检测范围
面向晶圆、芯片、封装器件、引线框架、基板、键合与封装材料，开展结构尺寸、材料成分、界面形貌、温湿度与机械环境可靠性检测。样品按晶圆批、封装批、工艺步骤、器件位置和失效模式编号，结果用于工艺开发、封装验证、供应商控制以及开路、短路、分层、腐蚀和热机械失效定位。
封装结构与尺寸
通过外观、成像和截面观察芯片、互连、孔洞和分层。
对象与条件
晶圆、裸芯片、分立器件和集成电路 引线框架、基板、焊球、键合线和互连结构 塑封料、底填、粘片胶及其他封装材料 发生开短路、漏电、分层、腐蚀或参数漂移的器件
需要注意的限制
实验室材料与局部失效结果不能脱离电路设计、制程窗口、测试覆盖和实际载荷直接判定整批产品可靠性 单一实验室结果只代表送检且完成测试的样品，批次结论需要有效抽样方案 不同标准版本、制样、设备参数或数据模型的结果应统一口径后再比较 加速或局部测试不能脱离产品规范直接换算整机寿命、现场安全或全面合格
检测时需要注意什么
实施流程
1. 整理器件规格、工艺流程、批次和初始电性数据；2. 按失效模式完成外观、电性与非破坏成像；3. 实施环境或机械可靠性试验并记录参数变化；4. 对目标区域开封、截面和微区分析，形成层级证据
分析先后顺序
半导体失效分析遵循先电性与无损、后局部开封制样的顺序，保护可复查的异常区域。
截面位置选择
截面位置依据器件坐标、成像结果和故障网络选择，并保留制样前后的定位图。
批次工艺追溯
不同晶圆批、封装批和工艺版本分别编号，电性变化与材料结构证据逐项关联。
适用产品和使用场景
半导体与集成电路材料可靠性检测方案适用于以下产品、业务阶段和质量问题。
适用产品和常见问题
- 晶圆、裸芯片、分立器件和集成电路
- 引线框架、基板、焊球、键合线和互连结构
- 塑封料、底填、粘片胶及其他封装材料
- 发生开短路、漏电、分层、腐蚀或参数漂移的器件
样品和资料要求
提交产品阶段、目标市场、样品批次、技术规范、已有数据和当前质量问题。
- 01
标明晶圆批、封装批和工艺版本的器件
- 02
防静电包装的良品、失效品和参考样
- 03
带失效位置、测试日志和电性数据的异常器件
- 04
按封装层次分别保存的材料与截面样
标明晶圆批、封装批和工艺版本的器件 防静电包装的良品、失效品和参考样 带失效位置、测试日志和电性数据的异常器件 按封装层次分别保存的材料与截面样
器件外观、电性与无损成像记录 封装截面、界面和微区成分图像 环境机械可靠性及阶段电性数据 失效层级、目标位置和对照分析资料
检测与分析项目
封装结构与尺寸
通过外观、成像和截面观察芯片、互连、孔洞和分层。
微区材料成分
分析焊点、键合区、腐蚀物和污染物的局部元素与形貌。
温湿度可靠性
评价温度、湿度和循环作用后的电性与封装状态。
机械可靠性
记录振动、冲击和热机械作用下的连接与功能变化。
失效定位
结合电性、无损成像、开封和截面证据定位异常层级。
检测流程
标准与技术依据
以下是本页引用的标准与方法资料。具体项目是否适用、采用哪个版本及如何判定，需结合对象、条件和委托要求确认。
共 5 项
报告和检测数据
实验室材料与局部失效结果不能脱离电路设计、制程窗口、测试覆盖和实际载荷直接判定整批产品可靠性
单一实验室结果只代表送检且完成测试的样品，批次结论需要有效抽样方案
不同标准版本、制样、设备参数或数据模型的结果应统一口径后再比较
加速或局部测试不能脱离产品规范直接换算整机寿命、现场安全或全面合格
常见问题
01失效芯片为什么先做无损检查？
电性和无损成像可缩小异常范围，并为后续开封和截面选择准确位置。
02截面分析怎样避免错过缺陷？
根据成像、故障网络和器件坐标确定切割路径，制样过程持续记录目标位置。
03可靠性试验中如何跟踪参数漂移？
在规定阶段使用同一测试条件记录关键电性参数，并与温湿度或机械试验时间点对应。
04良品对照有什么作用？
同批良品可显示正常封装结构、材料和电性分布，帮助识别失效样特有差异。
05声学扫描和X射线分别观察哪些封装缺陷？
声学扫描呈现封装内部脱层与界面异常，X射线展示焊球、键合和高密度结构，两个坐标系可对应同一器件位置。
06键合线可靠性怎样进行力学评价？
拉力或剪切试验记录峰值、破坏位置和破坏形态，并结合线径、焊点形貌及截面结构分析连接质量。
07器件开封后怎样保留腐蚀和污染证据？
开封过程避开目标区域，芯片表面、键合区和引线框架按坐标拍摄，腐蚀物与污染物在清理前完成微区分析。
08漏电异常可以怎样缩小失效范围？
电性测试、热分布或发光位置与版图、引脚和封装成像数据叠加，可把异常从器件级定位到目标网络或局部结构。