晶圆、芯片与裸片检测：表面缺陷、污染和异常位置
Wafers, Chips & Bare Dies晶圆颗粒、裸片崩边或芯片异常，先保留批次、晶圆坐标、失效表现和搬运历史，区分表面线索与电性证据。按目标评估局部形貌、表面组成或截面路线，避免清洗、探针和切割造成二次改变。局部检测不等于整片电测、良率认证或制程根因判断，具体条件需受理前确认。
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按实际对象选择检查方向
半导体、芯片与封装器件
晶圆裸片异常、封装焊点故障、功率器件损坏或传感器漂移，先核对故障能否复现、使用条件与样品处理，再安排必要检查。物理损伤、功能失效和完整根因是不同层次，方法与安全条件须先评估，不把厂商平台当成本机构能力。
服务范围先保留功能故障与物理样品，再选择芯片和封装检查
先查看相关问题、样品保护与证据要求。具体接样能力、方法和报告用途需要项目评估，不按目录数量承诺全部服务。
行业解决方案 · 分类说明
先判断要查什么
从损伤和使用条件出发选择调查方向，方法不是固定套餐。
同样是芯片出问题，晶圆与裸片侧重位置和前处理记录，封装与焊点还涉及板级装配和互连，功率器件需要负载与散热背景，MEMS、传感及光电器件则要对应激励和响应条件。不要用同一套封装图像代替每类产品的功能确认。
先提供型号、批次、连接或应用条件、异常日志与正常对照，记录拆焊、清洗、烘烤、通电及已做测试。静电、过压、机械拆卸和包装都可能引入二次损伤；既要防止新增破坏，也要说明哪些原始条件已经无法保留。
非破坏观察与后续开封、切片或局部处理需要分阶段约定，不能为寻找漂亮图像先毁掉唯一失效样。看到空洞、裂纹或烧伤只确认一部分物理事实，是否与报告故障相关，还要结合复现与电路、热或装配记录；安全认证、生产级电测与晶圆制程验证不能默认承接。
4个问题方向
4个问题说明页
3项项目准备步骤
3类常见交付内容
具体服务
4 个问题方向
入口按实际损伤分类。未确认的设备、资质和承接条件，不由方法介绍或标准名称推断。
集成电路封装与焊点检测：分层、裂纹和接触异常
IC Packages & Solder Joints器件间歇掉线、回流后失效或焊点开裂，先记录故障条件、板级位号和焊接热历史，再评估内部成像、局部截面及材料检查。封装分层、焊点空洞和电性异常不能只凭一张图建立因果关系；开封、拆焊可能改变原始证据，具体检查顺序和平台需在受理前确认。
查看完整方向页功率半导体与分立器件检测：过热、击穿和参数变化
Power Semiconductors & Discrete DevicesMOSFET、IGBT、二极管或功率模块过热、击穿及参数变化，应同时保留驱动、电源、散热、波形与失效件状态。材料和封装检查可提供线索，但烧毁位置不一定是最初故障位置，表面温度也不等于结温。高能复现、动态电测和功率循环须另核平台与安全条件，不作为网页默认承诺。
查看完整方向页MEMS、传感芯片与光电器件检测：漂移、噪声和响应异常
MEMS, Sensor Chips & Optoelectronics传感器零偏变化、噪声增大或光电响应下降，先核输入、供电、安装、温度和采集设置，再区分传感芯片、封装与系统影响。MEMS机械输入与光电波长、偏置的检查任务不同，不适合套同一套餐。局部材料或微结构线索不能单项证明故障根因，实际平台及报告用途需确认。
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各页说明哪些资料有用、为什么追加检查，以及结论有哪些限制。
