纯固体。 · 正极材料可识别Li适配谱线以及Ni、Co、Mn、Fe、P、Al等配方元素,负极材料关注Li、Si、Fe和金属杂质。
方法标准
SN/T 2003.7-2011
报告交付
测点结果表列出配方元素、特征波长、发射强度和区域名称。 · 极片与截面附件提供二维元素热图、线剖面、扫描坐标和显微位置图。
确认检测需求登记对象、检测目标和报告用途
样品登记登记数量、状态和制样要求
检查检测过程记录检测条件并审核原始数据
出具报告交付结果、附件和技术说明
01

检测范围

检测范围检测内容与适用对象

面向正负极粉体、涂布极片、电池回收黑粉、电子元件截面和高纯材料的元素识别及微区分布。粉末压片、极片平整固定、元件截面精细制备后,激光逐点采集等离子体发射谱,可展示配方元素、涂布均匀性、基材穿透和异物颗粒组成。

01项目内容

正极配方元素光谱

识别Ni、Co、Mn、Fe、P、Al等元素并比较不同区域或批次的发射强度。

02适用情况

对象与条件

适用于正极粉、负极粉、电池回收黑粉、涂布极片、集流体、隔膜沉积物、电子封装截面和高纯固体。 正极材料可识别Li适配谱线以及Ni、Co、Mn、Fe、P、Al等配方元素,负极材料关注Li、Si、Fe和金属杂质。 极片线扫或面扫用于观察涂层元素均匀性、边缘效应、局部缺料及铜铝集流体暴露。 电子元件截面可定位焊点、镀层、基材和异物颗粒,测点图与元素光谱逐一对应。 高纯材料筛查采用低背景制样耗材和洁净操作,空白压片及基底信号进入数据审核。

03结果解释

需要注意的限制

电池、电子与高纯材料激光诱导击穿光谱 LIBS结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件;整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行 电池、电子与高纯材料激光诱导击穿光谱 LIBS结果报告对应本次取样、制样和分析份;整体成分、表面成分、局部微区、筛查和定量结果分别按相应方法评价。 电池、电子与高纯材料激光诱导击穿光谱 LIBS结果对应实际收到的样品、采用的激光诱导击穿光谱 LIBS条件和数据处理方法;样品或参数改变后按新条件复核可比性 仪器测试交付测量数据和技术说明;整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施

技术说明

检测时需要注意什么

实施流程

1. 建立粉末压片、极片扫描或元件截面方案,样品照片标注方向、区域和坐标原点;2. 用波长核查样和适配材料控制样检查系统,高纯材料任务同时测量空白基底和制样耗材;3. 设定激光能量、焦点、延迟、门宽及脉冲数,极片任务区分预烧和分析脉冲以控制基材穿透;4. 光谱处理完成背景扣除、谱线积分、干扰峰选择和坐标重建,异常颗粒保留单点完整谱;5. 综合重复点、控制样、截面照片和元素图审核后,发布测点结果及区域分布

极片烧蚀深度与基材信号

激光脉冲会逐渐穿过涂层,铜或铝谱线升高反映集流体参与。固定脉冲数并监控基材线,可比较不同区域涂层厚度与均匀性。

粉末压片的配方比较

正负极粉和回收黑粉使用一致粒度、粘结剂及压片条件。元素强度对比使用相同激光参数,并以材料控制样监视批间变化。

截面异物的定位分析

显微照片先确定颗粒和周围基体,激光点径控制在目标区域内,颗粒谱与邻近基体谱成对展示以识别外来元素。

02

适用产品与样品

电池、电子与高纯材料激光诱导击穿光谱 LIBS适用于以下产品、样品及技术问题。

适用产品和常见问题

  • 适用于正极粉、负极粉、电池回收黑粉、涂布极片、集流体、隔膜沉积物、电子封装截面和高纯固体。
  • 正极材料可识别Li适配谱线以及Ni、Co、Mn、Fe、P、Al等配方元素,负极材料关注Li、Si、Fe和金属杂质。
  • 极片线扫或面扫用于观察涂层元素均匀性、边缘效应、局部缺料及铜铝集流体暴露。
  • 电子元件截面可定位焊点、镀层、基材和异物颗粒,测点图与元素光谱逐一对应。
  • 高纯材料筛查采用低背景制样耗材和洁净操作,空白压片及基底信号进入数据审核。
03

送样前需要准备什么

送样信息包括材质、形态、批次、保存条件、目标参数及制样要求。

  1. 01

    电池粉末在干燥洁净环境中混匀缩分,使用固定粘结剂比例和压力制备平整压片。

  2. 02

    极片裁取时记录涂布面、机器方向、横向位置和集流体类型,使用夹具保持表面焦高一致。

  3. 03

    电子元件经镶嵌、研磨和抛光形成截面,制样材料选择避开目标元素,并保留截面显微照片。

  4. 04

    样品清单注明材料配方、供应批次、生产位置、扫描区域和关注的异常颗粒。

准备资料样品和资料要求

电池粉末在干燥洁净环境中混匀缩分,使用固定粘结剂比例和压力制备平整压片。 极片裁取时记录涂布面、机器方向、横向位置和集流体类型,使用夹具保持表面焦高一致。 电子元件经镶嵌、研磨和抛光形成截面,制样材料选择避开目标元素,并保留截面显微照片。 样品清单注明材料配方、供应批次、生产位置、扫描区域和关注的异常颗粒。