半导体、芯片与封装器件晶圆、芯片与裸片检测：表面缺陷、污染和异常位置晶圆颗粒、裸片崩边或芯片异常，先保留批次、晶圆坐标、失效表现和搬运历史，区分表面线索与电性证据。按目标评估局部形貌、表面组成或截面路线，避免清洗、探针和切割造成二次改变。局部检测不等于整片电测、良率认证或制程根因判断，具体条件需受理前确认。查看项目详情 半导体、芯片与封装器件集成电路封装与焊点检测：分层、裂纹和接触异常器件间歇掉线、回流后失效或焊点开裂，先记录故障条件、板级位号和焊接热历史，再评估内部成像、局部截面及材料检查。封装分层、焊点空洞和电性异常不能只凭一张图建立因果关系；开封、拆焊可能改变原始证据，具体检查顺序和平台需在受理前确认。查看项目详情 半导体、芯片与封装器件功率半导体与分立器件检测：过热、击穿和参数变化MOSFET、IGBT、二极管或功率模块过热、击穿及参数变化，应同时保留驱动、电源、散热、波形与失效件状态。材料和封装检查可提供线索，但烧毁位置不一定是最初故障位置，表面温度也不等于结温。高能复现、动态电测和功率循环须另核平台与安全条件，不作为网页默认承诺。查看项目详情 半导体、芯片与封装器件MEMS、传感芯片与光电器件检测：漂移、噪声和响应异常传感器零偏变化、噪声增大或光电响应下降，先核输入、供电、安装、温度和采集设置，再区分传感芯片、封装与系统影响。MEMS机械输入与光电波长、偏置的检查任务不同，不适合套同一套餐。局部材料或微结构线索不能单项证明故障根因，实际平台及报告用途需确认。查看项目详情
项目资料
把故障表现和样品经历一起交代
只有一颗失效件时尤其要先确定保存和允许破坏的顺序。
- 01选择实际失效对象
区分晶圆裸片、封装焊点、功率器件和MEMS光电器件，说明器件故障与整板表现的关系。
- 02保护样品和故障记录
采用适合器件的静电与物理保护，记录型号、批次、应用、供电负载及拆焊处理；不要为复现擅自超额定通电。
- 03分阶段确认检查范围
先评估故障确认和非破坏记录，再讨论开封或制样；每种方法、设备与安全条件需技术确认，不把一次观察升级为唯一原因。
交付结果
报告和检测数据
报告、数据、附件及技术资料等交付内容与所选检测方法和报告用途对应。
报告故障、样品经历和检查位置的对应记录。
实际实施的方法与观察结果，区分功能和物理证据。
已支持的解释、尚未确认的因果关系及条件性验证建议。
常见问题
半导体、芯片与封装器件常见问题
以下回答涵盖适用对象、执行标准、样品或现场条件、报告用途等常见问题。
01发现烧伤就能认定是过压还是静电吗？
不能只凭一张损伤图确定电应力来源。需要使用、供电、负载及故障记录和必要对照，缺少这些证据时应保留可能机制，不直接判定责任。
02一定要先把芯片开封吗？
不一定。应先讨论故障是否可确认、非破坏检查和样品保存，再决定破坏性步骤。开封会改变样品，唯一失效件尤其需要先约定顺序与范围。
03所有芯片都能做全套电参数或晶圆测试吗？
不能按目录默认。接口、型号、测试平台、探针与程序等条件可能限制实施，需要逐项目确认能力；物理表征不能替代未实施的电功能测试。
04可靠性试验通过等于异常原因已经排除吗？
不是。试验只覆盖约定应力与判定条件，实际故障可能涉及不同应用或处理。试验结果和根因调查应分别解释，不外推所有服役工况。
内容复核：。参考资料支持技术说明，不证明全部承接能力或标准全文符合性。
哪些结论还不能直接下
目录用于说明问题和选择调查方向，不代表全部设备、现场服务、资质或项目已确认承接。受理前须核对对象、安全条件、适用方法及报告用途。
物理异常不能独自证明报告故障的根因、来源或责任；安全和认证结论需要另外的适用条件与授权范围。
参考资料与适用范围
TI半导体失效分析流程
先确认故障与历史，再决定非破坏检查和后续处理。
TI公开流程强调退回器件的使用记录、故障确认及先进行非破坏检查。它描述TI自身能力，不证明本机构拥有晶圆电测、自动测试或芯片定位等全套平台。
TI可靠性试验介绍
失效样品怎么保存有偏置和无偏置等试验条件不能混为一个可靠性套餐。
厂商资料分别说明温度、湿度、电压及运行状态下的试验目的。仅支持方案需按对象和失效假设确定，不借用其参数、设备或验证结果证明本机构能力。
检测需求