项目结果本页列出的结果内容

测点结果表列出配方元素、特征波长、发射强度和区域名称。 极片与截面附件提供二维元素热图、线剖面、扫描坐标和显微位置图。 光谱资料保存代表点完整发射谱、基材穿透曲线和异物对比谱。 质量控制数据包含空白压片、波长核查、材料控制样和重复点离散。

04

检测项目

01

正极配方元素光谱

识别Ni、Co、Mn、Fe、P、Al等元素并比较不同区域或批次的发射强度。

02

极片涂层二维均匀性

按规则网格扫描极片,生成配方元素强度热图和区域离散统计。

03

集流体暴露与穿透

监视铜或铝基材谱线随脉冲深度的变化,识别涂层薄区或烧蚀穿透。

04

电子截面微区元素

焊点、镀层、封装层和基材分别布点,输出各区域元素组合。

05

异物颗粒定位

在显微图标记的颗粒上采集发射谱,辅助识别Fe、Cu、Al等金属异物。

05

检测方法和流程

受理前需要确认什么受理前需确认对象、样品状态、方法适用性和实施条件;具体检测范围、进度与报告要求以双方确认的方案为准。
01

步骤1

建立粉末压片、极片扫描或元件截面方案,样品照片标注方向、区域和坐标原点。

02

步骤2

用波长核查样和适配材料控制样检查系统,高纯材料任务同时测量空白基底和制样耗材。

03

步骤3

设定激光能量、焦点、延迟、门宽及脉冲数,极片任务区分预烧和分析脉冲以控制基材穿透。

04

步骤4

光谱处理完成背景扣除、谱线积分、干扰峰选择和坐标重建,异常颗粒保留单点完整谱。

05

步骤5

综合重复点、控制样、截面照片和元素图审核后,发布测点结果及区域分布。

06

检测标准和方法

以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定,需结合对象、条件和委托要求确认。

1 项标准共列出 1 项标准与方法。

共 1 项

SN/T 2003.7-2011中国标准电子电气产品中铅、汞、镉、铬、溴的测定 第7部分:激光诱导击穿光谱定性筛选法电子电气产品中铅、汞、镉、铬、溴的测定 第7部分:激光诱导击穿光谱定性筛选法规定电池、电子与高纯材料激光诱导击穿光谱 LIBS的分析方法、仪器条件和数据记录要求。中华人民共和国海关总署 · SN/T 2003.7-2011 · 查看发布机构来源
07

报告和检测数据

测点结果表列出配方元素、特征波长、发射强度和区域名称。
极片与截面附件提供二维元素热图、线剖面、扫描坐标和显微位置图。
光谱资料保存代表点完整发射谱、基材穿透曲线和异物对比谱。
质量控制数据包含空白压片、波长核查、材料控制样和重复点离散。
常见报告用途
用于正负极材料配方元素和回收黑粉组成的快速批次比较。用于极片涂布均匀性、集流体暴露及局部缺陷的区域分析。用于电子元件截面、焊点、镀层和异物颗粒的微区元素定位。
检测结果说明

电池、电子与高纯材料激光诱导击穿光谱 LIBS结果报告对应实际样品、测点、量程和测量条件;整批评价按照约定取样方案、对照设置和判定依据执行

电池、电子与高纯材料激光诱导击穿光谱 LIBS结果报告对应本次取样、制样和分析份;整体成分、表面成分、局部微区、筛查和定量结果分别按相应方法评价。

电池、电子与高纯材料激光诱导击穿光谱 LIBS结果对应实际收到的样品、采用的激光诱导击穿光谱 LIBS条件和数据处理方法;样品或参数改变后按新条件复核可比性

仪器测试交付测量数据和技术说明;整批质量判定、产品认证、法定鉴定和监管事项按照相应程序实施

08

常见问题

0198.1 极片LIBS会烧到铜铝基材吗?

连续脉冲会逐渐穿过涂层。通过限定分析脉冲并监视铜或铝谱线,可区分涂层信号与集流体参与。

0298.2 正极粉为什么要压片?

粉末压成致密平面后,激光焦点、烧蚀量和脉冲稳定性更加一致,便于跨点位和跨批次比较。

0398.3 能否展示极片横向均匀性?

沿极片横向或机器方向设置规则网格,可生成Ni、Co、Mn、Fe、P等元素强度热图和区域统计。

0498.4 锂元素可以用LIBS观察吗?

LIBS具有适合锂的发射谱线,选取光谱条件并使用相应材料控制样后,可开展锂信号分布和批次比较。

0598.5 电子元件截面怎样制备?

元件先镶嵌固定,再逐级研磨抛光露出焊点、镀层和基材,截面显微图用于精确布置激光点。

0698.6 异物颗粒如何与基体区分?

对颗粒和紧邻基体分别采集光谱,比较Fe、Cu、Al等新增或显著增强的谱线,并在显微图中标出烧蚀位置。

0798.7 高纯材料怎样检查制样带入?

空白基底、粘结剂和制样工具分别测量背景,高纯样结果与空白谱同时审核。

0898.8 扫描结果包含哪些文件?

交付二维元素图、坐标表、区域统计、代表点光谱、激光参数和带测点标记的样品照片。

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